Reja: Elektronika haqida

Mavzu:Elektronika
Reja:
1.Elektronika haqida
2.Fanga asos solinishi
3.Elektronika hozirgi kurinish


Elektronika — fan va texnikaning elektronlar va boshqalar zaryadlangan zarralarning elektromagnit maydon hamda turli jismlar bilan oʻzaro taʼsiri qonuniyatlarini oʻrganish, bu oʻzaro taʼsirdan foydalanib energiyani oʻzgartiradigan elektron asbob va qurilmalarni yaratish usullarini ishlab chiqish bilan shugʻullanadigan sohasi. Matematika, fizika, nazariy elektronika kabi fanlar E.ning nazariy asosini tashkil qiladi. E.da axborotni diskret va uzluksiz elektromagnit signallar koʻrinishida olish va ularni oʻzgartirish, almashtirish masalasi ham oʻrganiladi. Elektronlarning juda kichik inersion xossaga ega ekanligi ularning elektron asboblar ish hajmidagi makromaydonlar bilan ham, atom, molekula yoki kristall panjara ichidagi mikromaydonlar bilan ham oʻzaro taʼsiridan chastotasi 1012Gs gacha boʻlgan elektromagnit terbanishlarni, shuningdek, chastotasi 1012— 1020Gs boʻlgan infraqizil, optik, ultrabinafsha va rentgen nurlanishlarni samarali generatsiyalash, oʻzgartirish va qabul qilish imkonini beradi. Elektron jarayonlar va hodisalarni, shuningdek, elektron asbob va qurilmalar yaratish usullarini tadqiq qilish natijalari elektron texnikaning turlituman asbobuskunalarini, hisoblash texnikasi, informatika, aloqa, radiolokatsiya, televideniye, telemexanika va boshqalar sohalardagi murakkab masalalarni hal qilishga moʻljallangan turli tizimlar va komplekslarni yaratishda oʻz aksini topgan.
E.ning asosiy ilmiy masalasi vakuum, elektromagnit maydon va bir jinsli boʻlmagan muhitda zaryadlangan atom zarralarining harakati va bu bilan bogʻliq fizik hodisalarni oʻrganish va amaliy yoʻnalishini belgilash, amaliy masalasi esa axborotni hosil qiluvchi, oʻzgartiruvchi va uzatuvchi tizimlarda, hisoblash texnikasida, energetik qurilmalarda, ishlab chiqarish texnologiyasida har xil vazifalarni bajaruvchi elektron asbob va qurilmalar yaratishdan iborat.
E. yutukdari radiotexnika taraqqiyoti, tranzistorlar, uzatuvchi televizion trubkalar yaratilishi bilan uzviy bogʻliq.
Olimlar J.K.Maksvem, O.U.Richardson, T.A.Edison, T.Gers, Gʻ.V.Rentgen, J.Tomson, X.K.Lorentsyatlsh ishlari 20-asr boshida E.ning fan sifatida shakllanishiga asos boʻldi. Rus olimlari A.G.Stoletov, A.BonchBruyevich, N.G.Basov, A.M.Proxorov, S.V.Vavilov, A.A.Chernishev va boshqalar, amerika olimlari Ch.Tauns, L.De Forest,Z.Varvan, R.Varman, R.Kompfner va boshqalar bu fan taraqqiyotiga muhim hissa qoʻshishdi.
E. 3 boʻlim: fizik E., texnik E. va E. texnologiyasi boʻlimlaridan iborat. Fizik E. vakuumda, elektromagnit maydonlar va boshqalar har xil muhitlarda atom zarralari, ionlar va neytral atomlarning harakati va ular bilan bogʻliq boʻlgan fizik qonuniyatlarni, elektron va ion asboblar, qurilmalarni yasash, elektron asbob va qurilmalar yordamida elektromagnit energiyasini olish, uzatish va qoʻllanish prinsiplarini, atom zarralari oqimlarini, ionlar, kvantlar, elektromagnit maydonning moddalarga taʼsirini nazariy va amaliy oʻrganish bilan shugʻullanadi; elektron emissiya, ionlashish, energetik sathlar, yarimoʻtkazgichlarda tunnel effekti, elektron oqimlarni fokuslash kabi hodisalarni oʻrganadi.
Texnik E.da elektron va ion asboblar, qurilmalar va tizimlarni fan, sanoat, aloqa, xalq xoʻjaligi, transport va boshqalar sohalarda qoʻllash nazariyasi va amaliy hal qilish masalalari koʻriladi. Texnik E.ga elektronnurli trubka, ossillograf, rentgen qurilmalari, EHM, simobli tok oʻzgartirgichlar, radiolokatorlar, integral sxemalar va boshqalar kiradi. Elektron apparatlarning qoʻllanishiga qarab, texnik E. mustaqil radioelektronika, sanoat, yadro E.si kabi yoʻnalishlarga boʻlinadi.
Elektron asboblar ishlab chiqarish texnologiyasi ushbu bosqichlar ishchi elementi materiallarini olish, ularning elektrofizik, optik, emission parametrlarini oʻrganish, ularga kerakli shakl, oʻlcham va sirt xossalari berish uchun mexanik, kimyoviy va elektrokimyoviy qayta ishlash, yarimoʻtkazgich materiallardan rp oʻtish qismlarini olishda plastik va kristallarni qayta ishlash, asboblarni yigʻish va boshqalar oʻta nozik va murakkab bosqichlardan tashkil topadi.
E. elektron va ionli hodisalarning tabiati va qanday muhit hamda moddada borayotganligiga qarab, vakuum E.si, qattiq jism E.si va kvant E. sohalariga boʻlinadi. Har bir soha bir necha yoʻnalishlarni oʻz ichiga oladi.
Vakuum E.si quyidagi qismlardan iborat: 1) emission E., 2) elektronlar va ionlar oqimini hosil qilish va ularni boshqarish; 3) elektron lyuminessensiya; 4) yuqori vakuum fizikasi va texnikasi; sirt hodisalari; 6) gaz razryadli asboblar fizikasi va boshqalar Vakuum E.ning asosiy yoʻnalishlari: elektron lampalar, yuqori chastotali elektronvakuum asboblar (magnetronlar, klistronlar, yuguruvchi toʻlqin lampalari va boshqalar), elektron nurli asboblar (kineskoplar, ossillograf trubkalari va boshqalar); fotoelektron asboblar (fotoelektron koʻpaytirgichlar va boshqalar); rentgen trubkalari, gaz razryadli asboblar (kuchli tok oʻzgartirgichlari, yorugʻlik manbalari, indikatorlar).
Qattiq jism E.sining asosiy qismlari: 1) yarimoʻtkazgich materiallar xossalarini va ularga aralashmalarning taʼsirini oʻrganish; 2) kristallda har xil oʻtkazuvchanlik xossalariga ega boʻlgan sohalarni hosil qilish; 3) zarur xossa va shaklga ega boʻlgan metallyarimoʻtkazgich, dielektrikyarimoʻtkazgich, yarimoʻtkazgichkontaktli materiallarni olish va ularning texnologiyasini ishlab chiqish; 4) metall, dielektrik, yarimoʻtkazgich va qotishmalar sirtidagi fizikkimyoviy hodisalarni oʻrganish va ularni boshqarish usullarini topish; 5) oʻta kichik oʻlchamdagi asbob elementlarini olish va fundamental masalalarni oʻrganish. Qattiq jism E.si, asosan, yarimoʻtkazgichlar E.si bilan bogʻliq. Qattiq jism E.si yarimoʻtkazgichli asboblar (diodlar, tranzistorlar) yaratish va dielektrik elektronika, magnetoelektronika, akustoelektronika, pyezoelektronika, krioelektronika kabi yoʻnalishlarga ega.
Kvant E.ning asosiy yoʻnalishlari lazer va mazerlar yaratish, bu asboblarni turli amaliy masalalarni hal qilishga (masofani aniq oʻlchash, vaqt va chastota etalonlarini yaratish, energiyani uzatish, uzoq kosmik aloqa, tibbiyot va ishlab chiqarishning baʼzi sohalarida maʼlum vazifalarni bajarishga) joriy etishdan iborat.
E. asboblari materiallarini olish va tayyorlash masalalarini materialshunoslik fani hal qiladi. Elektron asboblar texnologiyasi murakkab boʻlganligi uchun barcha texnologik jarayonlarni avtomatlashtirish talab qilinadi. Elektron asboblar texnologiyasi bilan bogʻliq boʻlgan masalalar mashinasozlik sanoatida elektron mashinasozligi tarmogʻining paydo boʻlishiga olib keldi. E. oldida boshqaruv, hisoblash, aloqa va oʻlchash elektron tizimlarida qayta ishlanuvchi maʼlumotlar miqdorini, integral sxemalar samaradorligini oshirish, stereotelevideniye prinsiplari va vositalarini ishlab chiqish, amalga oshirish, millimetrli va santimetrli diapazonda ishlovchi oʻta yuqori chastotali E. asboblarini yaratish, mukammallashtirish, kristall panjara boʻshliqlari — kanallarida harakatlanuvchi zarralar xossalaridan foydalanib generatorlar, kuchaytirgichlar kabi turli E. asboblari yaratish, elektron asboblar texnologiyasini mukammallashtirish masalalari turibdi. E. mehnat unumdorligini oshirishda juda qoʻl keladi. E. asboblari fan, texnika va ishlab chiqarishda keng qoʻllaniladi.
E. fani va texnikasining yutuqlari inson faoliyatining deyarli hamma sohalarida qoʻllanilmoqda. Elektron texnika vositalari keng koʻlamli asbob va qurilmalarning ajralmas qismiga aylandi. Ular orasida katta integral sxemalar (KIS) asosida yaratilgan mikroprotsessorlar alohida oʻrinni egallaydi. Soʻnggi vaqtlarda oʻta katta integral sxemalar (OʻKIS) ishlab chiqildi; ular asosida mikro EHM lar yaratiddi. Ular xalq xoʻjaligini boshqarishda, sanoatning turli sohalarida, tibbiyotda, inson hayoti va faoliyatining koʻpgina sohalarida keng qoʻllaniladi. E. fani va texnikasi asosan ikki yoʻnalish: informatsiyahisoblash taʼminoti muammolari hamda energiya olish va undan foydalanish yoʻnalishlari boʻyicha rivojlanmoqda.
Oʻzbekistonda E.ning rivojlanishi G.N. Shuppe, S.V. Starodubsev va U.O. Orifovlefning fizik E. sohasidagi ilmiy tadqiqotlari bilan boshlangan. Uzbekistonda E. boʻyicha ilmiy tekshirish ishlari Oʻzbekiston Fanlar akademiyasi Elektronika instituti, Fizikatexnika instituti, Toshkent texnika universiteti, Oʻzbekiston milliy universiteti va boshqa ilmiy tekshirish muassasalarida M.S. Saidov, Oʻ.X.Rasulov, N.Y. Toʻrayev, T.D. Rajabov, R. A. Moʻminov, A. T. Mamadalimov va boshqalar olimlar rahbarligida olib borilmoqda. Elektronika — fan va texnika sohasi bo'lib, axborot uzatish, qabul qilish, qayta ishlash va saqlash uchun ishlatiladigan elektron qurilmalar hamda asboblar yaratish usullarini o‘rganish, ishlab chiqish bilan shug'ullanadi. Elektronika elektromagnit maydon nazariyasi, kvant mexanikasi, qattiq jism tuzilishi nazariyasi va elektr o'tkazuvchanlik hodisalari kabi fizikbiiimlargaasoslanadi. Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar texnologiyasining takomillashuvi bilan chambarchas bog'liq bo‘lib, hozirgi kungacha to‘rt bosqichni bosib o‘tdi. Birinchi bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g'altaklari, magnitlar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi. Ikkinchi bosqich Li de Forest tomoniaan 1906-yilda triod lampasining ixtiro qilinishidan boshlandi. Triod elektr signallami o'zgartiruvchi va eng muhimi, quvvat kuchaytiruvchi birinchi aktiv elektron asbob boidi. Elektron lampalar yordamida kuchsiz signallami kuchaytirish imkoniyati hisobiga radio, telefon so‘zlashuvlarni, keyinchalik esa, tasvirlarni ham uzoq masofalarga uzatish imkoniyati (televideniye) paydo bo‘ldi. Bu davrning elektron asboblari passiv elementlar bilan birga aktiv elementlar — elektron lampalardan iborat edi. Uchinchi bosqich Dj. Bardin, V. Bratteyn va V. Shoklilar tomonidan 1948-yilda elektronikaning asosiy aktiv elementi bo'lgan bipolyar tranzistorning ixtiro etilishi bilan boshlandi. Bu ixtiroga Nobel mukofoti berildi. Tranzistor elektron lampaning barcha vazifalarini bajarishi bilan birga uning: past ishonchlilik, ko‘p energiya sarflash, katta o ‘lchamlari kabi asosiy kamchiliklaridan xoli edi. Tolrtinchi bosqich integral mikrosxemalar (IMS) asosida elektron qurilma hamda tizimlar yaratish bilan boshlandi va mikroelektronika davri deb ataldi. Mikroelektronika — fizik, konstruktiv-texnologik va sxemotexnik usullardan foydalanib yangi turdagi elektron asboblar - IMSlar va ularning qo'llanish prinsiplarini ishlab chiqish yo‘lida izlanishlar olib borayotgan elektronikaning bir yo‘nalishidir. Hozirgi kunda telekommunikatsiya va axborotlashtirish tizimining rivojlanish darajasi tom ma’noda mikroelektronika va nanoelektronika mahsulotlarining ularda qo'llanilish darajasiga bog‘liq. Birinchi IMSlar 1958-yilda yaratildi. IMSlaming hajmi ixcham, og‘irligi kam, energiya sarii kichik, ishonchliligi yuqori bo'lib, hozirgi kunda uch konstruktiv-texnologik variantlarda yaratilmoqda: qalin va yupqa pardali, yarimo'tkazgichli va gibrid. 1965-yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Murqonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi elementlar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 104-10° ta bo'lgan o'ta yuqori (O'YU IS) va giga yuqori (GYU IS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda. Mikroelektronikaning qariyb yarim asrlik rivojlanish davri mobaynida IMSlarning keng nomenklaturasi ishlab chiqildi. Telekommunikatsiya va axborot-kommunikatsiya tizimlarini loyihalovchi va ekspluatatsiya qiluvchi mutaxassislar uchun zamonaviy mikroelektron element bazaning imkoniyatlari haqidagi bilimlarga ega bo'lish muhim. Integral mikroelektronika rivojining fizik chegaralari mavjudligi sababli, hozirgi kunda an’anaviy mikroelektronika bilan birqatorda elektronikaning yangi yo'nalishi — nanoelektronika jadal rivojlanmoqda. Nanoelektronika o'lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo'lgan yarimo'tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo'lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo'lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi. U qattiq jism fizikasi, kvant elektronikasi, fizikaviy-kimyo va yarimo'tkazgichlar elektronikasining so'nggi yutuqlari negizidagi qattiq jismli texnologiyaning bir qismini tashkil etadi. So'nggi yillarda nanoelektronikada muhim amaliy natijalarga erishildi, ya’ni zamonaviy telekommunikatsiya va axborot tizimlarning negiz elementlarini tashkil etuvchi: geterotuzilmalar asosida yuqori samaradorlikka ega lazerlar va nurlanuvchi diodlar yaratildi; fotoqabulqilgichlar, o'ta yuqori chastotali tranzistorlar, birelektronli tranzistorlar, turli xil sensorlar hamda boshqalar yaratildi. Nanoelektron O'YIS va GYIS mikroprotsessorlarni ishlab chiqarish yo'lga qo'yildi. Shvetsiya Qirolligi fanlar akademiyasi ilmiy ishlarida tezkor tranzistorlar, lazerlar, integral mikrosxemalar (chiplar) va boshqalami ishlab chiqish bilan zamonaviy axborot kommunikatsiya texnologiyalariga asos solgan olimlar: J.I. Alferov, G. Kremer, Dj.S. Kilbini Nobel mukofoti bilan taqdirladi. Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda funksional elektronika rivojlanmoqda. Elektronikaning bu yo'nalishi an’anaviy elementlar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar)dan voz kechish va qattiq jismdagi turli fizik hodisa (optik, magnit, akustik va h.k.)lardan foydalanish bilan bog'liq. Funksional elektronika asboblariga akustoelektron, magnitoelektron, kriogen asboblar va boshqalar kiradi.
Atom dagi ixtiyoriy elektron energiyasi kabi, valent elektron energiyasi W h a m diskret yoki kvant langan bo'ladi. U energetik sath deb ataluvchi m a ’lum ruxsat etilgan cnergiyaga ega bo'ladi. Qattiq jismda qo'shni atom lar bir-biriga juda yaqin joylashgan bo'lgani uchun energetik sathlar siljishi va parchalanishi yuzaga keladi, natijada ruxsat etilgan zona deb ataluvchi energetik zonalar hosil bo'ladi. Ruxsat etilgan zonalar orasida taqiqlangan zonalar joy 1 as h a d i. Energetik zonada ruxsat etilgan sat hlar soni kristal dag i a to m lar soniga teng. Ruxsat etilgan zonalar kengligi odatda bir necha elektron — voltni tashkil etadi. Ruxsat etilgan zonadagi minimal energetik sath ( IVS) — zona tubi deb, maksimal sath ( У/ц) esa — zona shipi deb ataladi. Y arim o’tkazgich yoki dielektrikning ruxsat etilgan eng yuqori en erg etik sath lari o'tkazu vch an lik zona deb ataladi. Ushbu zona energiyalariga ega bo'lgan elektronlar yarimodkazgich hajmida tashqi elektr m aydon ta ’sirida harakatlanib elektr o'tkazuvchanlikni hosil qiladilar. O 'tkazuvchanlik zonasiga tegishli energetik sathda joylashgan elektron o'tkazuvchanlik elektron i yoki |r erk in za r y a d tashuvchi deb ataladi. Taqiqlangan zona ostida joylashgan ruxsat etilgan zona valen t zona deb a t a l a d i . Q a t t i q j i s m n i n g z o n a l a r diagram m asi 1.2-rasm da keltirilgan. K o 'p c h ilik y a rim o 'tk a z g ic h asboblarning ishlashi valent zona shipi va o 'tk a z u v c h a n lik zo n a tubi energiyalariga yaqin ((2-^3) El A'7energetik oraliqdagi) cnergiyaga ega elektron harakati bilan bclgilanadiektronlar harakatlanganda ularning impulsi P va energiyasi W o ‘zg arad i. B u n d a e le k tro n e n e rg iy a sin in g im p u lsg a b o g d iqligi o'tkazuvchanlik zona tubi va valent zona shipi yaqinida taxminan kvadratik (elektron massasi taxm inan o'zgarmas) bo'ladi. Impuls P elektronlar to'lqin vektori к bilan bevosita bog’liq. Arsenid galliy va krem niy uchun W ^ flk ) bog'liqlik 1.3-rasmda keltirilgan. Arsenid g alliyning valent va o 'tk a z u v c h a n lik zonalari u ch u n W = f(k ) parabolaning cho'qqilari к ning bir xil qiymatlariga, krem niy uchun esa turli qiymatlariga mos keladi. Arsenid galliyda elektron zonalararo o'tganda harakatning aw algi holatida qoladi, ya’ni к ning qiymati o'zgarmaydi. Kremniyda esa elektronning to'lqin vektori к zonalararo Odatda, arsenid galliy holida zonalararo to'g'ri (vertikal) o'tish haqida. kremniy holida esa. to'g'ri bo'lmagan zonalararo o'tish haqida so'z yuritiladi va ular mos ravishda, zonalararo to 'g'ri hamda to'g'ri bo'lm agan o'tish deb ataladi. Umumiy holda, elektron energiyasining zonadagi impulsga bog'liqligi kvadratik emas. O'tkazuvchanlik zona tubi yaqinida bir yoki bir nechta lokal minimumlar mavjudligi tufayli W = f( k ) b o g 'la n ish y u q o ri a n iq lik d a p a ra b o la k o 'rin is h d a , elektronlarning effektiv massasi esa — o 'zg arm as bo'lishi m um kin. Ushbu m inim um larning to'lq in soni noldan farqli qiym atlarda joylashadi. Masalan, arsenid galliyda taqiqlangan zona kengligi o'tkazuvchanlik zo n a to'g'ri o'tishi m ini m um i 1,43 eV (1.3, d -rasm , G — minimum) bilan a n iq la n a d i, e n e rg iy a 1,9 eVga te n g b o 'lg a n da esa, < 100> kristalografik yo'nalishga siljigan, to 'g 'ri b o 'lm ag an m in im u m (X — minimum) mavjud. K rem niyda X — m in im u m taqiqlangan zona kengligini aniqlovchi asosiy m inim um dir (1.3, b va e-rasmlar). Bu holda yarimo'tkazgich “ t o 'g 'r i b o 'lm a g a n ” z o n a la r tiz im ig a ega b o 'la d i. B unda elektronlarning valent zonadan o'tkazuvchanlik zonaga yorug'lik kvanti ta ’siri ostida /zD> Wg o'tishi qiyinroq kechadi. Haqiqatan ham. bunda elektron o'zin in g harakat holatini (ДА' qiym atga) keskin o'zgartirishi, ham da unga uzatiladigan yoki undan olinadigan energiya Aga o ’zgartirilishi kerak (1.3, e-rasm ga qarang). Yarimo'tkazgichlarda taqiqlangan zona kengligi deb ataluvchi PVg para met r eng m u h im p a ra m e tr hisoblanadi. T em p eratu ra ortishi bilan taqiqlangan zona kengligi kamayib boradi. Kremniy va arsenid galliy uchun lVg( T) bog'laniso'tish amalga oshirilganda aniqlik kiritilishiga muhtoj. Kristall panjara tebranishlari zonalararo o'tish sodir etayotgan elektronga uning impulsini saqlash imkonini yaratadi. Odatda, arsenid galliy holida zonalararo to'g'ri (vertikal) o'tish haqida. kremniy holida esa. to'g'ri bo'lmagan zonalararo o'tish haqida so'z yuritiladi va ular mos ravishda, zonalararo to 'g'ri hamda to'g'ri bo'lm agan o'tish deb ataladi. Umumiy holda, elektron energiyasining zonadagi impulsga bog'liqligi kvadratik emas. O'tkazuvchanlik zona tubi yaqinida bir yoki bir nechta lokal minimumlar mavjudligi tufayli W = f( k ) b o g 'la n ish y u q o ri a n iq lik d a p a ra b o la k o 'rin is h d a , elektronlarning effektiv massasi esa — o 'zg arm as bo'lishi m um kin. Ushbu m inim um larning to'lq in soni noldan farqli qiym atlarda joylashadi. Masalan, arsenid galliyda taqiqlangan zona kengligi o'tkazuvchanlik zo n a to'g'ri o'tishi m ini m um i 1,43 eV (1.3, d -rasm , G — minimum) bilan a n iq la n a d i, e n e rg iy a 1,9 eVga te n g b o 'lg a n da esa, < 100> kristalografik yo'nalishga siljigan, to 'g 'ri b o 'lm ag an m in im u m (X — minimum) mavjud. K rem niyda X — m in im u m taqiqlangan zona kengligini aniqlovchi asosiy m inim um dir (1.3, b va e-rasmlar). Bu holda yarimo'tkazgich “ t o 'g 'r i b o 'lm a g a n ” z o n a la r tiz im ig a ega b o 'la d i. B unda elektronlarning valent zonadan o'tkazuvchanlik zonaga yorug'lik kvanti ta ’siri ostida /zD> Wg o'tishi qiyinroq kechadi. Haqiqatan ham. bunda elektron o'zin in g harakat holatini (ДА' qiym atga) keskin o'zgartirishi, ham da unga uzatiladigan yoki undan olinadigan energiya Aga o ’zgartirilishi kerak (1.3, e-rasm ga qarang). Yarimo'tkazgichlarda taqiqlangan zona kengligi deb ataluvchi PVg para met r eng m u h im p a ra m e tr hisoblanadi. T em p eratu ra ortishi bilan taqiqlangan zona kengligi kamayib boradi. Kremniy va arsenid galliy uchun lVg( T) bog'lanish.

Foydalangan adabiyotlar

T .D . Radjabov, 0 ‘zFA akadem igi, N .N . Fomin, texnika fanlari doktori, professor, M .K . Boxodirxonov, fizik a-m atem atik a fanlari d o k to ri, professor, A.A. Xoliqov, texnika fanlari d oktori, professor, A.A. Abduazizov, texnika fanlari nom zodi, d otsent
Darslikda yarim o‘tkazgichli diskret hamda analog va raqamli elektronika qurilmalarining negiz. elementlari к о ‘rib chiqilgan. Diod. tranzistor va ko'p qatlamli yarimo'tkazgich asbobtar tasnifi, volt-amper va boshqa xarakteristikalari, asosiy parametrlari, ulanish sxemalari, ishchi rejimlari, matematik modellari, qo ‘llanilish sohalari va ular asosidagi qurilmalaming analiz va sintez asoslari keltirilgan. Integral mikrosxemalar, operatsion kuchaytirgich va uning asosidagi analog qurilmalar, raqam li texnika asoslari, raqam li texnika negiz elem entlari, fu n k sio n a l va nanoelektronika asoslari bay on etilgan.
Darslik 5311300— “Telekommunikatsiya”,
5311200— “Televideniye, radioaloqa va radioeshittirish ”,
5311100 — “Radioelektron qurilmalar va tizim lar”
5311400 — “Mobil aloqa tizimlari ”,
5111000 — “Kasb ta Ttmi ”yo ‘nalishlarida ta ’lim olayotgan talabalar uchun mo 'Ijallangan.