Microsoft Word Materiallar Full

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

60 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

Elektronların yürüklüyünün kiçik olduğu hallarda təcrübi olaraq təyin olunan 

е=LT indiki halda mümkün deyil. 

Onun hesablanması üçün 

0

L

L

(L- Zommerfeld ədədi, L0- Lorens ədədinin təcrübi qiyməti) kəmiyyətini bilmək vacibdir. 

Aparılan təcrübələr əsasında alınan 

ph, 0 və -nın təcrübi qiymətləri əsasında Z və  hesablanmışdır. Ag2Se kristalında 

-nın ekstremumunun tədqiqi göstərdi ki, elektron istilikkeçirməsinin ümumi istilikkeçirmənin 20%-ni təşkil etdiyi 

konsentrasiyanın 

9,11018sm-3 qiymətində   maksimal qiymətə çatır. Göstərilmişdir ki, 0 və  -nın artması, həmçinin 

tot-ın azalması güc əmsalının 





2

0

 və termoelektrik möhkəmliyinin Z artmasına gətirir. Legirləmə 





2

0

 və Z-in 

qiymətlərini çox az dəyişir, belə ki, Ag və Se-lə öz-özünə legirləmə Z-in qiymətinə cox ciddi təsir edir, şübhəsiz ki, bu 

məxsusi defektlərin sayının dəyişməsi ilə əlaqədardır. 

Hesablamalar göstərmişdir ki, Т

300К-də  konsentrasiyanın n7,11018см-3 qiymətində  və 0-ın yüksək qiyməti 

hesabına güc əmsalı 





2

0

 maksimal qiymət alır. Baxmayaraq ki, 100

300К temperatur intervalında temperaturun artması 

ilə 

 azalır,  0 isə artır. Gostərilən intervalda bütün nümunələrdə elektronların konsentrasiyası praktik olaraq dəyişmir. 

Deməli, 

-nın azalması yalnız temperaturun artması ilə elektronların yürüklüyünün Un azalması  səbəbindəndir. Un –in 

azalması (Un

T-1,2 qanunu ilə) isə elektronların qəfəsin istilik rəqslərindən və defektlərdən səpilməsi ilə  əlaqədardır. 

Defektlərin rolunu əlavə Se və Ag atomlarının vakansiyaları oynayır. Nəyə görə Se əlavəsi Ag əlavəsinə nisbətən 

(RAg=1,13

A

) daha böyük ekranlama radiusu (RSe=1,93 

A

) yaradır. Eyni zamanda fonon-fonon və fonon-defekt 

səpilmələrinin azalması hesabınadır (

phТ-1,3 ). Se və Ag əlavələri  ph–nu n tərtib azaldır. (phТ-n). Ona görə  də 





2

0

 və Z-in temperatur artdıqca artması yalnız 

0 (Т)-nin xətti artmasına gətirir..   

Ədəbiyyatdan məlumdur ki, 

VI

B

A

'

2

 birləşmələrinin şüalanmasında radiasiyanın yaratdığı  defektlər az olduğuna görə 

onların kinetik xassələrə təsiri cüzidir. Alınan nəticələr göstərir ki, 

41018 neytron

sm2 şüalanması ilkin (şüalanmaya 

qədər olan) nəticələrdən o qədər də fərqlənmir. Böyük plastiklik və yüksək mexaniki möhkəmlik, stabil kinetik xassələr və 

radiasiyaya davamlılıq imkan verir ki Ag2Se kristalından nüvə termoelektrik qurğularında perspektiv material kimi istifadə 

edək.