Mühazirənin planı Mikroelektonikahaqqında ümumi məlumat İnteqral sxemlərin təsnifatı

2. İnteqral sxemlərin təsnifatı

İS müxtəlif əlamətlərinə görə qruplaşdırılır: konstruktiv–texnoloji cəhətlərinə görə, yerinə yetirdiyi funksiyalarına görə, inteqrasiya dərəcəsinə (İS–dəki elementlərin sayına) görə, elementlərin yerləşmə kipliyinə görə və s. konstruktiv–texnoloji cəhətlərinə görə IS–lər dörd qruppa bölünür.

Yarımkeçirici IS. Yarımkeçirici IS-lərdə (YIS) bütün elementlər və elementlərarası birləşmələr yarımkeçiricinin səthyanı təbəqələrində və səthində yaradılır. Bu məqsədlə Si monokristal lövhələrindən istifadə olunur. Qeyd edək ki, YIS–lər müasir mikroelektronikanın əsasını təşkil edir. YIS hazırlamaq üçün planar texnologiyadan istifadə olunur, yəni bütün elementlər, onların çıxışları və birləşdirici metal cığırlar kristalın bir səthində və səthyanı təbəqələrində yerləşdirilir. YIS-lərin aktiv və passiv elementləri Si monokristalının səthyanı təbəqəsində yaradılır. Elementləri birləşdirmək üçün alüminiumdan istifadə olunur. Hazırda YIS–n aşağıdakı növləri ayrılır: bipolyar tranzistorlu, MOY tranzistorlu, BIMOY YIS–lər. Sonuncu YIS–lər birinci və ikinci tip YIS–n kombinasiyasıdır və hər iki növ YIS–n müsbət keyfiyyətlərini özündə cəmləşdirir. YIS-lərin aktiv elementləri yaxşı elektrik parametrlərinə və xarakteristikalarına malikdir; passiv elementlərin isə bir sıra qüsurları var. YIS-lərdə elementlərarası yararsız əlaqə nisbətən böyükdür. Bu qüsurlara baxmayaraq, hazırda YIS-lər və onların hazırlanma texnologiyası mikroelektronikada ən geniş yayılmış istiqamətlərdən biridir. Belə ki, bu texnologiya yüksək etibarlı, funksional baxımdan kifayət qədər mürəkkəb və kiçik ölçülü mikrosxemlər hazırlamağa imkan verir. Şəkil 1, a–da YIS–n bir variantının quruluşu, şəkil 1,c–də isə onun ekvivalent sxemi göstərilmişdir.

Təbəqəli IS. Belə IS–n elementləri dielektrik altlıq üzərində müxtəlif nazik təbəqələr şəklində yaradılır. Alınma üsulundan asılı olaraq təbəqələrin qalınlıqları müxtəlif olur. Təbəqələrin qalınlığına görə nazik təbəqəli IS (qalınlığı 1–2 mkm) və qalın təbəqəli IS (qalınlığı 10–20 mkm və daha çox) ayrılır. Nazik təbəqələr vakuumda termik çökdürülmə, ion–plazma çökdürülməsi və elektrokimyəvi çökdürülmə üsulları ilə alınır.

Nazik təbəqəli IS–n yerinə yetirdiyi funksiyalar çox məhduddur, çünki, onların alınma texnologiyası yalnız passiv elementlər yaratmağa imkan verir, tranzistor kimi aktiv elementlər almağa isə imkan vermir. Odur ki, hibrid IS–lər yaradılır.