Elektronika va sxemalar 2” fanidan 073-20 sirtqi gurux talabasi Mamajonov Adxamjonning

5.5 BT sodda kuchaytirgich bosqichining tok, kuchlanish va quvvat bo'yicha kuchaytirish koeffisiyentlari nimalarga bog'liq?
BT sodda kuchaytirgich bosqichining tok, kuchlanish va quvvat bo'yicha kuchaytirish koeffisiyentlari bosqichning ishlab chiqarilgan materialiga bog'liqdir. Koeffisiyentlar uning tizimi, qattiq yoki yumshoqlik, o'lchami va shakli kabi xususiyatlari bilan bog'liqdir.

2. 
   Laboratoriya
   

4.2– jadval

	0	30	60	90	120	150	180	210	240	270	300	330	360
	9.3	9.65	9.4	10	10.35	10.6	10.7	10.35	10.6	10	9.65	9.4	9.3
	2	2.5	2.85	2	1.5	1.15	2	1.5	1.15	2	2.5	2.85	2
	5	5.8	8.83	6..5	5	6.65	8.5	5	6.65	7.5	6	8.83	5

Ishchi rejimda U_SI>0, shuning uchun kanal orqali elektronlarning istokdan stokka yo‘nalgan dreyf harakati boshlanadi, ya’ni kanal orqali stok toki I_S oqadi. U_SI kuchlanish manbaining ulanishi p–n o‘tish kengligiga ham ta’sir etadi. Tranzistor umumiy istok sxemada ulanganligi uchun stok potensialini U_SI ga teng deb qabul qilamiz. Endi kanalning ixtiyoriy kesimida p–n o‘tishdagi kuchlanishlar yig‘indisi U_ZI (x)= U_ZI + U_SI (x) ga teng, ya’ni istokdan stokka ortib boradi. Natijada, p–n o‘tish kengligi ortadi, kanal kengligi esa stokka yaqinlashgan sari ponasimon ko‘rinishda kamayib boradi.

Shunday qilib, kanaldan oqayotgan tokni U_ZI va U_SI kuchlanishlarni o‘zgartirib boshqarish mumkin. Bunda U_ZI kanal ko‘ndalang kesimini, U_SI esa kanal uzunligi bo‘ylab ko‘ndalang kesim va tokni o‘zgartiradi. Istok tomonda kanal kengligi berilgan U_ZI qiymati bilan, stok tomonda esa U_ZI +U_SI kuchlanishlar yig‘indisi bilan aniqlanadi. U_SI qiymati ortishi bilan kanalning «ponasimonligi» ko‘payib, kanal qarshiligi ortadi.

a) b)
v) g)

U_ZI va U_SI kuchlanishlarning turli qiymatlarida zatvorlar orasidagi kanal ko‘ndalang kesimining o‘zgarishi.
U_ZI ning berilgan qiymatida U_SI shartni qanoatlantiruvchi U_SI.TO‘Y qiymatga ortganda, kanalning stok tomondagi ko‘ndalang kesimi nolga teng bo‘ladi. U_SI.TO‘Y kuchlanish to‘yinish kuchlanishi deb ataladi. U_ZI = 0 bo‘lgan xususiy holda U_SI.TO‘Y = U_ZI.BYeRK. Shunday qilib, U_SI =U_SI.TO‘Y bo‘lganda kanal qarshiligi eng katta qiymatga erishadi. Kanal berkilishi bilan stok toki to‘xtamaydi, balki ortishi to‘xtaydi. U_SI > U_SI.TO‘Y bo‘lganda kanalning berkilish nuqtasi stokdan istokka qarab siljiydi (2,g-rasm) va kanal uzunligi ∆L qiymatga kamayadi. Bu kanal uzunligi modulyatsiyasi hodisasi deyiladi.Kanal berkilish sohasi ∆Lda o‘tish maydoni va kuchlanish mavjud. Ushbu maydonlarning har biri berkilish sohasiga o‘tuvchi elektronlar uchun tezlatuvchi maydonni tashkil etadi va elektronlarni stokka o‘tkazadi, natijada, stok toki hosil bo‘ladi.
MTlarning ulanish sxemalari 3-rasmda ko‘rsatilgan: umumiy istok (UI), umumiy stok (US) va umumiy zatvor (UZ) ulanish. Asosiy ulanish sxemasi bo‘lib UI ulanish xizmat qiladi.


Maydoniy tranzistorda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq qilish va parametrlarini oʻlchash.
Shovqin koeffitsiyentining kichikligi kuchsiz signallarni kuchaytirishda afzallik beradi;
- termobarqaror ishchi nuqtada barqarorlik yuqori.
UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad. n – kanali p – n oʻtish bilan boshqariladigan UI ulangan kuchaytirgich kaskadning prinsipial sxemasi 6.1-rasmda keltirilgan.
Kirish signali manbai UG ajratuvchi kondensator S1 orqali, yuklama qarshiligi RS esa, kaskadning chiqishiga S2 ajratuvchi kondensator yordamida ulangan. Zatvorning umumiy shina bilan galvanik bogʻlanishi RZ≈1 MOm rezistor orqali amalga oshi-riladi. Bu galvanik aloqa zatvordagi manfiy siljituvchi kuch-lanishni hosil qilish uchun zarur.
Bunday tranzistor ishlash prinsipi kanal qarshiligini p–n oʻtishga teskari siljitish berib oʻzgartirishga asoslanadi. n– kanalli tranzistor uchun kuchlanish manbai +YEM, zatvorga esa RI dagi manfiy kuchlanish pasayishi beriladi. Bitta kuchlanish man-bai ishlatilganda zatvordagi UZI kuchlanishni sokinlik rejimida avtomatik siljituvchi RISI taʼminlaydi. UZI kuchlanish RI qar-shilik orqali IS sokinlik toki oqib oʻtishi hisobiga hosil boʻladi: UZI = - IS ·RI. Keng dinamik diapazonga ega boʻlgan kuchaytirgich ho-latida, yaʼni kirish signali amplitudasi bir necha voltni tashkil etganda, tabiiyki UZI kuchlanishning sokinlik rejimdagi qiy-mati UZI.BERK va UZI.maks (tranzistor pasport koʻrsatmalari) kuch-lanishlar yigʻindisining yarmiga, yaʼni UZI = 0,5(UZI.BERK+UZI.maks).
UZI va IS larning sokinlik rejimdagi qiymatlarini stok-zatvor xarakteristikasidan aniqlab, RIning qiymatini topish qi-yin emas.
Koʻrilayotgan sxemada RI rezistor ikkita vazifani bajaradi. Birinchidan, u sokinlik rejimida ishchi nuqta boshlangʻich hola-tini taʼminlaydi va ikkinchidan, unga yuklama toki boʻyicha (UE ulangan sxemada RE dek) ketma-ket manfiy TAni kiritadi. Bu oʻz navbatida kaskad kuchaytirish koeffitsiyentining kamayishiga olib keladi va sokinlik rejimini temperatura boʻyicha barqarorlaydi. Oʻzgaruvchan tok boʻyicha manfiy TAni yoʻqotish uchun RI rezistor SI kondensator bilan shuntlanadi.
A rejimda ishlovchi kuchaytirgichlar uchun sokinlik rejimida tranzistorning istoki va stoki orasidagi kuchlanish USI = IS·RS teng qilib olinadi. Bunda YEM = USI + IS RS + IS RI ning qiymati USI.maks (pasport koʻrsatmasi) dan ortmasligi kerak.
Katta signal rejimi uchun kuchaytirgichning statik uzatish xarakteristikalarini uchta paramertlarini IS, UZI, UKSI oʻzaro bogʻ-lovchi umumlashgan grafik sifatida ifodalash mumkin. VS264D tranzistorli kaskadning parametrlari YEM=15V, RS=2,5 kOm boʻlgan-dagi umumlashgan garfigi keltirilgan.
Bu yerda A nuqta koordinatalari bir vaqtning oʻzida barcha uchta parametrlar: chiqish toki hamda kirish va chiqish kuchlanish-larini aniqlaydi. Berilgan signal amplitudasi uchun kuchlanish boʻyicha kuchaytirish koeffitsiyentini topish mumkin.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qoʻllab ham oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda r–n oʻtish bilan boshqariluvchi MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteristikalarining barqarorligi yuqoriroq.
Kanali r–n oʻtish bilan boshqariladigan n–kanalli MTlar asosidagi DKning anʼanaviy sxemasi 6.3-rasmda keltirilgan. Tok belgilovchi BTG VT3 tranzistor bilan RI=1 kOM rezistor asosida hosil qilingan.
RSIL1=100 MOm va RSIL2=10MOm rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zat-voriga boshlangʻich siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi teskari siljitilgan r–n oʻtishning diffe-rensial qarshiligidan iborat boʻladi va 108 ÷ 1010 Om ni tashkil etadi.
Baʼzan DK kirish qarshiligini oshirish uchun n–kanalli r–n oʻtish bilan boshqariladigan MT va n–p–n tuzilmali BTlardan tashkil topgan tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. DKlar-ning barcha koʻrilgan turlari har xil OKlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi.

R1	R2	R3	R4	R o’zgaruvchan	V1 milli	V2	V3	E manba Volt
1k ohm	2k ohm	100M ohm	10M ohm	1k ohm/50%	431.9	195.3	212.8	13

Xulosa.Maydoniy tranzistotdan yasalgan barqaror tok generatori

- Maydoniy tranzistor
- Qarshilik
-Tok manbasi
- Voltmetr
- Yer
Barqaror tok generatori vazifasiIxtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma barqaror tok generatori (BTG) deb ataladi. Yuklamadan oqayotgan tokning qiymati kuchlanish manbayi, zanjir parametrlari va temperatura o‘zgarishlariga bog'liq bo'lmaydi. BTGning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o‘zgarganda chiqish toki qiymatini o‘zgarmas saqlashdan iborat bo‘lib, ular turli funksional vazifalarni bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladi.

	0	30	60	90	120	150	180	210	240	270	300	330	360
	0	8	42	53	72	84	93	125	181	262	297	320	347
	0	4	38	47	68	96	85	140	189	268	288	299	347
	0	12	45	63	78	91	95	154	197	277	298	320	358

Xarakteristika tikligi: U_SI = const bo‘lgandagi ;

Ichki (differensial) qarshilik:
U_ZI = const bo‘lgandagi ;
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyenti:
I_S = const bo‘lganda, yoki .

4) O‘rganilgan tranzistorning parametrlari

• 
  tranzistor nomi: 2N4416;
  
• 
  tranzistor turi: maydoniy tranzistor (JFET);
  
• 
  tipi: n;
  
• 
  maksimal quvvat tarqatishi (power dissipation): 0,3 Vt;
  
• 
  maksimal U_SI (Uds): 30V;
  
• 
  maksimal U_ZI(Ugs): 30V;
  
• 
  maksimal I_S(I_d): 0.03A;
  
• 
  kanal maksimal tempraturasi (Tj): 200 °C;
  
• 
  stok-istok manbasiga o‘rnatilgan maksimal qarshilik: 150 Ohm;
  
• 
  korpus turi: TO18, TO72