Microsoft Word muhazire 5 ve 6-yeni docx

Öz-özünə qablanma və ya yığılma açıq sistemlərdə çoxlu sayda müxtəlif 
elementlərin öz aralarında qarşılıqlı uyğunlaşması nəticəsində nizamlanması 
prosesinə deyilir. 
Göründüyü kimi, öz-özünə qablanma ilkin quruluşdan daha mürəkkəb 
quruluşun formalaşması ilə bağlı olan prosesdir. Fizika və kimyada öz-özünə 

---

45 
qablanma atom və molekulların qeyri-nizamlı hərəkətindən nizamlı quruluşa 
keçidini göstərir. 
Öz-özünə qablanma sistemlərindən bəhs edən elm isə sinerqetika adlanır. 
Yunanca sinergetike – birgə təsir, birgə hərəkət mənasını verir. 
Sinerqetikanın əsas ideyası nizamsızlıq və xaosdan öz-özünə qablanma nəticəsində 
nizamlılığın mümkünlüyü deməkdir.
Öz-özünə qablanma təbiətdə ən geniş yayılmış prosesdir.Heyvanlar 
aləmində buna ən gözəl misal olaraq arılar tərəfindən altıbucaqlı özəklərin 
tikilməsini, qarışqaların kollektiv hərəkətini və s., canlı sistemlərdə isə DNT 
molekulunu göstərmək olar. 
Birölçülü, ikiölçülü və üçölçülü nanoquruluşların alınma üsulları 
Hal-hazırda elektron texnikasında istifadə edilən yarımkeçirici nanonaqillərə 
və nanosəthlərə, maqnit yazı qurğularında istifadə olunan maqnit nanonaqillərə və 
nanosəthlərə ehtiyac həddindən artıqdır. 
Qeyd etdiyimiz kimi, 
nanonaqillər (nanomillər, nanoiplər və kvant 
naqilləri) ölçüləri nano diapazonda olan birölçülü nanomateriallar, 
nanosəthlər (nanolaylar və ya nanoörtüklər) isə ikiölçülü nanomateriallar 
adlanır. 
Birölşülü nanoquruluşların, xüsusilə nanonaqillərin alınma texnologiyasının 
tədbiqinə 1960-cı illərdə başlanılmışdır. Bu texnologiya sapşəkilli kristalların 
(kristal bığların və ya viskerlərin) alınması prosesi üzərində qurulur və buxar-
maye-kristal (BMK) mexanizmi ilə həyata keçir. BMK mexanizminə əsaslanan 
texnologiyaların sonrakı inkişafı müxtəlif materiallardan ibarət müxtəlif ölçülü 
nanonaqillərin yaranmasına təkan verdi. 1990-cı ildən etibarən nanonaqillər lazer 
ablyasiyası üsulu ilə yaradılır. 
Visker tipli yarımkeçirici nanonaqilləri də almaq üçün buxar-maye-kristal 
(BMK) mexanizminə əsaslanan texnologiyadan istifadə olunur. Bu proses 
haqqında aydın təsəvvür yaratmaq üçün aşağıdakı misalı nəzərdən keçirək. 
Fərz edək ki, silisium nanokristallik altlıq üzərində qızıl zərrəciyi vardır. 
Qızdırıldıqda (
∼370°S tərtibində) bu zərrəcik altlıqla birgə əriyərək, ərinti-məhlul 
damcısı əmələ gətirir. Qaz fazasında
bu damcı üzərinə reaksiya qabiliyyətli 
qarışıq yeritsək (məsələn, H
2
+SiCl
4
), bu qarışığın molekulları damcı səthi üzərində 
adsorbsiya edəcək və nəticədə Si ayrılaraq altlığın sərhəddində çökəcək. Bu
prosesi davam etdirməklə 
diametri damcı tərtibində 
olan (
∼ 100 nm) Si 
sütunu 
əmələ 
gəlir. 
Aşağıdakı şəkildə Si 
viskerləri təsvir edilib. 
Viskerlərin artımı 
müəyyən qanunauyğun-
luqla baş verir. Belə ki, viskerlərin böyümə sürəti damcı diametrindən düz 
mütənasib asılıdır. Şəkildə Si viskerləri təsvir edilib.Viskerlərin ucu nə qədər 

---

46 
nazik olsa, ondan istifadə edilmə dairəsi daha geniş olur. İti uclu viskerlər, əsasən, 
kimyəvi üsullarla yaradılır. Belə ki, əvvəlcə aşağıda göstərilən şəklə uyğun papaq
əmələ gəlir, sonra papaq düşərək (termokimyəvi emal nəticəsində) ultra
nazik ucluq yaranır (ucun başı 1 atomdan ibarət olur və onun əyrilik
radiusu
∼ 2 – 3 nm tərtibini aşmır). Termokimyəvi üsulla diametri 5 nm 
tərtibində olan Si nanonaqilləri almaq olar ki, onlarda kvant effektləri çox güclü 
hiss olunur. Si ucluqlaından AQM-ları üçün zondların hazırlanmasında istifadə 
edirlər.