Elektronika va sxemotexnika

Yarim o„tkazgich materiallar 
1- jadval 
Material 
Element 
yoki 
birikma 
Nomlanishi 
Kristall 
tuzilishi 
 300K 
(Å) 
da 
panjara doimiysi 
 
 
 
 
Element 
C 
Uglerod 
 
D 
3,56683 
Ge 
Germaniy 
 
D 
5,64613 

---

 
 
18 
18 
Si 
Kremniy 
 
D 
5,43095 
Sn 
Olovo 
 
D 
6,48920 
IV-IV 
SiS 
Kremniy karbidi 
 
W 
a=3,086; s=15,117 
III-V 
AlAs 
Alyuminiy arsenidi 
 
Z 
5,6605 
AlP 
Alyuminiy fosfidi 
 
Z 
5,4510 
AlSb 
Alyuminiy antimonidi  
Z 
6,1355 
BN 
Bor nitridi 
 
Z 
3,6150 
BP 
Bora fosfidi 
 
Z 
4,5380 
GaAs 
Galliy arsenidi  
 
Z 
5,6533 
GaN 
Galliy nitridi 
 
W 
a=3,189; s=5,185 
GaP 
Galliy fosfidi 
 
Z 
5,4512 
 
Eng muhim yarimo‗tkazgichlarning xossalari 
2- jadval  
Yarimo‗tkazgich 
Taqiqlangan 
zona  kengligi 
(eV) 
300K 
da 
Harakatchanlik  
(sm
2
/V

s) 
 
Effektiv 
massa 
m*/m
0
 
 
Semiconductor 
Bandgap 
(eV) 
Mobility  at  300K 
(cm
2
/V

c) 
Zona 
Effective 
mass 
m*/m
0
 
 
300K  0K 
elektron 
kovak  band  elektron 
kovak 

s
/

0
 
Element 
C 
5,47 
5,48 
1800 
1200 
I 
0,2 
0,25 
5,
7 
Ge 
0,66 
0,74 
3900 
1900 
I 
1,64 
0,082 
0,04 
0,28 
16
,0 
Si 
1,12 
1,17 
1500 
450 
I 
0,98 
0,19 
0,16 
0,49 
11
,0 
Sn 
 
0,082  1400 
1200 
D 
 
 
 
IV-IV 

-
SiC 
2,996  3,03 
400 
50 
I 
0,60 
1,00 
10
,0 
III-V 
AlSb  1,58 
1,68 
200 
420 
I 
0,12 
0,98 
14
,4 
BN 
7,5 
 
 
 
I 
 
 
7,
1 
BP 
2,0 
 
 
 
 
 
 
 
GaN 
3,36 
3,50 
380 
 
 
0,19 
0,60 
12
,2 
GaSb  0,72 
0,81 
5000 
850 
D 
0,042 
0,40 
15
,7 
GaAs  1,42 
1,52 
8500 
400 
D 
0,067 
0,082  13
,1 
GaP 
2,26 
2,34 
110 
75 
I 
0,82 
0,60 
11
,1 
InSb 
0,17 
0,23 
80000 
1250 
D 
0,0145 
0,40 
17
,7 
InAs 
0,36 
0,42 
33000 
460 
D 
0,023 
0,40 
14
,5 
InP 
1,35 
1,42 
4600 
150 
D 
0,077 
0,64 
12
,4 

---

 
 
19 
19 
 
II-VI 
CdS 
2,42 
2,56 
340 
50 
D 
0,21 
0,80 
5,
4 
CdSe  1,70 
1,85 
800 
 
D 
0,13 
0,45 
10
,0 
CdTe  1,56 
 
1050 
100 
D 
 
 
10
,2 
ZnO 
3,35 
3,42 
200 
180 
D 
0,27 
 
9,
0 
ZnS 
3,68 
3,84 
165 
5 
D 
0,40 
 
5,
2 
IV-VI 
PbS 
0,41 
0,286  600 
700 
I 
0,25 
0,25 
17
,0 
PbTe  0,31 
0,19 
6000 
400 
I 
0,17 
0,20 
30
,0 
 
I – to‗g‗ri zonali bo‗lmagan tuzilishi. 
D – to‗g‗ri zonali tuzilishi. 
 
 Yarim  o‗tkazgichlar    xususiy  va  aralashmali  yarim  o‗tkazgich  guruhlariga 
bo‗linadi.  
 
T=0  K  da  xususiy  yarim  o‗tkazgichlarning  valent  zonasi  elektronlar  bilan 
butunlay  to‗lgan  bo‗ladi,  bu  holda  yarim  o‗tkazgich  sof  dielektrik  bo‗ladi.  Agar 
temperatura T

0 K bo‗lsa, valent zonaning yuqori 
sathlaridagi  bir  qism  elektronlar  o‗tkazuvchanlik 
zonasining  pastki  sathlariga  o‗tadi  (5-rasm).  Bu 
holda  elektr  maydoni  ta‘sirida  o‗tkazuvchanlik 
zonasidagi  elektronlarning  xolati  o‗zgaradi. 
Bundan tashqari valent zonada hosil bo‗lgan bo‗sh 
joylar  xisobiga  ham  elektronlar  o‗z  tezligini 
o‗zgartiradi.  Natijada  yarim  o‗tkazgichning  elektr 
o‗tkazuvchanligi  noldan  farqli  bo‗ladi,  ya‘ni  sof 
yarim  o‗tkazgichda  erkin  elektron  va  teshik 
vujudga keladi.  
Elektr  maydon  ta‘sirida  butun  kristall  bo‗ylab 
elektronlar    maydonga  teskari  yo‗nalishida,  teshiklar  esa  maydon  yo‗nalishda 
harakatga  keladi.  Bunday  elektr  o‗tkazuvchanlik  faqat  sof  yarim  o‗tkazgiyalar 
uchun xos bo‗lib, uni xususiy elektr o‗tkazuvchanlik deyiladi.  
O‗tkazuvchanlik zonasidagi elektronlar va valent zonasidagi kovaklar, ya‘ni 
elektronini yo‗qotgan bo‗sh joylar, Fermi-Dirak taqsimotiga bo‗ysunadi: 
 
1
/
)
(
э
1



kT
E
E
F
e
E
f
 
 
 
 
  (1.30) 
 
1
/
)
(
э
к
1
1
)
(






kT
E
E
F
e
E
f
E
f
 
 
(1.31) 
 
Xususiy 
yarim 
o‗tkazgichlar 
uchun 
o‗tkazuvchanlik 
zonasidagi 
elektronlarning  konsentrasiyasi  valent  zonadagi  kovaklarning  konsentrasiyasiga 
teng:      n=r.  Konsentrasiyalarni  hisoblash  uchun  Ye  energiyani  o‗tkazuvchanlik 
zonasining tubiga nisbatan o‗lchaymiz (Ye
s 
= 0). 
 

 
Ковак 
Эркин  
электрон 
5-расм 
Е 
Е
с 
Е
F 
Е
V 
f(E)
 
0
 
1
 

---

 
 
20 
20 
O‗tkazuvchanlik  zonasi  tubidan  dE  energiya  intervalini  ajrataylik  (Ye, 
Ye+dE).  Bu  sohada  joylashgan  elektronlar  Fermi-Dirak  statistikasiga  bo‗ysunadi 
va ularni energiya bo‗yicha taqsimlanishi quyidagi ko‗rinishda yoziladi, 
dE
e
E
m
dn
kT
E
E
F
1
1
)
2
(
*)
2
(
4
/
2
/
1
3
2
/
3







 
 
 
 
(1.32) 
 
Odatda  xususiy  yarim  o‗tkazgichlar  uchun 
1
/


kT
E
E
F
e
  va  maxrajidagi  1  ni 
hisobga olmasa ham bo‗ladi. U holda  
dE
e
E
m
dn
kT
E
E
F
/
)
(
2
/
1
3
2
/
3
)
2
(
*)
2
(
4






  
 
 
  
(1.33) 
Bu ifodani 0

 oralig‗ida integrallab quyidagini hosil qilamiz 
kT
E
E
F
e
kT
m
n
/
)
(
3
2
/
3
э
)
2
(
)
2
(
2








 
 
 
 
 
(1.34) 
 
Xuddi  shunga  o‗xshash  amallarni  bajarib  valent  zonasidagi  kovaklarning 
konsentrasiyasi uchun 
kT
E
F
e
kT
m
p
/
3
2
/
3
к
)
2
(
)
2
(
2






             
 
      (1.35) 
ifodani hosil qilish mumkin. 
 
Formulalardan, n=r ni inobatga olib, Fermi sathi energiyasining qiymatini topamiz: 
)
m
ln(
4
3
2
E
э
к
F





m
kT
E
       (1.36)                 
Formulaning  ikkinchi  hadi,  birinchisiga  nisbatan 
juda  kichik  bo‗lgani  uchun 
2
E
F
E


    deb  olish 
mumkin. 
 
Demak,  xususiy  yarim  o‗tkazgichlarda 
Fermi  satµi  (Ye)  taqiqlangan  zonaning  o‗rtasida 
joylashadi.  
Yarim  o‗tkazgichning  o‗tkazuvchi  va 
valent  zonalaridagi    elektron  va  kovaklar  zaryad 
tashuvchilardir. 
Ma‘lumki, 
o‗tkazuvchanlik 
zaryad 
tashuvchilarning 
konsentrasiyasiga 
proporsional  bo‗ladi,  u  holda  xususiy  yarim  o‗tkazgichlarning  elektr 
o‗tkazuvchanligi 

  harorat  ortishi  bilan  ortadi  va    quyidagi  qonuniyat  bo‗yicha 
o‗zgaradi (6-rasm): 

=

e  +  

k  
   yoki   

=

0 
yexr (-

Ye/2kT).   
 (1.37) 
 
 
 
 
 
 
0
 
1/T
 
ln

 
6-расм. 
Temperaturani 
 

---

 
 
21 
21 
1.3. Energetik zonalar 
 
Zamonaviy  elektronika  qurilmalari  yarim  o‗tkazgichli  materiallardan 
tayyorlanadi.  Yarim  o‗tkazichlar  kristall,  amorf  va  suyuq  bo‗ladi.  Yarim 
o‗tkazgichli  texnikada  asosan  kristall  yarim  o‗tkazgichlar  (10
10 
asosiy  modda 
tarkibida bir atomdan ortiq bo‗lmagan kiritma monokristallari) qo‗llaniladi. Odatda 
yarim  o‗tkazgichlarga  solishtirma  elektr  o‗tkazuvchanligi 

metallar  va 
dielektriklar  oralig‗ida  bo‗lgan  yarim  o‗tkazgichlar  kiradi  (ularning  nomi  ham 
shundan  kelib  chiqadi).  Xona  temperaturasida  ularning  solishtirma  elektr 
o‗tkazuvchanligi  10
-8
dan
 
10
5
gacha  Sm/m  (metrga  Simens)ni  tashkil      etadi.  
Metallarda   

=10
6
-10
8
 Sm/m,     dielektriklarda          esa  

=10
-8
-10
-13
  Sm/m.  Yarim  o‗tkazgichlarning  asosiy  xususiyati  shundaki, 
temperatura  ortgan  sari  ularning  solishtirma  elektr  o‗tkazuchanligi  ham  ortib 
boradi, metallarda esa kamayadi. Yarim o‗tkazgichlarning elektr o‗tkazuvchanligi 
yorug‗lik bilan nurlantirish va hatto juda kichik kiritma miqdoriga bog‗liq. Yarim 
o‗tkazgichlarning xossalari qattiq jism zona nazariyasi bilan tushuntiriladi. 
Har  bir  qattiq  jism  ko‗p  sonli  bir-biri  bilan  kuchli  o‗zaro  ta‘sirlashayotgan 
atomlardan  tarkib  topgan.  Shu  sababli  bir  bo‗lak  qattiq  jism  tarkibidagi  atomlar 
majmuasi yagona tuzilma deb qaraladi. Qattiq jismda atomlar bog‗liqligi atomning 
tashqi  qobig‗idagi  elektronlarni  juft  bo‗lib  birlashishlari  (valent  elektronlar) 
natijasida yuzaga keladi. Bunday bog‗lanish kovalent bog‘lanish deb ataladi. 
Atomdagi biror elektron kabi valent elektron energiyasi W  ham diskret yoki 
kvantlangan  bo‗ladi,  ya‘ni  elektron  energetik  sath  deb  ataluvchi  biror  ruxsat 
etilgan  energiya  qiymatiga  ega  bo‗ladi.  Energetik  sathlar  elektronlar  uchun 
ta‘qiqlangan  energiyalar  bilan  ajratilgan.  Ular  ta’qiqlangan  zonalar  deb  ataladi. 
Qattiq  jismlarda  qo‗shni  elektronlar  bir-biriga  juda  yaqin  joylashganligi  uchun, 
energetik  sathlarni  siljishi  va  ajralishiga  olib  keladi  va  natijada  ruxsat  etilgan