F. M. Şİrzadov tribotexniKİ avadanliq və vasiTƏLƏR

 
Şəkil 17.6. CC800 (CemeCon) markalı PVD- sputtering 
örtük çökdürmə qurğusunda prosesin təsviri. 
Növbəti şəkildə səthə tozlandırılacaq bəzi tarqet 
materiallarının 
konstruktiv 
formaları 
təsvir 
olunmuşdur. 

---

282 
Şəkil 17.7. Örtük üçün tozlandırılan tarqet. 
PVD- sputtering (qazla tozlandırma) üsulunun 
üstünlüklərinə aiddir: 
–
prosesə nəzarətin mümkünlüyü; 
–
buxarlanma təzyiqinin təsirindən heç bir 
fraksiya 
(bir 
elementin 
müxtəlif 
birləşmələri) əmələ gəlmir; 
–
yüksək sıxlıq; 
–
detalın künclərinin yaxşı örtülməsi. 

---

283 
17.2.3
. İonla səthə örtükçəkmə texnikası 
DC- közərtməklə qaz boşalma üsuluna əsasən səthə 
ionların çökdürülməsi zamanı tarqetin qızdırılması 
müqavimətlə və elektron şüası ilə aparılır (şək. 17.8.). 
Əmələ gələn plazma közərmə boşalması vasitəsi ilə 
qazlardan (məsələn, arqon) yaradılır. Belə üsulun sadə 
olmasına 
baxmayaraq, 
kiçik 
miqdarda 
ion 
hissəciklərin 
alınması 
prosesin 
tətbiqinin 
genişləndirilməsinə mane olur (0,1 - 1 %).
 
 
 
Şəkil 17.8. PVD ion implantasiya üsulunun iş prinsipi və 
çökdürmə əməliyyatı. 
 
Triod konstruksiyasının köməyi ilə səthə ionların 
çökdürülməsi 
zamanı 
elektronların 
emissiyası 
əməliyyat kamerasında buxarlandırma mərkəzi və 
detal arasında közərmə katodu vasitəsi ilə yaradılır. 
Burada örtük buxarı aşağı işçi təzyiqdə elektron 

---

284 
bombardumanı vasitəsi ilə yenidən ionlaşdırılır 
(ionlaşdırma > 3%).
Magnetron-tarqet tozlandırılması vasitəsi ilə ionla 
səthə örtükçəkmə (Bias-Sputtern) əməliyyatında buxar 
əmələgətirən maqnetron tətbiq olunur. Üsulun 
ionlaşdırma dərəcəsi ~1% olub, buxarlanma mənbəyi 
(tarqet) ilə substrat (detal) arasında kifayət qədər 
qarşılıqlı təsiri təmin etmək üçün (plazma səthə 
çatmalıdır) iki katod parallel yerləşdirilir (şək. 17.9.).