10-Mavzu. Yuqori samaradirlikka ega quyosh elementlari

---

10-Mavzu. 
Yuqori samaradirlikka ega quyosh elementlari
 
Kremniy asosidagi p-n o‘tishli gomogen YaO‘ materialda yaratilayotgan 
QE larining samaradorligini oshirish asosan potensial tusiqning chuqurligini 
(qalinligini) kamaytirish orqali erishilmoqda. Dastlabki paytlarda olingan 
kremniy asosidagi QE lariga qaraganda bu parametr 7-10 mkm dan hozirgi 
sharoitda 0,1 – 0,015 mkm gacha kamaytirildi. r-p o‘tish chuqurligini 
kamaytirish va uni yuzaga chiqarish maqsadi umuman aytganda tushunarli 
hol, zero quyosh nurlanishining katta qismi juda yupqa qatlamda yutiladi. 
Ammo natijada bu yupqa yuza qismida zaryad yo‘qotishlar xam sirt 
rekombinatsiyasi natijasida juda katta qiymatlarga ega bo‘ladi. Bu 
yunalishdagi mantiqiy chegara bo‘lib QE larining sirt-tusiqli (poverxnostno-
barernaya) tizimli har xil turlari hisoblanadi. Ular umuman legirlangan 
qatlamsiz bo‘lib, hajmiy zaryad hosil qilgan maydon deyarli frontal 
yuzagagina ta’sir qiladi. Shunday QE bir-biriga taqqoslash maqsadida 
ularning spektral xarakteristikalari 10 rasmda keltirilgan. 4-6 ℓ≤0,3 mkm 
(legirlangshan qatlam qalinligi) shaffoflantirilgan element. 
P-n o‘tish chuqurligi ~0,2 mkm bo‘lgan QE ishlab chiqarilishi 
natijasida, qisqa to‘lqinli optik nurlanish ta’sirida hosil bo‘ladigan zaryad 
tashuvchilarning fazoviy ajratish muammosini ko‘p jihatdan hal bo‘ldi. 
haqiqatdan, shu turdagi quyosh elementlarida hattoki λ = 0,4 mkm da ham 
yig‘ish koyeffitsiyenti qiymatini ξ = 0,9 gacha etkazish imkoniyatini paydo 
bo‘ldi, holbuki ℓ>0,4 mkm li QYe larida shu spektr sohasida yig‘ish 
koyeffitsiyenti atigi 0,5 atrofida bo‘lishi aniqlangan edi. Shuning uchun, 
bunday turdagi QE binafsha-ko‘k spektrda o‘ta yuqori sezgirlikka ega 
bo‘lganligi sababli «binafsha» quyosh elementlari degan nomni oldi. 
Bunday QE qisqa tutashuv toki Ikz zichligi 40-42 mA/sm² ga etkazildi. 
«Binafsha» quyosh elementlardagi tok yuqotishlarning spektr bo‘yicha 
o‘zgarishi, AM 0 sohada spektr taqsimotini hisobga olinganda, ularning 
yig‘ish koyeffitsiyenti quyosh elementi sezgirligining deyarli barcha 
qismlarida birga yaqin ekan. Qisqa to‘lqinli qismdagi qisman yo‘qotishlarni 
QE ning konstruksiyasini mukammallashtirish hisobiga emas (chunki p-n 

---

o‘tish deyarli har bir hosil bo‘lgan elektron-teshik juftlikni ajrata oladi), 
balki elementning optik parametrlarini, ya’ni metall kontaktning qaytarish 
koyeffitsiyentini va u egallagan yuzani kamaytirish hisobiga erishish 
mumkin. Elementning legirlangan frontal qatlami qalinligini kamaytirish 
faqat fotosezgirliknigina oshirib qolmay, shu bilan birga QE ning diod 
xarakteristikasini ham yaxshilar ekan. hisoblashlar va eksperimentlar shuni 
ko‘rsatadiki, legirlangan qatlam parametrlari nisbatan teskari to‘yinish toki 
Io ga, va natijada foto-EYuK ga ham ta’sir qiladi.