11 – laboratoriya ishi Mavzu: mtda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish. Ishning maqsadi

Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

1. Tranzistorning kirish xarakteristikasini nuqtalar bo‘yicha olish uchun 1-rasmda ko‘rsatilgan sxemani yig‘ing.

2. SS kalitni tranzistorning kollektoridagi potensial nol bo‘ladigan (U_KE=0) holatga o‘tkazing.

3. Ekranning o‘ng yuqori burchagidagi tugmani bosib sxemani ishga tushiring.

4. Funksional generator Offset parametrining qiymatini 0 dan 12V gacha 1V qadam bilan o‘zgartirib ampermetr va voltmetrning ko‘rsatishlarini yozib oling. Olingan natijalarni 1-jadvalga yozing.

13.1-jadval. UE sxemasi bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish xarakteristikalari

UKE, V		V
		0	1	2	3	4	8	12
0	U, V
	I, mkA
12	U, V
	I, mkA

5. SS kalitni tranzistorning kollektoridagi potensial 12V bo‘ladigan (U_KE=12V) holatga o‘tkazing.

6. Funksional generator Offset parametrining qiymatini 0 dan 12V gacha 1V qadam bilan o‘zgartirib ampermetr va voltmetrning ko‘rsatishlarini yozib oling va ularni 1-jadvalda keltiring.

7. Olingan natijalarga asosan umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning statik volt-amper xarakteristikalarini U_KE=0V va U_KE=12V uchun quring.

Bajarilgan ish bo‘yicha hisobot

Hisobotda quyidagilar keltiriladi.

1. Ishni bajarishdan maqsad.

2. Tajribalarni o‘tkazishda foydalanilgan sxemalar.

3. Olingan natijalar jadval va grafiklar ko‘rinishida.

4. Olingan natijalarning tahlili.

4. Bajarilgan ish bo‘yicha xulosalar.

14-laboratoriya ishi

Mavzu: Emitter qaytargich xarakteristikasini tadqiq etish.

Ishni bajarishdan maqsad: Emitter qaytargich xarakteristikasini xarakteriograf yordamida olish va ishlashini tahlil qilish.

Sxemaning tavsifi
Umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish xarakteristikasini xarakteriograf yordamida olish uchun sxema 1-rasmda keltirilgan.

GEN funksional generatorning chiqishidagi amplitudasi U = 10 V va chastotasi f = 1 Gs bo‘lgan kuchlanish qarshiligi 1 kOm bo‘lgan rezistor orqali tranzistorning bazasiga beriladi. TR vaqt relesining ishlash vaqti 2 sekundga teng qilib o‘rnatiladi. GEN generatordan arrasimon kuchlanish ( U = 10 V, f = 1 Gs) qarshiligt 1 kOm bo‘lgan cheklovchi rezistor orqali tranzistorning bazasiga beriladi.

Sxema ishga tushgandan keyin dastlabki 2 sekund davomida tranzistorning kollektoridagi kuchlanish 0 V va keyin esa TR vaqt relesining ishlashi natijasida 12 V bo‘ladi.

Ossillografning gorizontal plastinalariga V kanaldagi kuchlanish (tranzistorning bazasidagi kuchlanish), vertikal plastinalariga esa A kanaldagi kuchlanish (tranzistorning bazasidagi tok) beriladi. SHunday qilib, tranzistorning kirish xarakteristikalarini to‘g‘ridan to‘g‘ri ossillografning ekranida kuzatish mumkin. Sxemada baza tokini o‘lchash uchun tok bilan boshqariluvchi kuchlanish manbasidan foydalanilgan. Uning transformatsiya koeffitsientining o‘lchov birligi V/A = Om, sxemada 1 Om olinganligi uchun bazadagi tok 1mA bo‘lganda ossillografga 1 mV kuchlanish beriladi.

Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

1. Umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish xarakteristikasini xarakteriograf yordamida qurish uchun 1-rasmda ko‘rsatilgan sxemani yig‘ing.

2. Sxema elementlarining parametrlarini 1-rasmga asosan o‘rnating.

3. Ctrl va G klavishalarni bosib sxemani ishga tushiring. Grafik analizatorning ekranida 4 sekunddan keyin kollektor kuchlanishining 0 va 12 V qiymatlaridagi tranzistorning kirish xarakteristikalari hosil bo‘ladi.

4. Ctrl va T klavishalarni bosib sxemani ishlashini to‘xtating.

14.1-rasm. Umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning kirish xarakteristikasini xarakteriograf yordamida qurish uchun sxema

5. Olingan xarakteristikalarni o‘qish va tahlil qilish uchun qulay holga keltirish uchun grafik analizatorning ustida sichqonchaning o‘ng tugmasini bosing va hosil bo‘lgan qalqib chiquvchi menyudan Properties bo‘limining ustida sichqonchaning chap tugmasini bosing. Graph Properties oynasi chiqadi, uning General, BottomAxis va LeftAxis bo‘limlarida kerakli o‘zgartirishlarni amalga oshirib xarakteristikalarni qulay holatga keltiring.

6. Olingan xarakteristikalarni tahlil qiling.

Bajarilgan ish bo‘yicha hisobot

Hisobotda quyidagilar keltiriladi.

1. Ishni bajarishdan maqsad.

2. Tajribalarni o‘tkazishda foydalanilgan sxemalar.

3. Olingan natijalar jadval va grafiklar ko‘rinishida.

4. Olingan natijalarning tahlili.

4. Bajarilgan ish bo‘yicha xulosalar.
15-Laborotoriya ishi
Mavzu: Istok qaytargich sxemasini tadqiq etish

Ishdan maqsad: Maydoniy tranzistorda yasalgan istok qaytargich sxemasini tadqiq qilish va dinamik xarakteristikalari va differensial parametrlarini o‘lchash.

UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad (istok qaytargich). UI ulangan MT asosidagi kuchaytirgich kaskadning prin-sipial sxemasi 15.1-rasmda ko‘rsatilgan. Sxemada n – kanali p – n o‘tish bilan boshqariladigan MT qo‘llanilgan.

Sxemada stok elektrodi umumiy shinaga kuchlanish manbai YEM ning juda kichik qarshiligi orqali ulangan, ya’ni stok elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiydir.

Istok qaytargichda chiqish signali amplitudasi kirishdagi signal amplitudasi va fazasini qaytaradi. Bu ikki omil kaskad-ning kuchlanish qaytargich deb atalishiga asos bo‘ldi. Kuchaytirish koeffitsiyentining birga yaqin qiymati 100 % li manfiy

TA hi-sobiga hosil bo‘ladi.

15.1-rasm. US ulangan MT asosidagi kuchaytirgich kaskadning sxemasi.

Ushbu kaskadda tranzistorning drenaji to'g'ridan-to'g'ri + EC manbasiga ulanadi. Kutish rejimi kirishida va rezistor R va manba pallasida R1 -R2 rezistor bo'luvchisi tomonidan ta'minlanadi. Kirish voltaji C1 izolyatsiya kondensatori orqali kirishga etkazib beriladi va chiqish kuchlanishi C2 izolyatsiya kondensatori orqali manbadan yukga beriladi.
O'tish nuqtasini tanlayotganda ikkita shartni ta'minlash kerak: U.z.ning noaniq kuchlanishi uzatish xarakteristikasining eng katta qiyalik bilan bo'lgan qismiga to'g'ri kelishi kerak, ya'ni. nolga yaqinroq bo'ling va Rn rezistorining qarshiligi etarlicha katta bo'lishi kerak, ya'ni Ri va Rn. Bu kuchlanish uzatish koeffitsientini oshiradi. Ushbu maqsadga erishish uchun dam olish rejimida koordinatalari bo'lgan tranzistorning uzatish xarakteristikasida nuqta tanlash kerak (15.1, b-rasmlarga qarang)
Uzi.o = 0,25Uzi.ots;  Istok kuchlanishi Ui.o = 0,5Es, bundan
Zatvor potensiali (rasmga qarang 8.1, b) quyidagini topamiz Uz = Ui.o + Uzi.o = Ui.o - │Uzi.o│va rezistor bo'luvchisi tomonidan o'rnatiladi Umumiy qarshilikni ularni ketma ketligidan topib olamiz 100 kOm: R2 ni hisoblagandan so'ng, siz R1 qarshiligini hisoblashingiz mumkin.
Manba qaytargichining ishlaydigan nuqtasida uzatish xarakteristikasining qat'iyli. Kuchaytirish koeffitsentini aniqlash quyidagi ifodaga teng: Bo'sh rejimda maksimal koeffitsent nisbati Manba qaytargichining ajratish kondensatorlarining sig'imini hisoblash uchun kaskadning past chastotali qismidagi vaqt doimiyligini aniqlash kerak:
Har bir kondensatordagi vaqt doimiysi ikki marta katta:

τ1= τ2=2 τnch

Har bir kaskadlarning ta’sirlashishiga olib keladigan vaqt doimiyligining qiymatini bilib, izolyatsiya kondensatorlarining qiymatini aniqlash mumkin:
Istok qaytargichni hisoblash uchun variantlar.
Jadval 15.1

№ p/p	Ec,V	Ri,kOm	Fn,Gs	Uzi.ots,V	I s.nach,mA
1	10	0,5	50	-1,6	4,0
2	12	0,5	40	-2,0	4,8
3	15	0,4	60	-2,4	8,0
4	12	0,3	45	-2,0	8,0
5	15	0,35	75	-2,4	8,8
6	10	0,35	80	-1,6	8,0
7	8	0,25	70	-2,0	12
8	10	0,4	30	-1,6	6,4

Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

15.1-jadvaldagi ma'lumotlardan foydalanish:

1. Rezistor bo'linuvchisini hisoblang.

2. Uzatish xarakteristikasining tikligini istok qaytargichning qiymatinini hisoblang.

3. Quyidagi fH chastotasiga asoslanib, C1, C2 kondansatorlarning sig'imini aniqlang.

Nazorat savollari:

1.Tranzistorning, tranzistorli kuchaytirgich bosqichining ekvivalent sxemasini chizing.

2.Kuchaytirgichning kirish va chiqish qarshiligini, kuchlanishi, tok va quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyentlarini o‘lchang (aniqlang).

3.Tranzistorli kuchaytirgich bosqichida signal buzilishining paydo bo‘lish sabablari.

Maydoniy tranzistorda yasalgan istok qaytargichi sxemasini tadqiq qilish, NI Multisim dasturiy muhiti yordamida differensial parametrlarini o’lchash, dinamik xarakteristikalarini tahlil qilish.

15.1-rasm istok qaytargich sxemasi

Sxemaning NI Multisim dasturiy muhitida yig’ilgan holati