D. R. Djurayev, A. A. Turayev, sh sh. Fayziyev, B. A. Hikmatov


Diffuziya usuli bilan kirishmalar kiritish



Yüklə 3,58 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə89/140
tarix20.11.2023
ölçüsü3,58 Mb.
#163759
növüУчебник
1   ...   85   86   87   88   89   90   91   92   ...   140
13655 2 B20DB1386017CEE2425CAEE937D51666EC4CCC41

Diffuziya usuli bilan kirishmalar kiritish.
 
Yarimo’tkazgichlarda diffuziya 
jarayonlari haqida keyin batafsilroq to’xtalamiz. Bu joyda mazkur usulning 
qisqacha tavsifini keltiramiz xolos. 
Bu usulda maxsus idishlarga (tigellarga) yarimo’tkazgich kristali, u bilan 
birga kiritiladigan moddaning tayinli miqdori ham joylanadi, so’ng diffuziya 
pechida 
(kristallning 
suyulish 
temperaturasidan 
past 
bo’lgan) 
yuqori 
temperaturagacha qizdiriladi, kirishma modda bug’lanadi va uning atomlari kristall 
ichiga diffuziyalanib kira boradi. Bu atomlar yo asosiy atomlardan bo’shab qolgan 
tugunlarga, yoki tugunlar orasiga joylashib oladi. Masalan, kremniyga fosfor -
1200°C temperaturada diffuziyalanadi, chunki kremniyning suyulish temperaturasi 
taxminan 1410°C bo’lganligi uchun u o’zining qattiq holatini saqlaydi, ammo 
atomlar issiqlik harakati kuchayishidan vakansiyalar ko’payib ketadi, fosfor va 
kremniy atomlari radiuslari bir biriga yaqin bo’lganligi uchun fosfor atomlari 
kremniy kristalli tugunlariga joylashib, o’rinbosar kirishma hosil qiladi. Diffuziya 
jarayonida kristall ichida kirishma atomlar taqsimoti Fik qonunlaridan kelib 
chiqadigan diffuziya tenglamasini yechish orqali aniqlanadi. 
Agar N (x, t) diffuziyalanuvchi kirishma atomlari zichligi (x - kristall sirti 
tekisligini belgilaydi), D ularning diffuziya koeffitsiyenti bo’lsa, x yo’nalishda 
(7.2) 
Diffuziya tenglamasining cheksiz (doimiy) manba holidagi (kristall sirtida 
kirishma zichligi 
deb olingandagi) yechimi quyidagi ko’rinishda bo’ladi. 
(7.3) 
Bu holda kristall sirti yaqinida kirishma bilan to’yingan yupqa qatlam hosil 
bo’ladi. Bu qatlamdagi kirishma zichligi imkoni boricha katta qilib olinadi. Bu 
bosqichni kirishma kiritish bosqichi deyiladi. So’ngra, tashqaridan kirishma 
kiritish bartaraf qilinib (manba uzoqlashtirilib), kristallga kirib bo’lgan kirishma


166 
yuqori temperaturada qayta taqsimlanishga duchor qilinadi. Bu bosqichni 
kirishmani (kristall ichiga) haydash deyiladi. U chekli kirishma manbaidan 
diffuziyalanish holiga mos keladi. Bu holda (7.2) ning yechimi 
(7.4) 
Bundagi Q-legirlash dozasi. Yarimo’tkazgichli asboblar sanoatida planar 
texnologiyada xuddi shu ikki bosqichli diffuziya usuli qo’llanadi. 

Yüklə 3,58 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   85   86   87   88   89   90   91   92   ...   140




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin