Axborat qawipsizlik” baǵdarı 2-kurs 305-22 topar studenti Xamdullaev Allayardıń Elektronika hám sxemaları I

2.3 Tiristorlar.

Tranzistorda emitter tokı, kollektor tokı hám baza toklarınıń jıyındısına teń eken, ol jaǵdayda emitter tokınıń arttırıwı da kollektor hám baza tokları arttırıwlarınıń jıyındısına teń boladı.

Tranzistordıń zárúrli ózgesheliklerinen biri onıń tokları arasındaǵı shama menen sızıqlı baylanısıw esaplanadı, yaǵnıy tranzistordıń Sol ush tokı bir-birine salıstırǵanda proportsional boladı.
Tranzistordıń emitterli hám kollektorlı ótiwlerine beriletuǵın kernewge baylanıslı halda ol úsh qıylı rejimde islewi múmkin: aktiv, toyınıw hám kesiw rejimleri. Tranzistor aktiv rejimde islegende onıń emitterli ótiwine kernew tuwrı jóneliste, kollektor ótiwge keri baǵıtda kernew beriledi. Tranzistordıń kesiw yamasa jabılıw rejiminde eki ótiwge de kernew keri baǵıtda beriledi. Tranzistor toyınıw rejiminde islegende, onıń eki ótiwine de kernew tuwrı jóneliste beriledi. Tranzistordıń aktiv rejimi tiykarǵı esaplanadı. Bul rejim kóplegen kúsheytgish hám generatorlarda qollanıladı. Tranzistordıń jabılıw hám toyınıw rejimleri onıń impulsli jumıs processinde qollanıladı. Mısalı, tranzistorlardıń jabılıw hám toyınıw jumıs rejiminen avtomatıka hám esaplaw texnikası qurılmalarında paydalanıladı.

8. 3-súwret. Umumbaza sxemasında jalǵanǵan bipolyar tranzistordıń ekvivalent

sxeması.

Tranzistorlarda júz beretuǵın processlerdi úyreniwde onıń ekvivalent sxemasınan paydalanıladı. Umumbaza sxemasında jalǵanǵan bipolyar tranzistordıń ekvivalent sxemasın ásbaptıń strukturası jáne onıń islew principin esapqa alǵan halda qurıw múmkin. Tok dáregi hám EYUK dáregine iye bolǵan bunday sxema 8. 3-suwretde keltirilgen. Suwretde rE - element emitter ótiwdiń tuwrı baǵdardaǵı differentsial qarsılıǵın ańlatadı. rk - kollektor keri baǵıt daǵı differentsial qarsılıǵı bolıp tabıladı. rb-baza salasınıń qarsılıǵı. Ádetde tranzistorlarda bul qarsılıqlardıń ámeliy bahaları tómendegishe boladı : rE=50 Om, rk=5. 105 Om, rb=50-250 Om. ekvivalent sxema daǵı tok dáregi yamasa E. YU. K dereksi bipolyar tranzistordıń kúsheytiw ózgesheligin sáwlelendiredi. Bul halda jabıq kollektor ótiwdiń differentsial qarsılıǵı kútá úlken bolǵanlıǵı ushın kollektorǵa úlken qarsılıqlı rezistor ulab, onıń shıǵıwınan tranzistor kirisiw kernewine salıstırǵanda ádewir ulken amplitudali ózgeriwshen kernew alıw múmkin. Tranzistordıń ekvivalent sxemasında baǵınıqlı derektiń tok kúshi kirisiw tokına proportsional boladı. Maydan tranzistorınıń ekvivalent sxemasında bolsa baǵınıqlı derektiń tok kúshi kirisiw kernewine proportsional boladı. Bul parq usı ásbaplar daǵı elektronlar aǵımın basqarıw túrlishe principte ekenligin ańlatadı. elektron lampalar hám maydan tranzistorları elektr maydanı menen, bipolyar tranzistorlar bolsa tok menen basqarılatuǵın ásbaplar esaplanadı.

Maydan tranzistorınıń dúzilisi, elektr sxemaǵa jalǵanıwı hám radiosxemada belgileniwi 9. 1-suwretde keltirilgen. Suwretde shep tárepdegi elektrod aǵıs baslanıwı - istok dep, ońındaǵı elektrod bolsa aǵıs quyilishi - stok dep, orta daǵı basqarıwshı elektrod zatvor dep ataladı. Istok menen stok aralıǵındaǵı qatlam kanal dep júritiledi. Onıń ótkezgishligi n yamasa r-tipli bolıwı múmkin. Eger tiykar (plastinka ) Yarım ótkizgish n-tipli bolsa, zatvor qatlamı r-tipli bolsa, zatvor qatlamı n-tipli - Yarım ótkizgishli materialınan etiledi. Suwretde kórsetilgen tranzistorda tiykar qatlam n-tipli Yarım ótkizgishten ibarat. Sol sebepli stoka istoka salıstırǵanda oń kernew berilsa tiykarǵı tok tasıwshılar, yaǵnıy elektronlar stoka tárep kanal boylap háreket etedi. Zatvorga kernewi hámme waqıt teris jalǵanıwda beriledi. Sebebi bunda p - n ótiw jabılıwı kerek. Kóriletuǵın halda zatvorga istoka salıstırǵanda, teris kernew berilgen. Sol sebepli p - n ótiw qatlamı keńeyip kanaldı toraytiradi, yaǵnıy E3 -zatvor kernewdiń ózgeriwi esabına kanaldıń kesimi ózgeredi. Bul bolsa stok tokınıń basqarilishiga alıp keledi.

Maydan tranzistorlarınıń taǵı bir túri zatvori qorǵawlanǵan (izolyatsiyalangan) tranzistor dep júritiledi. Olarda metaldan jasalǵan zatvor, tiykar qatlam - kanaldan dielektrik element menen ajıratılǵan boladı. Sol sebepli bunday tranzistorlar MDYA (metal -dielektrik, Yarım ótkizgish) túrdegi maydan tranzistorları dep da ataladı. Kóbinese dielektrik retinde oksid materiallar isletiledi. Mısalı, kremniy oksidi SiO2. Bul halda tranzistor MOYA (metal - oksid - yarım ótkizgish) túrdegi tranzistor dep ataladı. MDYA túrdegi tranzistor -dıń dúzilisi 9. 2-suwretde kórsetilgen. Zatvor menen tiykar yarım ótkizgish arasında elektr maydan payda etińanda maydan kúshlanganligi baǵdarına qaray tiykarǵı tok tasıwshılar yamasa tiykar yarım ótkizgishtiń sırtına yamasa kólemine tartıladı.

Eger tiykarǵı tok tasıwshılar tiykar yarım ótkizgishtiń sırtına tartılsa, sirt qatlam - ótkezgishlik kanalınıń ótkezgishligi artadı, kólem ishine tartılǵanda bolsa, ol azayadı. MDYA túrdegi tranzistorlardıń islew principi quramalı bolıp, ol jaǵdayda stok tokınıń úlkenligi jáne onıń xarakteristikaları tiykar yarım ótkizgish materialına, tok tasıwshıalr koncentraciyasına hám soǵılıw texnologiyasına baylanıslı boladı. Soǵan kóre bul tranzistorlar eki túrge: kanalı induktsiyalanıwshı hám kanalı payda etińan tranzistorlarǵa bólinedi.

2-kestede maydan tranzistorlarınıń sxemada belgileniwi kórsetilgen.
Maydan tranzistorınıń stok tokı eki zatvor hám stok kernewleriniń funkciyası bolıp tabıladı.


I_C  f (U ₃ ,U_C ) _(2.7)




Paydalanilǵan ádebiyatlar:

1. 
   https://arxiv.uz/uz/documents/referatlar/fizika/maydonli-tranzistorlar-1
   

2. 
   https://muhaz.org/maydon-tranzistorlari.html