Azərbaycan respublikasi əlyazma hüququnda

İkinci fəsildə laylı monokristalların yetişdirilmə və aşqarlama 
texnologiyası haqqında məlumatlar verilmişdir. Bircins GaS 

---

10 
monokristalları 
ərintidən istiqamətləndirilmiş kristallaşdırılma 
metodu ilə yetişdirilmiş və p-tip keçiriciliyə malik olmuşdur. GaS 
monokristalının yetişdirilməsi zamanı kükürd vakansiyalarının 
konsentrasiyasını azaltmaq məqsədi ilə stexiometrik nisbətdən artıq 
kükürddən (1,5 at. %) istifadə edilmişdir. Alınmış nümunələrin 
xüsusi müqaviməti otaq temperaturunda c oxu istiqamətində və ona 
perpendikulyar istiqamətdə uyğun olaraq 2·10
9
və 3·10
7 
Om·sm təşkil 
etmişdir. Kristalın yetişdirilməsi zamanı Yb-nin konsentrasiyası 
N
Yb
~7·10
18
sm
-3
təşkil etmişdir. Aşqarlanmamış və aşqarlanmış 
kristallarda omik kontakt kimi gümüş pastasından və indiumdan 
istifadə olunmuşdur. 
Alınmış bircins monokristalların monokristallıq dərəcəsini 
müəyyən etmək məqsədi ilə mikrostruktur və rentgenfaza analizləri 
aparılmışdır. Alınan nəticələr əsasında qəfəs parametrləri
şüalanmadan əvvəl və sonra hesablanmış və tədqiq olunan 
monokristalların bircins olduğu müəyyən edilmişdir. Nümunələrin 
Furye-İQ əksolma spektrləri FTİR Varian 3600 spektrometrində 
ν=4000-100 sm
-1
tezlik oblastında qeydə alınmışdır. Əksolma 
spektrləri φ=15
0
düşmə bucağı altında çəkilmişdir. 
İlkin və qamma kvantları ilə şüalanmış GaS və GaS:Yb 
nümunələrinin
səth relyefinin mikroskopik tədqiqatları atom-qüvvə 
mikroskopunda (AQM) aparılmışdır. Bu məqsədlə səthin ikiölçülü 
(2D) və üçölçülü (3D) AQM-təsvirləri, eləcə də üfüqi və horizontal 
istiqamətlərdə histoqramlar alınmışdır (100 x100nm). 
Nümunələr otaq temperaturunda 
60
Co mənbəyindən qamma 
kvantlarla dD
γ
/dt=15,66 rad/s doza gücü ilə şüalandırılmışdır. 
Nümunələrin şüalanma dozası 30, 50, 100, 140 və 200 krad 
olmuşdur.