32
32
Agar p
-n o‗tishga to‗g‗ri kuchlanish berilgan bo‗lsa,
U
0
kuchlanish ishorasi
– musbat, teskari kuchlanish berilgan bo‗lsa esa - manfiy bo‗ladi.
U
TUG
0,1 V
bo‗lsa eksponensial songa nisbatan birni hisobga olmasa ham bo‗ladi va
kuchlanish ortishi bilan tok ham eksponensial ortib boradi. Teskari kuchlanish
berilganda esa -0,2 V kuchlanish qiymatida tok
I
0
qiymatiga yetib keladi va
keyinchalik kuchlanish qiymati o‗zgarmaydi.
I
0
kattaligi shu sababli teskari
ulangan
r-n o‘tishning to‘yinish toki deb ham ataladi.
a)
b)
13 – rasm. Diodning VAX
Teskari tok to‗g‗ri tokka nisbatan bir necha darajaga kichik, ya‘ni p
-n o‗tish
to‗g‗ri yo‗nalishda tokni yaxshi o‗tkazadi, teskari yo‗nalishda esa yomon. Demak,
p
-n o‗tish to‗g‗rilovchi harakat bilan xarakterlanadi va uni o‗zgaruvchi tokni
to‗g‗rilashda qo‗llashga imkon beradi.
Eksponensial tashkil etuvchi
kT
qU
e
/
0
temperatura ortishi bilan kamayishiga
qaramay VAX to‗g‗ri shaxobchasidagi qiyalik ortadi (13
b-rasm). Bu hodisa
I
0
ni
temperaturaga kuchli to‗g‗ri bog‗liqligi bilan tushuntiriladi. To‗g‗ri kuchlanish
berilganda temperatura ortishi bilan tok ortishiga olib keladi. Amaliyotda p
-n o‗tish
VAXga temperaturaning bog‗liqligi
kuchlanishning temperatura koeffisienti
(KTK) deb ataladigan kattalik bilan baholanadi. KTKni aniqlash uchun
temperaturani o‗zgartirib borib, o‗zgarmas tokdagi p
-n o‗tish kuchlanishini
o‗zgarishi o‗lchab boriladi. Odatda KTK manfiy ishoraga ega, ya‘ni temperatura
ortishi bilan o‗tishdagi kuchlanish kamayadi. Kremniydan yasalgan p
-n o‗tish
uchun KTK 3 mV/grad darajani tashkil etadi.
(2.6) ifoda ideallashtirilgan p
-n o‗tish VAX sini ifodalaydi. Bunday o‗tishda
p va
n-sohalarning hajmiy qarshiligi nolga teng va tok o‗tish vaqtida p
-n o‗tishda
rekombinatsiya jarayoni sodir bo‗lmaydi deb hisoblanadi. Real o‗tishda esa baza
qarshiligi o‗nlab Omga teng bo‗ladi. Shu sababli (2.6) ifodaga p
-n o‗tishdagi va
tashqi kuchlanish
U
0
orasidagi farqni hisobga oluvchi o‗zgartirish kiritiladi
kT
I
r
U
q
Б
e
I
I
/
)
(
0
0
(2.7)
Dostları ilə paylaş: