Йарымкечириъи диодларын тяснифаты

Təsnifatı
İdarəetmə üsuluna görə :

1. 
   natamam idarə edilən tiristorlar – tiristor idarəetmə cərəyanı ilə işə qoşulur, anod gərginliyinin sıfra enməsi ilə işdən ayrılır. (asimmetrik tiristorlar SCR, simistor, fototiristor, optotiristor) . Bu tiristorlar tənzimlənən elektrik intiqallarında və asinxron elektrik mühərriklərinin səlis işə qoşulmasında geniş tətbiq edilir.
   
2. 
   tam idarə edilən tiristorlar – tiristor idarəetmə cərəyanı ilə həm işə qoşulur, həm də işdən ayrılır. (GTO-, GTC-, İGTC-, MCT- tiristorlar) .
   

GTO – ingiliscə :gate turn-off thyristor. Tərcümədə mənası idarəetmə ilə (süni kommutasiya) həm açılan, həm də bağlanan tiristor deməkdir.
GCT – ingiliscə : gate commutated thyristor. Tərcümədə mənası idarəetmə ilə (süni kommutasiya) kommutasiya edilən deməkdir.
IGCT – ingiliscə integrated gate commutated thyristor. Tərcümədə mənası idarəetmə ilə kommutasiya edilən ineqrasiya edilmiş tiristor deməkdir.
MCT – ingiliscə control thyristor. Tərcümədə mənası metal-oksid – yarımkeçirici (MOY. İngiliscə MOS- metal-oxide-semiconductor) ilə idarə edilən tiristor deməkdir . Bu tiristorların tam idarəedilməsinin mümkünlüyi onların dəyişən cərəyan tənzimlənən elektrik inti qallarında , elektrik altstansiyaların böyük güclü qidalanma bloklarında , statik kompensatorlarda tətbiqinə imkan verir.



Tiristorların statik xarakteristikaları.
İdeal çıxış VAX
İdeal halda tiristor elektron açar kimi ani olaraq açılır və yalnız bir istiqamətdə cərəyanı buraxır.Bağlı halda isə o, hən düz , həm də əks gərginliyin kifayət qədər artımlarına dözümlüdür.
Real VAX
Tiristorun real VAX-ı idarəetmə cərəyanı ilə formasını dəyişən bir p-n keçidli yarımkeçiricinin xarakteristikasıdır. Düz gərginliyin hədd qiyməti idarəetmə cərəyanının I_G=0 qiyməti ilə müəyyən edilir. I_G qiyməti artdıqca
tiristporun açılma gərginliyi də azalır. Xarakteristikanın 1 ilə işarə edilən hissəsi tiristorun bağlı, 2 ilə işarə edilən hissəsi tiristorun açılan, 3 ilə işarə edilən hissəsi tiristorun açıq, 4 ilə işarə edilən hissəsi tiristorun əks anod gərginliyi altında bağlı
, 5 ilə işarə edilən hissəsi tiristorun butaxıla bilən əks anod gərginliyindən böyük qiymətlərində deşilmiş halını bildirir.




VS ilə işarə edilmiş tiristorun idarəetmə dövrəsinin müqaviməti R_G , idarəetmə dövrəsinə verilən impuls E_G , impulsun davametmə müddəti t_i , periodu T ilə işarə edilmişdir. R_G idarəetmə impuls cərəyanın qiymətini məhdudlaşdırmaq üçündür.
U_G=f(I_G )xarakteristikası idarəetmə dövrəsinin VAX-dır.
Idarəetmə dövrəsi müqavimətinin R_Gmax və R_Gmin qiymətlərini müəyyən əyrilər ilə bu dövrənin dayanıqlı sahəsi əhatə edilmişdir.

Damalanmış 1 sahəsinə düşən idarəetmə gərginliyi və cərəyanında tiristor minimal anod gərginliyi ilə açıla bilməyərək bağlı halda qalır. 2 ilə işarə edilmiş hiperbolalar nisbi idarəetmə cərəyanının müxtəlif qiymətlərinə (A= (t_i /T)100%) uyğun xarakteristilardır və onların hər birində idarəetmə gücünün orta qiyməti sabitdir. Bu diaqramlardan idarəetmə dövrəsinin bir- birlərini qarşılıqlı olaraq müəyyən parametrləri seçilir.

İdarəetmə dövrəsinin gərginliklər balans tənliyi seçilmiş parametrlərə görə ödənməlidir:
E_G=U_G+ R_GI_G