Yarimoʻtkazgichda zaryad tashuvchilarning rekombinatsiyasi 1. n-Ge de Nt=5·1012 sm-3 va rekombinatsiya markazlariga ega. Muvozanatta kichik τ=10-4 s og’ishda, T=300 K temperaturada elektronlar va kavaklarni ushlab olish kesimi bir xil. Solishtirma qarshilik ρ=5 Om·sm. Ushlab olish kesimi S ni toping.
Berilishi:
Nt=5·1012 sm-3
τ=10-4 s
T=300 K
ρ=5 Om·sm
Topish kerak: S - ?
Yechilishi: Kichik qoʻzishlarda
formulasidan foydalanib:
formulasıga ega boʻlamiz.
Bu joyga kirgan kontsentratsiyalarni hisoblaymiz:
sm-3 sm-3 sm-3 Bundan
Muvozanatta boʻlmagan zaryad tashuvchilarning diffuziyasi va dreyfi 1. Dn=3,65 sm2/s, n=1018 sm-3, ekanligi belgili boʻlsa, unda aralasmasi bor yarimoʻtkazgichdagi elektronlarning harakatchanligini aniqlang. Elektronlar kontsentratsiyasi ifodasidan topiladi. yarimoʻtkazgich termodinamik muvozanat holatida joylashgan.
Berilishi:
Dn=3,65 sm2/s
n=1018 sm-3
Topish kerak: μn - ?
Yechilishi: Harakatchanlikni quyidagi formuladan topamiz:
Aralashmalı yarimoʻtkazgichda oʻtkazuvchanlik zonasi tubining φ kattalikga siljishi hisobidan elektronlar kontsentratsiyasini ifodasini qoʻllanib:
(1)
yozamiz. Bundan
Bu natijani harakatchanlik ifodasiga qoʻyib, quyidagiga ega boʻlamiz:
(1) formuladan (En-F-φ) kattaligini aniqlab, quyidagi natijani olamiz:
304 sm2/(V·s)