Elektronika va sxemotexnika


erkin  zaryad  tashuvchilar



Yüklə 1,87 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə18/110
tarix02.01.2022
ölçüsü1,87 Mb.
#47885
1   ...   14   15   16   17   18   19   20   21   ...   110
Elektronika va sxemotexnika

erkin  zaryad  tashuvchilar  va  ularga  asoslangan  elektr  o‗tkazuvchanlik  esa  – 
xususiy elektr o‘tkazuvchanlik deb ataladi. 
 
 
 


 
 
24 
24 
1.5. Yarim o‟tkazgichlarda kiritmali elektr o„tkazuvchanlik 
 
Yarim  o‗tkazgichli  asboblarning  ko‗p  qismi  kiritmali  yarim  o‗tkazichlar 
asosida yaratiladi. Elektr o‗tkazuvchanligi kiritma atomlari ionizatsiyasi natijasida 
hosil  bo‗ladigan  zaryad  tashuvchilar  bilan  asoslangan  yarim  o‗tkazgichlar  – 
kiritmali yarim o‘tkazgichlar deyiladi. 
Kremniy  atomiga  D.I.  Mendeleyev    davriy  elementlar  tizimidagi  V  guruh 
elementlari  (masalan,  margumush  As)  kiritilsa  uning  5ta  valent  elektronidan 
to‗rttasi  qo‗shni  kremniy  atomining  to‗rtta  valent  elektronlari  bilan  bog‗lanib  - 
sakkiz  elektrondan  tashkil  topgan  mustahkam  qobiq  hosil  qiladilar.  Beshinchi 
elektron ortiqcha bo‗lib, o‗zining atomi bilan kuchsiz bog‗langan bo‗ladi. Shuning 
uchun kichik issiqlik energiyasi ta‘sirida u uziladi va erkin elektronga aylanadi (9 a 
-  rasm),  bu  vaqtda  kovak  hosil  bo‗lmaydi.  Energetik  diagrammada  bu  jarayon 
elektronning donor sathi W
d
 dan o‗tkazuvchanlik zonasiga o‗tishiga mos keladi (9 
b  -  rasm).  Kiritmali  atom  musbat  zaryadlangan  qo‗zg‗almas  ionga  aylanadi. 
Bunday kiritma donor deb ataladi. 
Yarim o‗tkazgichli asboblar yasashda ko‗p kiritma atomlari kiritiladi (1 sm

hajmga  10
14
-10
18
  darajadagi  atomlar).  Xona  temperaturasida  kiritmaning  har  bir 
atomi  bittadan  erkin  elektron  hosil  qiladi.  Kovaklar  esa    xususiy  yarim 
o‗tkazichlardagi  kabi  kremniy  atomi  elektronlarining  o‗tkazuvchanlik  zonasiga 
o‗tishidagi termogeneratsiya hisobiga hosil bo‗ladi. 
 
 
 


 
 
25 
25 
 
 
9 – rasm. Kiritmali yarim o‘tkazgichlar 
 
Yarim  o‗tkazgich  tarkibiga  katta  darajadagi  donor  kiritmaning  kiritilishi 
erkin elektronlar konsentratsiyasini oshiradi, kovaklar konsentratsiyasi esa xususiy 
yarim  o‗tkazgichdagiga  nisbatan  sezilarli  kamayadi.  Erkin  zaryad  tashuvchilar 
konsentratsiyasining  ko‗paytmasi  n

p  o‗zgarmas  temperaturada  o‗zgarmas  qoladi 
va faqat yarim o‗tkazgich ta‘qiqlangan zona kengligi bilan aniqlanadi. Shuni yodda 
tutish  kerakki,  T=300  K  (xona  temperaturasida)  kremniyda  np

0,64∙10
20 
sm
-3

germaniyda    esa  np

4∙10
26 
sm
-3
.  Shunday  qilib,  agar  kremniy  kristalliga 
konsentratsiyasi  10
16
 sm
-3
 bo‗lgan donor kiritma kiritilsa, T=300 K da elektronlar 
o‗tkazuvchanligi  n=10
16
  sm
-3
,  kovaklarniki  esa  –  atigi  10
4
  sm
-3 
ga  teng  bo‗ladi. 
Demak  bunday  kiritmali  yarim  o‗tkazgichda  elektr  o‗tkazuvchanlik  asosan 
elektronlar  hisobiga  amalga  oshiriladi,  yarim  o‗tkazgich  esa  –  elektron  yoki  n- 

Yüklə 1,87 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   14   15   16   17   18   19   20   21   ...   110




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin