Azərbaycan respublikasi əlyazma hüququnda

Üçüncü fəsildə təmiz GaS və aşqarlanmış GaS:Yb 
monokristallarının 
udulma 
zolağında 
müşahidə 
edilən 
fotokeçiriciliyin geniş şüalanma dozalarında və temperatur 
intervalında tədqiqi zamanı alınan nəticələr verilmişdir. Məlumdur 
ki, laylı kristalların qamma-kvantlarla və aşqar atomları ilə 
modifikasiyası onların elektrik, fotoelektrik və optik xassələrinin 
dəyişməsinə və bir sıra səth effektlərinin yaranmasına səbəb olur ki, 
bu da öz növbəsində həcmi proseslərin gedişatına təsir edir. Həmin 

---

11 
proseslərin spektrin görünən və ultrabənövşəyi oblastlarında
kristalların fotokeçiriciliyinə təsirinin öyrənilməsi praktiki və elmi 
cəhətdən əhəmiyyətli olduğundan, tədqiqat obyekti olaraq aşqarsız 
və aşqarlı GaS kristalı seçilmişdir.
İlkin olaraq təmiz GaS monokristalında udulma zolağında 
fotokeçiriciliyə 
xarici 
elektrik 
sahəsinin 
təsiri 
müxtəlif 
temperaturlarda tədqiq edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, spektrin 
qısa dalğa oblastında fotohəssaslığın zəif olması səthyanı oblastda 
defektlərin konsentrasiyasının yüksək (~10
17
sm
-3
) olması ilə 
bağlıdır. Səthyanı oblastda müşahidə olunan defektlər təbiətcə kation 
vakansiyaları və onların idarə olunmayan aşqar atomları ilə yaratdığı 
komplekslərdir (V
Ga
, X
i
). Bu tipli defektlər fotoyükdaşıyıcılar üçün 
rekombinasiya mərkəzi rolu oynadığından, spektrin qısadalğalı 
oblastında (0,4-0,6 mkm) fotohəssaslığın azalmasına səbəb olur. 
Səthyanı defektlərin yük halını idarə etmək məqsədi ilə tədqiq edilən 
GaS monokristalı xarici elektrik sahəsində (yüklənmiş müstəvi 
lövhələr arasında) yerləşdirilmiş və onun qiymət və istiqaməti 
lövhələrə verilən gərginliklə idarə olunmuşdur. Xarici sahənin 
qiyməti 10
3
-10
4
V/sm olmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, xarici 
sahənin müsbət istiqamətində (U
n
>0) udulma zolağında fotohəssaslıq 
artır, xarici sahə U
n
<0 olduqda isə azalır. Müşahidə olunan effektin 
mexanizmini aydınlaşdırmaq üçün energetik zolağın quruluşunu 
nəzərə alaraq demək olar: 
a) fotokeçiriciliyin spektrində enerjinin hν~2.52 eV qiymətində 
müşahidə olunan maksimum məxsusi udulma zolağında yerləşir və 
elektronların zona-zona keçidi ilə əlaqədardır;
b) ilkin və aşqarlanmış GaS:Yb kristallarında xarici elektrik 
sahəsinin 
udulma 
zolağında 
fotokeçiricilik 
spektrinin 
transformasiyası rekombinasiya mərkəzlərinə yükdaşıyıcıların 
ötürülmə tempinin dəyişməsi ilə bağlıdır. 
Müşahidə edilən effektin səth defektləri ilə əlaqəsini müəyyən 
etmək məqsədi ilə GaS və GaS:Yb kristalları γ-kvantlarla müxtəlif 
dozalarda şüalandırıldıqdan sonra xarici elekltrik sahəsinin təsiri ilə 
fotokeçiricilik spektrləri tədqiq edilmişdir. 
Xarici elektrik sahəsinin udulma zolağında müşahidə olunan 
fotokeçiricilik spektrlərinə təsiri qamma-kvantlarla şüalanmış GaS 

---

12 
nümunələrində də müşahidə olunur (şək.1). Şəkildən göründüyü 
kimi, D
γ
=50 krad dozada qamma-kvantlarla şüalanmış nümunələrdə 
U
n
>0 olduqda udulma oblastında fotohəssaslıq ilkin nümunə (əyri 1) 
ilə müqayisədə 30-40 % (şək.1, əyri 2) artır. Qeyd etmək lazımdır ki, 
(D
γ
=200 krad) dozada şüalandırıldıqdan sonra spektrin bütün 
oblastında GaS kristalının fotokeçriciliyi azalır. Spektrdə 2,62eV-da 
olan əlavə maksimum intensivliyi şüalanma dozasının artması ilə 
azalır və D≥ 200 krad dozalarda isə müşahidə olunmur (şək.1 əyri 1, 
2, 3). Bu fakt isə, həmin səviyyənin donor tipli olduğunu və 
şüalanma dozasından asılı olaraq kompensasiya dərəcəsinin 
artmasını göstərir.
2,3 
2,5 
2,7 
2,9 
hv, eV 
0,5 
1,0 
1,5 
2,0 
F
otocə
rə
ya
n, 
nisbi
va
hid
2 
1 
3 
U
n
>0 
Φ~50 krad 
Φ~0 
Φ~200 krad