zaryad tashuvchilar generatsiyasi deb ataladi. Agar bu jarayon issiqlik ta‘sirida
amalga oshsa, u issiqlik generatsiyasi deb ataladi. O‗tkazuvchanlik zonasida
elektronning hosil bo‗lishi va valent zonasida kovakning yuzaga kelishi 8 b-rasmda
mos ishoralar yordamida aylanalar ko‗rinishida tasvirlangan. Strelka yordamida
elektronning valent zonasidan o‗tkazuvchanlik zonasiga o‗tishi ko‗rsatilgan.
Generatsiya natijasida yuzaga kelgan elektronlar va kovaklar yarim
o‗tkazich kristallida yashash vaqti deb ataladigan biror vaqt mobaynida tartibsiz
harakatlanadilar, so‗ngra erkin elektron to‗liq bo‗lmagan bog‗lanishni to‗ldiradi va
bog‗lanish hosil bo‗ladi. Bu jarayon rekombinatsiya deb ataladi.
O‗zgarmas temperaturada (boshqa tashqi ta‘sirlar mavjud bo‗lmaganda)
kristall muvozanat holatda bo‗ladi. Ya‘ni, generatsiyalangan zaryad tashuvchilar
juftligi soni rekombinatsiyalangan juftliklar soniga teng bo‗ladi. Birlik hajmdagi
zaryad tashuvchilar soni, ya‘ni ularning konsentratsiyasi, solishtirma elektr
o‗tkazuchanlik qiymatini beradi. Xususiy yarim o‗tkazgichlarda elektronlar
konsentratsiyasi kovaklar konsentratsiyasiga teng bo‗ladi (n i = p i ). n (negative
so‗zidan) va p (positive so‗zidan) harflari mos ravishda elektron va kovakka mos
keladi. Kiritmasiz yarim o‗tkzgichda hosil bo‗lgan elektron va kovaklar xususiy
