Microsoft Word muhazire 5 ve 6-yeni docx

Litoqrafiya hal-hazırda mikrosxemlərin yaradılmasında istifadə olunan ən 
əsas üsullardan biri hesab edilir. 
Litoqrafiya üsulları istifadə olunan optik sistemlərdən, fotorezistis 
materialından və təsir sxemindən asılı olaraq aşağıdakı kimi təsnif edilir: 
1. Optik litoqrafiya 
2. Elektron-şüa litoqrafiyası 
3. İon-şüa litoqrafiyası 
4. Şüa istifadə olunmayan litoqrafiya (çap litoqrafiyası). 
Bu litoqrafiya üsulları arasında ən çox yayılmışı optik litoqrafiya hesab olunur. 
Bu üsul, dalğa uzunluğu 1
÷100 nm tərtibində olan işıq kvantları ilə rezistin 
şüalanmasına əsaslanır. Optik litoqrafiya şüalanmanın enerji diapazonuna görə: 
a) Dalğa uzunluğu 400 nm-dən böyük olan optik diapazonlu litoqrafiya 
b) UB oblastlı litoqrafiya (395-436 nm) 
c) Dərin UB-şüalanmalı litoqrafiya (190-250 nm) 
d) Vakuumlu UB-şüalanmalı litoqrafiya (150-190 nm) 
e) Sərt UB litoqrafiya (10-15 nm) 
f) Rentgen litoqrafiya (
< 10 nm) üsullarına, 
işıqlanma sxeminə görə isə kontaktlı, kontaktsız və proyeksiyalanmış 
litoqrafiya üsullarına bölünür.
Kontaktlı optik litoqrafiya üsulu. Burada şablon rezistis ilə birbaşa 
kontaktda olur (a).

---

43 
Şablon və fotorezisit bu cür yerləşdikdə 
işıqlanan oblastın minimal ölçüləri 
√ ·
λ
-ya 
mütənasib olur, burada d-rezistin qalınlığı, 
λ-istifadə olunan şüalanmanın dalğa 
uzunluğudur. Lakin eyni şablondan çoxlu 
sayda istifadə etdikdə onun keyfiyyəti 
dəyişir - pisləşir. Bu çatışmamazlıq 
kontaktsız optik litoqrafiya ilə aradan 
qaldırılır. Bu halda rezists və şablon arasında 
boşluq olur. Bu isə şablonun ömrünü 
uzatmağa, yəni ondan dəfələrlə istifadə 
etməyə imkan verir. Lakin buna 
baxmayaraq, kontaktsız optik litoqrafiya 
üsulunun da öz çatışmamazlığı var. Bu 
üsulda litoqrafik sxemin şüaburaxma 
qabiliyyəti azalır. Çünki, bu halda işıqlanan 
oblastın minimal ölçüləri
g ·
λ
ilə mütənasib olur, burada g- rezistis və 
şablon arasındakı boşluqdur. Məsələn, 400 nm dalğa uzunluqlu, 1 mkm qalınlıqlı 
rezistisli kontaktlı litoqrafiyanın şüaburaxma qabiliyyəti (və ya ayırdetmə 
qabiliyyəti) 600 nm olduğu halda, fotorezistis ilə şablon arasında məsafə 10 mkm 
olduqda, bu göstərici 2 mkm-ə qədər pisləşir. 
Qeyd olunan çatışmamazlıqların hər ikisi proyeksiyalanmış litoqrafiya ilə 
aradan qaldırılır. Bu üsulda şəkil rezistis üzərinə şablonun altlıq üzərindəki 
qaraltısına əsasən deyil, rezistis üzərinə birbaşa optik sistemdən fokuslaşaraq 
düşməsi nəticəsində alınır. 
Elektron-şüa və ion-şüa litoqrafiya üsulları. Altlıq və rezististin üzərini 
modifikasiya etmək üçün istifadə olunan yüklü zərrəciklərə (elektronlar və ya 
ionlar) uyğun olaraq bu litoqrafiyalar elektron-şüa və ion-şüa litoqrafiyaları 
adlanır. Elektron-şüa litoqrafiya üsulunun optik litoqrafiya üsulundan üstünlüyü 
ayırdetmə qabiliyyətinin yüksək olması ilə (
∼ 1 nm), çatışmamazlığı isə 
elektronların çox dərin girməsi nəticəsində alınan şəklin aydın olmaması ilə 
bağlıdır (eksponirə olunmuş hissə qarmaqarışıq olur). 
İon-şüa litoqrafiyasında isə qeyd edilən çatışmamazlıq ionların çox da dərinə 
girməməsi ilə aradan götürülə bilir. 
Şüa istifadə olunmayan litoqrafiya (çap litoqrafiyası) haqqında isə zond 
mikroskopları bölməsində məlumar veriləcək.