Radioelektronika asoslari

U
⁺ (^Et ^-/*01 ^+Eb ^+Ik02 '^Rbl ~Ub2_T


)-e


(4)
C-bi-Rbl


Agar zaryadsizlanish t==0 vaqtda boshlanib, t=7’i vaqtgacha davom etsa va bunda U_e2 = U_b2 = 0 ga erishilsa, (4) ifodadan 7) vaqtni aruqlash mumkin:
^ ^Ek ~ hm ‘ ^Ek-> ^{+ E}b⁺ hui ‘ ^Eb2 ~ ^blr
* i - C_b2 ■ Rb2 ^ln ^“ “ W


^Eb ⁺ I*02 ‘ ^Eb2
Huddi shu yo‘l bilan C_bi kondensatoming zaiyadsizlanisb ifodasini bilgan holda:
„ _ „ . ^Ek -hai ‘ ^Eti ^{+ E}b ⁺ ho\ • Khi ~ I^wt -- ■■■—.-
^E2=Cb\-^Eht In -z _t (6)
Aft+**01‘^A61
ekanini aniqlash mumkin.
(5) va (6) ifodalarga asosan multivibratordagi tebranishlar davri: T=T,+T₂ (7)
gateng bo‘ladi.
Odatda bazaga siljitish kuchlanishi bcradigan E_b manbadan qutulish uchun tranzistorlaming bazasi kollcktor manbai zanjiriga ulanadi (4-rasm), ya’ni E_b=Ey qilib olinadi. Bunda R_k«R\» ekanini hisobga olsak, (7) ifoda soddalashib, quyidagi ko‘rintshga keladi:


T - C_h2 • R_{b 2} ln


2-^Ek + ho2' ^Ebi ₊ q d in ^^Et ⁺ hot' ^Eb\ ^E6⁺hc2-^Eb2 ^f>' ^Eb⁺h


‘kot ^Eb\


= _Mln^ + C_i2


■ 2 + 0₂
^^ln7T«:


(8)


i


bunda, 6> -


hot ’^Eht a _ 4o2 ‘
—z j ^a2t --—=—'


- issiqlik toki /aktori deb ataladi va

_c2 - ~^Eb ~ A02 ' ^Ebl +
kollektoming ho - sokinlik (issiqlik) toki bilan bazaning V - to'yinish
toki orasidagi munosabatni ifodalaydi.
Agar tranzistoming issiqlik toki hisobga olinmasa (f?=0), (S) ifoda juda sodda ko‘rinishga ega bo'ladi:
T -C_b] • R_b] ln2 + C_h2 ■ R_b2 In 2 ~ 0,7(C_6J • R_b] + C_b2 ■ R_b2) - (9) ;
Simmetrik multivibrator uchun (9) ifoda yanada soddalashadi: ,
T = 2C_b-R_h\n2*nC_hR_b (9a)
Yuqorida keltirilgan (4-rasm) sxemadagi tranzistoming ish rejlmi tvyinish rejimi deb ataladi. Bu Tejimda multivibrator deyarli to‘g‘ri to'rtburchak shakiidagi impulslami ishlab chiqaradi. Uning amplitudasi va davom etish vaqti if* qarshilik bilan kam bog‘liq bo'ladi.
Multivibrator sxemasidagi tranzistorlar aktiv (kuchaytirish) rejimida ham ishlaydi. Bu rejimda to'yingan tranzistoming bazasidagi ortiqcha zaryad tashuvchilaming so'rilish jarayonining impuls fronti davom etish vaqtiga bo‘lgan salbiy la’siri kuzatiimaydi. Lek'tn impulsning tepa qismi yassi bo'Jmaydi. ChunJri imga c_bi va C_bl kondensatoriar kuchlwishining o'2garishi ta’sir etadi.
7j tranzistomtng tuyinish sharti l-muvozanat holat uchun quyidagicha ifodalanadi:
Ia&PxUi (10)
b
4-rasm. Bazasi kollektor zanjiriga ulangan aiultivibratar.


Agar kollektoming I


JtOl


u yerda jff, - umumiy emitterli ulantsh sxemasida tranzistoming tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti. Bu shart Ck kondensatoming qiymatgacha zaryadianishidagi muvozanat hoiat uchungina emas, balki ko‘chki jarayoni uchun ham bajariladi.
sokinlik toki hisobga olinmasa
sxemasidagi muvozanat holat almashinishida kollektor
jjt £ + E E
toki I_ki = —C + bazaning to'yinish toki esa l_b2j ~ —— ga teng
bo'Iadi. Ulami (10) ifodaga qo'ysak, T\ tranzistoming to‘yinish sharti quytdagicha ifodalanadi:
(
^Eb ^ ^Ei | ^Ek^+£h Al ^Eb2

fit
10a)
E + E
bunda, — - Cw kondensatoming zaryadsizlanishidagi tokning
^Rh2
maksima) qiymati. Mos ravishda, T₂ tianzistorning to'yinish shani quyidagicha bo'iadi:
0
„ El El El + t P —L. > —£_ + _*
Rf,₂ R_k2 Rf,i
0b)
bu yerda fi₂ ~ T₂ tranzistoming tok bo'yicha kuchaytirish koeffitsienti,
El + El
——~ - Cb2 kondensatoming zaryadsizlanishidagi tokning maksimal
^Rh\
qiymati.
Mashqlami bajarish tartibi
-
Isihning maketi ochik paneida yigilgan bo‘iih, laboratoriya stendiga joylashtirilgan. Uning prinsipial sxemasi 5-rasmda ko'rsatilgan. Elementlarining kattaligi quyidagi tartibda bo'ladi;
Ishchi sxemani yig'ish talaba tomonidan ko'chma elementlarni maketdagi uyalarga joylashtirish yo'li bilan bajariladi. Elementlarning kattaligi o'qituvchining ko'rsatmasiga binoan tanlanadi.
Ishni hajarish uchun 6-rasmda ko'rsatilgan blok—sxema yig'iladi. 0‘zgarmas tok manbai vazifasini stcndning pastki qismida joylashgan 0,5^15 Fkuchlanish hosil qiladigan to^lg‘rilagich bajaradi. 0‘lchash ishlari
f
T - lo‘g‘rilagich (manba).
M - o'rganibyotgan multivibralor.
EO - elektran ossillograf (C1-67, Cl-72 yoki CI-73).

'3-38 tipdagi voltmetr yoki Cl—73 turdagi ossiilograf yordamida olib boriladi.
6 -rasm. Ish bajarish blok-sxemasi.
I — mashq. Simmetrik multivibratorni o'rganish

1. 
   Simnmtrik multivibratoming prinsipial sxemasi yig'ilsin.
   
2. 
   6 rasmdagi blok -sxema yigilsin. Unda ossillograf “kollektor-yer” oralig'iga ulansin.
   
3. 
   Ossillograf ekrartida kollektor impulslarining qo'zg'almas tasviri [U_k =f(t)] hosil qilinsin va chizib olinsin.
   
4. 
   Ossillograf ekranidagi to'rdan foydalanib, “razvertka” dastasi yordaanida impulsning davom etish vaqti va takrorlanish davri o'Ichansin.
   
5. 
   Impulsning takrorlanish davri formulasi yordamida berilgan C₄, Rf, eiementlar uchun takrorlanish davri hisoblansin va 4-banddagi natija bilan solishtirilsin.
   
6. 
   Ossillograf ekranidagi turdan fbydalanib, impulsning amplitudasi
   

o Vcihsnsiir. _;

7. 
   Ossillografning kirishi “baza-yer” oraligiga o'tkazilsin.
   
8. 
   Ossillograf ekranida qo‘zg‘aImas baza impulslari hosil qilinsin va chizib olinsin.
   
9. 
   Ossillograf yordamida baza impulsJartning amplitudasi odchansin.
   

II - mashq. Nosimmetrik multivibratorni o'rganish

1. 
   Nosimmetrik multivibratoming prinsipial sxemasi yig'ilsin.
   
2. 
   iHnashqning 3^-9 bandlari qayta bajarilsin.
   

1. 
   Molchanov A.P,, Zanadvorov P.N, Kurs elektrotexniki i radiotexniki, M.: 1976.
   
2. 
   Manaev E.l, Osnovi radioelektroniki. M.: 1985.
   
3. 
   Stepanenko 1,P. Osnovi teorii tranzistorov i tranzistomix sxem. M.: 1978.
   
4. 
   Nigmatov X. Radioelektronika asoslari. Toshkent, “O'zbekiston”. 1994.
   
5. 
   Ushakov V.N. Dsnovi radioeiektroniki i radiotexnicheskix ustroystv. M.: 1976.
   
6. 
   Fizicheskiy praktikum, Pod redaksiey V.I. Iveronovoy. M.: 1979.
   
7. 
   Gershunskiy B.S. Osnovi elektrontki i niikroelektron3ki. M.: 1987.
   
8. 
   Borzdov V.M. Osnovi radioelektroniki: Kurs leksiy. Mn.: BGU, 2003.
   
9. 
   Jerebsov I.P, Osnovi elektroniki. M.: Energoatomizdat 1989.
   
10. 
    Kalashnikov S.G, Utnumiy fizika kursi. Elektr. 0‘qituvclu, Toshkent, 1979,
    

H. Bistrov A.Yu., Mironenko I.T. Elektricheskie sepi t ustmystva. M.: Visshaya shkola. 1989.

12. 
    Gusev V.G., Gusev Yu.M. Elektronika i mikroprotsessomaya texnika, M.: Visshaya shkoia, 2005.
    
13. 
    Xotunsev Yu,L., Lobarev A.S. Osnovi radioelektroniki. M.; 2000.
    
14. 
    Nefedov V.I. Osnovi radioelektroniki i svyazi. M.. Visshaya shkola. 2001.
    
15. 
    Yunusov M.S., Viasov S.I., Nazirov D.E., Tolipov D.O. Elektron asboblar. T.: 2003.
    

m

g * 2
4=0 -«)Wto eo 22
.. aa:' 49
t 70
«».R, 72
« = 0,1,2,... 111
₁₊l 118

HuiuisctHHHA Hftinriiw noiaHWjt^ hjBUhhoh ^
9SI •fuioiis mnXw og[ mney yi/[ rt>(W H«fn>«a
mxjsuiH»9 EX'iHnjtw^ [I0J *0 J£ HBifiut jksxA! uinnxia