Elmi ƏSƏRLƏr fiZİka-riyaziyyat və texniKA

ƏDƏBİYYAT 

 

1.

 

 R. N. Məmmədov       Ali   riyaziyyat   kursu   III h. Maarif,  1999. 

2.

 

 O.B. Maнтуров, Н. М. Матвеев.   

 

    

ABSTRACT 

 

 

During   the   work the theory   of   dislocation   is   usedsolution   of   many  issues    of analysis   

that  is  applied   widely. 

   

Here are computed  the dislocations   of   the  functions  accordinq  to the threedesiqned   

polyus,  but   at  the same   time   the  special  point,   twodesiqned  polyus   and simple   polyus. 

 

 

РЕЗЮМЕ 

 

 

В решениях   многих вопросов анализов в широком  масщтабе  используется из теории 

выстуров. 

    

Здесь  в отнощениях   трехразработанного польюса   одновременно и специальная  

точка, двух  разработанный  польюс и простой рольное нашли свой решение в теории   

выступов. 

 

 

 

NDU-nun  Elmi  Şurasının  30  may  2015-ci  il  tarixli  qərarı  ilə  çapa  tövsiyə 

olunmuşdur  (protokol  № 10) 

         Məqaləni  çapa təqdim  etdi:  Riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru, dosent T.Nəcəfov 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

 

42 - 

 

 

NAXÇIVAN DÖVLƏT  UNİVERSİT ET İ.  ELMİ ƏSƏRLƏR,  2015,  № 9 (65) 

 

NAKHCHIVAN ST AT E UNIVERSIT Y

.

  SC IENTIFIC  WO RKS,  2015,  № 9 (65) 

 

НАХЧЫВАНСКИЙ  ГОСУДАРСТ ВЕННЫЙ  УНИВЕРСИТ ЕТ .  НАУЧНЫЕ  ТРУДЫ,  2015,  № 9 (65) 

                                                                                                     

FİZİKA 

 

                                                            ФАРМАН ГОДЖАЕВ 

 

 

 

                                        МУБАРИЗ НУРИЕВ 

 

 

 

                    Нахчыванский Государственный Университет 

 

 

 

 

 

                     САМИРА  ГОДЖАЕВА 

                                     Нахчыванский Государственный Технический Колледж

 

 

УДК:

 

538.97 

 

ЭЛЕКТРОННЫЙ  МЕХАНИЗМ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ   В ТОНКИХ 

ПОЛУМЕТАЛЛИЧЕСКИХ  И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ  ПЛЕНКАХ 

 

  

 

Açar  sözlər :  nazik təbəqə, ifratkeçiricilik, kuper cütləri, elektron mexanizmi.  

 

Key words  :   thin  layer, conductivity, Kuper pairs, Elektron mechanism 

 

Ключевые  слова  :  тонкая  пленка,  сверхпроводимость,  Куперовские  пары, 

электронный механизм.  

 

Явление  сверхпроводимости  в  тонких  полуметаллических  и    полупро-водниковых  

пленках с квантованным спектрам имеет свои специфики в массивном образце.Это связано с 

зависимостью электронной плотности состояний от  толщины пленки и с особым характером 

куперовского  спаривания. 

В  последнее  время  возрос  интерес  к  изучению  механизмов  сверхпроводимости. 

Одним  из  которых  является  электронный  механизм  сверхпроводимости  [1].  В  этой  модели 

куперовское  спаривание  возникает  благодаря  Кулоновскому  взаимодействию электронов из 

различных групп.          В массивном кристалле такой механизм связано с наличием перекры-

вающихся  зон  [2]  ,  а  в  тонких  пленках  различными  электронными  группами  являются 

перекрывающиеся  подзоны.Электронный  механизм  сверхпрово-димости  в  пленке 

полупроводника в кратце изучены в работе [3]. В [1] для выяснения электронного механизма 

сверхпроводимости  принимается  следующая  модель  тонкой  полупроводниковой    пленки. 

Имеются две группы электронных состояний, причем  минимум  энергии электронов  

.

min

.

1



  

первой  подзоны  лежит  ниже  минимума    энергии   

.

min

.

2



    второй подзоны. Предполагается, 

что  химический  потенциал  для  второй    подзоны  меньше  нуля   





0

2





  и      следовательно 

электроны второй подзоны описываются распределением Больцмана. 

В  первой  подзоне  между  электронами  возникает  дополнительное  взаимодействие, 

которое  обусловлено  Кулоновским  взаимодействием  электронов  первой  и второй подзоны, 

т.с.  в  результате  купоновского  рассеяния  на  некотором  электроне  первой  группы,  электрон 

из  второй  подзоны  совершает  виртуальный  переход  в  возбужденное  состояние  ;  обратный 

переход его сопровождается изменением состояния другого электрона из первой подзоны. 

В  отлтчие  от  обычного  случая  в  электронном  механизме,  постоянная,  описывающая 

эффект  межэлектронного  взаимодействия,  является  функйией  температуры.  Это  связано  с 

температурной зависимостью поляризационного оператора. 

Авторы  работы [1]  дают два значения температуры перехода ; верхний 

кв

T   и нижний 

.

кн

T

,  тоесть  эффект  сушествует  в  интервале  температур 

н

к

в

к

Т

Т

T









.  Ниже 

.

кн

T   

сверхпроводимость  отсутствует  и обусловлено температурной зависимостью  заселенностей 

-

 

43 - 

 

первой и второй подзоны. При условии  

.

0

ин

T

T





  электроны первой группы описываются  

статистикой  Больцмана,  слабо  взаимодействуют  между  собой  и  не  образуют  связанного 

состояния.  

В пленке полупроводника появление 

.

кн

T  более детально обсиждается в работе [4]. 

В  случае  полуметалла  или  вырожденного  полупроводника  электронная  система 

вырождена в обеих подзонах. В отличие от невырожденного случая здесь возможен  переход 

пар из одной подзоны в другую. Вражение для температуры перехода в данном случае имеет 

вид: 































12

11

2

2

exp

g

g

m

L

E

T

L

c

к



 

 

(1) 

где  

k

T

T









|

1

2



 ;  

1



 и  

2



  - есть собственно энергетических часть ;  

11

g - постоянная связи 

внутри  первой подзоны ; 

12

g - постоянная связи первой  и  второй  подзоны ; 

c

E



- среднее  

значение интервала энергии, описывающее выртуалные электронные переходы. 

 

Как  видно  из  формулы  (1)   

к

T     увеличивается  с  уменьшением  толщины пленки. Это 

связено  с  зависимостью  от   

L

    плотности  состояний  и  кроме  того,  сами  постоянные 

входящие  в формулу,  зависят от 

L

,  что  также приводит к росту  

к

T  с уменьшением 

L

. 

 

В  работе    [  5]    автор  после  расчетов  пришел  к  выводу,  что  для  обнаружения 

электронного  механизма  сверхпроводимости  целесообразно  использовать  уже  известные 

упорядоченные  сплавы  с  достаточно  высокой 





K

T

к

18

10



    и  непольным  изотопическим  

эффектом. 

 

Можно    предпологать  что,  эти  два  обстаятельства  указывают  на    наличие  наряду  с 

фононым  и  электронный  механизм.  Изменяя    концентрацию  компонентсплавав  в  тонких 

плёнках,  или  давление,  можно  повидимому  добиться  увеличения  постоянной 

взаимодействия  для  электронного    механизма  и  следовательно  увеличить    температуру 

перехода.  Подробный  анализ  теории  и  эксперимента 

к

T   сверхпроводимости  в  тонких 

пленках приводится в работах  [6,7,8]. 

 

Увеличение  

к

T   в настоящего время, в основном наблюдалась на мелкозернистных и 

аморфных  пленках различных веществ. 

 

В  заключение  можно  сказать,  что  при  обычном    фононном    механизме  переход  от 

массивного  образца  к  пленке  приводит,  вообще  говаря  к  монотонному  росту  критической 

температуры. 

 

Согласно  теории  в  случае  существования  электронного  механизма  температура 

перехода  также  должна  увеличиваться.  В  месте  с  тем  возможен  и  такой  случай,  когда 

массивный 

несверхпроводник 

в 

пленочном  состоякию    будет  обнаруживать  

сверхпроводимость.  Рассмотриваемый  электронный  механизм  приводит  к  отсутствию 

изотопического  эффекта,  а  в  сочетании  с  фононным  механизмам  –  к  зависимости  его  от 

толщины пленки. 

 

Следует  также  отметит,  что  ни    одна  из  предложенных  к  настоящему  времени 

моделей  сверхпроводимости  не  получила  однозначного  потверждения.  С  другой  сторону 

устоновлено,  что  увеличение  критическое температуры обусловлено в большинство случаев 

структурным  беспорядком  в  пленках,  которое  приводят  к  высокой  плотиности  дефектов 

решетки,  большим  внутренным  напражением 





2

10

/

.

10

~

см

дн

    и  значительным  искажением 

решетки. 

 

ЛИТЕРАТУРА 

 

1.Кресин В.З., Тавгер Б.А., ЖЭТФ, 1966,т.50, с.1689. 

 

2.Гейликман Б.Т., ЖЭТФ, 1965, т.48, с.1194. 

-

 

44 - 

 

 

3.Киржинц Д.А.,Максимов Е.Г., Письма в ЖЭТФ, 1965,т.2, с.442. 

 

4. Tavger  B.A.,Kogan  W., Phys  Lett 1965, 19, c.353. 

 

5. Гейликман Б.Т., ФТТ, 1966, т.8, с.2536 ; 1967,9(11), с.3359 

 

6. Алиев Ф.Ю., Годжаев Ф.Р., Керимов и.Г., Крупников Е.С. 

              Отчет по исследованию сверхпроводимости в пленках полупро- 

              водников за 1966- 1970 г.г. Институт физики АН Азерб.ССр. 

 

7. Чопра К.Л.,Электрические явления в тонких пленках. М., 1972. 

 

8. Алекссевский Н.Е.,  УФН, 1968,т.95(2),с.253. 

 

 

XÜLASƏ 

 

Yarımmetal  və yarımkeçirici  nazik  təbəqələrdə  ifratkeçiriciliyin 

elektron mexanizmi 

 

İşdə  nazik  təbəqələrdə  ifratkeçiriciliyin  elektron  modeli  geniş  şərh  edilmişdir.  Müəyyən 

edilmişdir  ki,  bu  modeldə  Kuper  cütlərinin  yaranması  müxtəlif  qruplardan  olan  elektronların  Kulon 

qarşılıqlı  təsiri  hesabına  baş verir. 

 

 

 

 

ABSTRACT 

 

 

 

The  electron mechanism  of extreme conductivity  in half-  metallic 

and  semiconductor  thin  layers 

 

In  study,  thin  layers  the  electron  model  of  extreme  conductivity  has  been  interpreted  widely. 

It  was  found  that  in  this  model  the  formation  of  cooper  pairs  occurs  due  to  the  coulomb  interaction 

electrons  from  different  groups. 

 

 

 

NDU-nun  Elmi  Şurasının  30  may  2015-ci  il  tarixli  qərarı  ilə  çapa  tövsiyə 

olunmuşdur  (protokol  № 10) 

         Məqaləni  çapa təqdim  etdi:  Fizika üzrə fəlsəfə doktoru, dosent  X. Həsənov

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

 

 

 

-

 

45 - 

 

 

NAXÇIVAN DÖVLƏT  UNİVERSİT ET İ.  ELMİ ƏSƏRLƏR,  2015,  № 9 (65) 

 

NAKHCHIVAN ST AT E UNIVERSIT Y

.

  SC IENTIFIC  WO RKS,  2015,  № 9 (65) 

 

НАХЧЫВАНСКИЙ  ГОСУДАРСТ ВЕННЫЙ  УНИВЕРСИТ ЕТ .  НАУЧНЫЕ  ТРУДЫ,  2015,  № 9 (65) 

                           

ŞƏMSƏDDİN KAZIMOV 

FAİQ  MİRİŞLİ 

VALİDƏ HACIYEVA 

SEVİNC NOVRUZOVA 

Naxçıvan Dövlət Universiteti 

UOT:532 

 

FOTOELEKTRİK  ÜSÜLLA  ENERJİ ÇEVİRƏN GÜNƏŞ QURĞULARI 

 

Açar  sözlər: Günəş, enerji, çevirici, fotoelektrik 

Key words:    Sun, energy, changer,  photovoltaic 

Ключевые слова:  Солнце, энергия,преобразование, фотоэлектрик 

          

 Muxtar  respublikada  il  ərzində  aparılan  tədqiqat   işləri  göstərdi  ki,  təbii  iqlim  şəraitindən 

istifadə  etməklə  alternativ  yolla  dayanıqlı  enerji  təminatı  yaratmaq  mümkündür.  Əldə olunan 

statistik  və təcrübi  məlumatların  araşdırılması  göstərdi  ki,  muxtar  respublika  ərazisində  günəş 

enerjisindən  istifadə  olunması  iqtisadi  cəhətdən  əlverişlidir.   

   

Yer kürəsinin  səthinə  düşən  enerjisinin  ümumi  potensialı  2300 mlrd.  ton şərti  yanacaq 

qədərdir  və bu enerji  mənbəyinin  imkanlarından  lazımınca  istifadə  edilmir.  Aparılmış  tətqiqatlardan 

alınan  nəticələr  göstərdi  ki, il  üzrə  ümumi  günəş  radioasiyasının  miqdarı  2600-3200 saat/il  olduqda 

günəş  elektrik  stansiyaları  il  ərzində  8 

.

10 

6

 kVt saat elektrik   enerjisi  hasil  edir  ki  , bu da modul  tipli   

istilik  elektrik  stansiyalarında  2 

.

10

6

 kq şərti  yanacağa  qənaət etməyə  imkan  verir  . Bu halda  günəş 

elektrik  stansiyalarinın  xüsusi  sərfiyatı  kifayət  qədər kiçik  olur  , yəni  15% təşkil  edir.   

        Naxçıvan  MR bu istiqamətdə  işlərin  görülməsi  və inkişafı  üçün  böyük   potensiala  malikdir. 

Aparılan  tətqiqatlar  nəticəsində  müəyyən  olunmuşdur  ki,  respublikanın  bir çox  bölgələrində  il 

ərzində  günəşli  günlərin  sayı  250  gündən  çoxdur.  Belə  ki,  burada günəşli  günlərin  sayı  3200 saata , 

orta dağlıq  qurşaqda  isə miqdarı  2800 saatdır.   

 Göründüyü  kimi  respublikanın  ərazisinə  düşən  günəş  şüalarının  miqdarı  digər  dövlətlərlə 

müqayisədə  üstünlük  təşkil  edir  ki,  bu da ölkəmizdə  günəş  enerjisindən  istifadənin  təşkilinə  geniş 

şərait  yaradır  və səmərilik  meyarlarından  biri  kimi  qiymətləndirilir  . 

Günəşin  şüalanma  enerjisini  birbaşa  elektrik  enerjisinə  çevirən  qurğular  içərisində  fotoelektrik 

generatorları  xüsusi  əhəmiyyət  kəsb edir. 

      

Hazırda  dünyada  fəaliyyət  göstərən  günəş  elektrik   stansiyalarının  iki  növü  daha geniş 

yayılmışdır. 

1. Qülləli:  Belə  stansiyalarda  günəş  şüaları  əks etdirici  müstəvi  güzgülər  vasitəsilə  qüllədə 

yerləşdirilmiş  günəş  qəbul  edicisinə  yönəldirilir. 

2. Fotoelektrik  günəş  elektrik  stansiyaları: 

    Fotoelektrik  çeviricilərin  iş prinsipi  fotoelektrik  hadisəsinə  yəni  elektromaqnit  şüaların  işığın  təsiri  ilə 

maddələrdə  baş verən elektrik  hadisəsinə  əsaslanır.  Metal  və qeyri-metallarda  fotoelektrik  hadisəsi 

zamanı  işığın  təsiri  ilə  elektronun  mühit  daxilindən  kənara çıxması  xarici  yarımkeçiricilərdə  isə daxili  və 

ventil   fotoelektrik  hadisəsi  yaradır. 

      Xarici  fotoeffektə  (fotoelektron  emmissiyasına),  yəni  işığın  təsiri  ilə  bərk və maye maddələrdən 

elektronların  çıxarılması  hadisəsinə  əsaslanan  fotoelektrik  çeviricilərinin  f.i.ə. çox aşağı  olduğundan 

demək  olarki,  hazırda  onlardan  elektrik  enerjisi  hasil  etmək üçün  istifadə  edilmir. 

        

Elektromaqnit  şüalanmanın  - işığın  təsiri  ilə  yarımkeçiricilərdə  və dielektriklərdə  elektronun 

bağlı  haldan  kvazisərbəst  hala keçməsi  ilə  əlaqədar olaraq  fotoelektrik  hadisəsi  daxili  fotoeffekt  adlanır. 

Daxili  fotoeffekt  mühitdə  fotokeçiricilik  və ya ventil  effekti  yarandıqda   baş verir. 

-

 

46 - 

 

Hal-hazırda  iki  p və n tip  yarimkeçiricilərdə  ( p-n keçiddə  ) yaranan foto  e.h.q. geniş  praktiki 

əhəmiyyətə  malikdir.  Beləki,  bağlı  təbəqədə  fotoeffektə  əsaslanan fotoelementlər  günəş batereyasında 

tətbiq  edilir. 

     

Günəş  batareyalarında  günəşin  şüalanma  enerjisi  elektrik  enerjisinə  çevrilir  . Onun  enerji 

xarakteristikası  yarımkeçirici  materialın  növü,    günəş  batareyasıının  konstruksiyası  və ondakı 

elementlərin  sayından  asılıdır. 

     

 Fotoelektrik  günəş elektrik  stansiyaları  modul  tipli  hazırlanır  və günəş  elementlərindən  ibarət 

modullar  panelə  yığılır.  Modulların  sayını  artırmaqla  istənilən  gücü  yaratmaq  mümkündür. 

     

Fotoelektrik  günəş elektrik  stansiyalarında  gərginliyin  və cərəyanın  qiyməti  onlardakı  elementin 

birləşmə  üsullarından  asılıdır.  Belə ki,  verilən  cərəyana görə çıxış  gərginliyini  artırmaq  lazım  gəldikdə 

günəş  elementləri  ardıcıl  , verilən  gərginliyə  görə  ardəcil  tələb  olunan  cərəyan üçün  isə paralel 

birləşdirilir. 

    

Hazırda  fəaliyyət  göstərən  günəş elektrik  stansiyalarını  iki  tipə  ayırmaq  olar : 

         1) Elektrik  şəbəkəsinə  qoşulanlar, 

         2) Avtonom  fəaliyyət  göstərənlər. 

   Fotoelektrik  günəş  elektrik  stansiyaları  bir  sıra üstün  cəhətləri  ilə  fərqlənir  : 

         1) Elektrik  enerjisi  istehsalı  zamanı  ətraf mühit  çirklənmir  ; 

         2) Günəş  şüalanma  enerjisinin  bierbaşa elektrik  enerjisinə  çevrilməsi  (hərəkət edən mexaniki 

hissələrinin  olmaması  fotoelementlərin  etibarlı  işini  təmin  edir) ; 

         3) Fotoelektrik  çevricilərinə  qulluq  edilməsinin  asan olması  ; 

         4) İstər düz,  istərsə də müəyyən  bucaq  altında  düşən  səpələnmiş  günəş  şüalarından  istifadənin 

mümkünlüyü  və s.  

    

Həm qülləli,  həm də fotoelektrik  GES-də  ekeoloji  baxımdan  təmiz  enerji  hasil  edilsə  də, 

yerləşdiyi  ərazinin  coğrafi  enliyindən  və ilin  fəsillərindən  asılı  olaraq  günəş  şüalarının  sıxlığının 

müxtəlif  olması  ,sutka  ərzindəki  vaxtından  və hava şəraitindən  (axşam vaxtlarında  və tutqun 

havalarda)asılı  olaraq  işində  fasiləlik,xüsusi  kapital  qoyuluşun  (GES-in  qoyuluş  gücünun  hər 1 Vt-na 

sərf edilən  kapital  qoyuluşu)çox  olması,hasil  edilən  enerjinin  maya dəyərinin  yüksək  olması  və s. GES-

lərin  çatışmayan  cəhətlərindəndir. 

ƏDƏBİYYAT 

1.Рывкин  С.М.Фотозлектрические  явлентя  в полупроводникиках   Физматгэ,1993 

2.Мак-Бейг  Д.Применние  солнечной  энергии.Под  редакцией  Б.В Тарниженского-  Москва,1981 

3. В.М.Андрев,В.А.Грилихес,В.А.Румянчев.Фото  – Электрическое  преобразование 

кончентрированного  солнечного  излучения.Л.Наука  1989. 

4.Термодинамические  солнечнъıе  электростанчии.  Сборник  научнъх  трудов.  Москва 1989. 

5.в.м.андреев,  в. А.грилихес,в.   Д.румянцев   фото-  электрическое   преобразование   солнечного 

излучения 

ABSTRACT 

 

Photovoltaic method that converts the solar energy devices  

Solar  radiation  energy photovoltaic  method  to convert  into  electricity 

 

РЕЗЮМЕ 

 

Установки солнечной энергии превративший фотоэлектрическим способом 

Преобразование  установок  солнечной  энергии  электрической  энергии  в методом 

фотоэлектрическим  способом. 

 

 

NDU-nun  Elmi  Şurasının  30  may  2015-ci  il  tarixli  qərarı  ilə  çapa  tövsiyə 

olunmuşdur  (protokol  № 10) 

         Məqaləni  çapa təqdim  etdi:  Fizika üzrə fəlsəfə doktoru, dosent  E.Ağayev 

 

 

 

-

 

47 - 

 

 

 

 

NAXÇIVAN DÖVLƏT  UNİVERSİT ET İ.  ELMİ ƏSƏRLƏR,  2015,  № 9 (65) 

 

NAKHCHIVAN ST AT E UNIVERSIT Y

.

  SC IENTIFIC  WO RKS,  2015,  № 9 (65) 

 

НАХЧЫВАНСКИЙ  ГОСУДАРСТ ВЕННЫЙ  УНИВЕРСИТ ЕТ .  НАУЧНЫЕ  ТРУДЫ,  2015,  № 9 (65) 

                           

                                                                                                               XANƏLİ  HƏSƏNOV 

Naxçıvan Dövlət Universiteti 

UOT  621.315 

 

XARİCİ  ELEKTROMAQNİT  SAHƏSİNDƏ QIRAQ  YÜKLÜ  DİSLOKASİYALI 

YARIMKEÇİRİCİLƏRDƏ  DEŞİKLƏRİN TEMPERATURUNUN  TƏDQİQİ 

 

Açar  sözlər: deşik, yarımkeçirici, dislokasiya, rekombinasiya