Microsoft Word Materiallar Full



Yüklə 18,89 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə113/1149
tarix30.12.2021
ölçüsü18,89 Mb.
#20088
1   ...   109   110   111   112   113   114   115   116   ...   1149
 

 

 


II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

48 


 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

S

Nd

Sn

x

x

1



 MONOKRİSTALLARININ TERMOELEKTRİK XASSƏLƏRİ 

X.A. ADGÖZƏLOVA, Kəmalə ƏHMƏDOVA 

Aərbaycan Dövlət Pedoqoji Universiteti 



ehmedova_k@mail.ru 

AZƏRBAYCAN 

 

Məlumdur ki, A



IV

B

VI

 qrup birləşmələrinin xalkogenedləri öz fiziki və fiziki-kimyəvi xassələrinə görə bir-birindən 

fərqlənirlər və yüksək tərtibdən defektli quruluşa malik olduqlarından onlara müxtəlif növ aşqar atomları daxil etməklə 

məqsədə uyğun şəkildə tənzimləmək mümkündür. SnS kristalı özünə məxsus spesefik fiziki xassəyə malikdir, optik xassəli 

birləşmədir və NTM sırasından olan Nd elementi aktiv metallar sırasına daxildir. Məlumdur ki, NTM atomları daxili 

elektron qurluşunun 4f səviyyəsində mütəhərrik elektronların olduğundan asanliqla f-d-s keçidi baş  verir.  Bu  səbəbdən 

lantanoidlərin iştirakı ilə alınmış materiallar maraqlı xassələrə malik materiallar olub, lantanoid atomlarında dərində 

yerləşən 4f elektron səviyyəsinin olması, 

14

7

0



4

,

4



,

4

f



f

f

 dayanıqlı energetik səviyyələrin olması bu materialları maraqlı 

tədqiqat obyektinə çevirir. 

Yarımkeçirici materiallarda baş verən  əsas proseslərin təbiətini izah etmək üçün onların kristal quruluşunu, elektro-

fiziki və optik xassələrini tədqiq etmək zəruridir. Fiziki xassələrində güclü anizotropluq müşahidə olunan monosulfid qalay 

laylı quruluşa malik olub, yüksək konsentrasiyalı vakant quruluşla xarakterikdir. Monokristalalrda vakansiyalarla şərtlənən 

defektlər onlarda maraqlı proseslərin yaranmasında əsas rol oynayır. 

Tədqiqat işində 



02



.

0

;



01

,

0



1



x

S

Nd

Sn

x

x

 monokristalları sintez edilmiş, kompleks fiziki-kimyəvi analiz (mikro-

quruluş, differensialtermik analiz (DTA) rentgen faza analiz) aparılmışdır.  



02

.

0



;

01

,



0

1





x

S

Nd

Sn

x

x

 monokristalları Bricmen metodu ilə yetişdirilmiş və alınan nümunələrin laueqrammaları, 

difraktoqrammaları çəkilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki



02

.

0



;

01

,



0

1





x

S

Nd

Sn

x

x

 monokristalları başlanğıc nümunə 



SnS kimi ortorombik sinqoniyada kristallaşır. 

Elektikkeçiriciliyin temperatur asılılığı 100-700K temperatur intervalında (10

-3

 mm c.st.) vakuumda tədqiq olunmuş və 



bu monokristallarda anizotropluq müşahidə olunmuşdur. Müəyyən olunmuşdur ki, elektrikkeçiricilik c oxu istiqamətində c 

oxuna perpendikulyar istiqamətinə  nəzərən 6 dəfə azdır. Eksperiment göstərmişdir ki, aşağı temperaturlarda (300K kimi) 

elektrikeçiricilik temperaturdan zəif asılı olur. Bu oblastda Nd faizlə artımı elektrikkeçiriciliyin azalmasına səbəb olur. Bu 

onunla izah olunur ki, aşqarlanmış  SnS monokristalı (vakant struktura) p-tip keçiriciliyə 



3



16

10





sm

p

 malikdir  ki, 

aşqarların konsentrasiyasının artması (0,2%) deşiklərin  Nd-la tutulmasına, başqa sözlə elektrikkeçiriciliyin azalmasına 

gətirir. 



02



.

0

;



01

,

0



1



x

S

Nd

Sn

x

x

 

monokristallarında elektrikkeçiriciliyin temperatur asılılığını yüklərin müxtəlif daşınma 



mexanizminə uyğun olaraq 3 hissəyə bölmək olar:  

1. 


K

300

 temperaturlarda elektrikkeçiricilik aşqar keçiricilik olub, Fermi səviyyəsi yaxınlığında lokallaşmış 



səviyyədən keçirici zonada olan lokallaşmamış  səviyyəyə yükdaşıyıcılaırn temik həyəcanlanması  nəticəsində keçməsilə 

yaranır. 

2. 

K

T

K

400


300



 temperatur  intervalında bütün aşqarlar ionlaşmışdır və yükdaşıyıcıların konsentrasiyaı 

temperaturdan asılı olmur. Bu temperatur oblastı  aşqarların tükənmə oblastı adlanır. Bu oblastda əsas yükdaşıyıcıların 

konsentrasiyası sabit qalır və elektrik keçiricilik yürüklüyün temperaturdan asılı olaraq dəyişməsi hesabına dəyişir. 

3. 


K

400

 temperaturda keçiricilik 



eV

E

2

,



1

 aktivləşmə enerjisilə xarakterizə olunur. Bu oblastda elektrikeçiri-



cilik yükdaşıyıcıların enerjisi 

d

E

E

 olan yükdaşıyıcıların valent zonadan keçirici zonaya keçməsi nəticəsində baş verir. 



Belə köçürmə mexanizmi dreyf yürüklüyünün temperaturdan zəif asıl olması ilə izah olunur. Buna görə də keçiriciliyin belə 

güclü artımını yükdaşıyıcıların konsentrasiyasının artması ilə izah etmək olar. 



02



.

0

;



01

,

0



1



x

S

Nd

Sn

x

x

 monokristallarında termo e.h.q  temperatur asılılığı (100-700K ) göstərir ki, tədqiq 

olunan nümunələrdə  termo e.h.q.-si 100-400K temperatur intervalında temperaturun artması ilə artır, T=450K 




Yüklə 18,89 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   109   110   111   112   113   114   115   116   ...   1149




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin