Ii bob. Yarimo'tkazgichlarda kontakt hodisalar

0
To'g'ri siljitilganda !>>1 , shuning uchun

kT

RDIF = lq.


(2.13)

(2.13 a)

p-n o'tishga to'g'ri kuchlanish berilganda RntF qiymati kichik va kuchlanish ortishi bilan kamayadi, teskari siljitilganda esa juda yuqori bo'ladi.
p-n o'tish sig'imi. p-n o'tishdagi qo'sh elektr qatlam - barer sig'imini, p- va n- sohalardagi nomuvozanat noasosiy zaryad tashuvchilar - diffuziya sig'imini vujudga keltiradi.
Statik rejimda yoki past chastotali kuchlanish ta'sir etganda p-n o'tishdagi tok va kuchlanish orasidagi bog'liqlik 2.10 munosabat bilan ifodalanadi. Dinamik rejimda barer va diffuziya sig'imlari mavjudligi tufayli (2. IO)dan foydalanib bo'lmaydi.
Past chastotalarda p-n o'tish toki elektron-kovak o'tishning hamda yarimo'tkazgich p- va n- sohalarining aktiv qarshiligi (1) bilan aniqlanadi. Yuqori chastotalarda p-n o'tishning inersiyadorligi uning sig'imi bilan belgilanadi.
p-n o'tish to'g'ri ulanganda chegaradosh sohalarga noasosiy zaryad tashuvchilar injeksiyalanadi. Buning natijasida p-n o'tish chegaralari yaqinidagi yupqa qatlamlarda qiymatlari bir-biriga teng qarama-qarshi ishorali nomuvozanat noasosiy zaryad tashuvchilar QDIF to'planadilar. Kuchlanish qiymati o'zgarganda injeksiyalangan zaryad tashuvchilar soni, zaryad miqdori o'zgaradi. Zaryadlarning kuchlanish ta'sirida bunday o'zgarishi kondensator qoplamalarida zaryadning o'zgarishiga o'xshaydi. Noasosiy zaryad tashuvchilar bazaga diffuziya hisobiga kelgani sababli bu sig'im dij]itziya sig'im deb ataladi va quyidagi formulaga binoan hisoblanadi:

C = qlr
D/F kT.

(2.14)

To'g'ri tok qiymati va zaryad tashuvchilarning bazada yashash vaqti ortishi bilan diffuziya sig'im ortadi. p-n o'tish teskari siljitilishi bilan CDJF=O bo'ladi. Diffuziya sig'imning kuchlanish bilan o'zgarishi

p-n o'tish VAX to'g'ri shaxobchasi biIan o'xshashligi (2.14)dan ko'rinib turibdi. Chastota ortishi bilan diffuziya sig'im kamayadi.
Elektron-kovak o'tish qo'sh elektr qatlamni tashkil etadi va zaryadlangan kondensatorga o'xshaydi. p-n o'tish sig'imi o'tish yuzasi C, uning kengligi va yarimo'tkazgichning dielektrik doimiysi i; bilan aniqlanadi. U barer sig'im deb ataladi va quyidagi ifoda bilan aniqlanadi:

c
110
::: s
(2.15)

p-n o'tishga kuchlanish berilganda uning qalinligi o'zgargani sababli sig'imi ham o'zgaradi. Sig'imning kuchlanish qiymatiga bog'liqligi quyidagicha bo'ladi:

C = C I UK
H HO uI·,' ±u ·


(2.16)

Bu ifodada p-n o'tish to'g'ri ulanganda ishora manfiy, teskari ulanganda esa - musbat olinadi. Barer sig'im C₈ p-n o'tishga berilgan kuchlanish qiymatiga bog'liq bo'lgani sababli, undan o'zgaruvchan
sig'imli kondensator sifatida foydalanish mumkin.
To'g'ri siljitilganda diffuziya sig'im barer sig'imdan ancha katta qiymatga ega, teskari siljitilganda esa - aksincha bo'ladi. Shu sababli to'g'ri siljitilganda p-n o'tishning inersiyadorligi diffuziya sig'imi bilan, teskari siljitilganda esa - barer sig'imi bilan aniqlanadi.
Barer sig'im chastotaga bog'liq emas. p-n o'tishning volt-farad xarakteristikasi 2.8-rasmda keltirilgan.
Elektron asboblarni ishlatishda, baholashda va loyihalashda modellashtirishdan keng foydalaniladi. Xususan, (2. I 0) munosabat statik rejimda p-n o'tishning analitik modelini, VAX esa (2.5-rasmga qarang) - grafik modelini tasvirlaydi
Dinamik rejimda p-n o'tishning xususiyatlarini ifodalash uchun ham qator modellardan, xususan, dinamik VAX lardan foydalaniladi. Sig'imlar ta'sirini e'tiborga olgan holda ushbu model chegarasida p-n o'tish tokini quyidagi ifodadan topish mumkin

Ci;. 11F 30