Sərbəst iş №1 Nanotexnologiya və onun inkişaf prespektivləri

Kvant çuxurları.
Bunlar ikiölçülü quruluşlar olub (2D) kvant məhdudiyyəti yalnız bir istiqamətdə olur. Bu quruluşlarda yükdaşıyıcılar xy müstəvisində sərbəst hərəkət edə bilər. Onun enerjisi kvantlanmış qiymətlərdən toplanır. Bu qiymətlər z istiqamətində kvant məhdudiyyəti effektindən və x və y istiqamətində kəsilməz toplananlardan təyin edilir
E = ћ²k_x²/2m* + ћ²k_y²/2m* +ћ²π²n²/2m*l_z²
k- fəzasında kvant çuxurunun energetik diaqramı parabolik zonalar ailəsini təsvir edir, hansı ki, bir-birləri ilə kəsişərək altzonaları əmələ gətirir. n- altzonasında elektronun minimal enerjisi E_n enerjisi ilə ifadə edilir. Bu enerjili elektron potensial çuxurun müstəvisində tərpənməzdir.


Sərbəst iş №3
Qaz fazasından kimyəvi çökdürmə, onun növləri və qanunauyğunluqları. Katod tozlandırılması üsulu
Qaz fazasından kimyəvi çökdürmə yarımkeçirici epitaksial təbəqələrin yaradılması üçün ən geniş istifadə olunan üsullardandır. Onun vasitəsilə monokristal altlıq üzərində istiqamətlənmiş monokristal nazik təbəqə alınır. Bu zaman nazik təbəqənin materialı qaz fazasından gəlir. Qaz mühiti kristallaşan materialın buxarından və ya qaz halında reaqentlərdən təşkil oluna bilər. Reaqentlər kimyəvi proses zamanı altlıq üzərində epitaksial göyərmə üçün material yaradır. Nazik təbəqələrin çökdürülməsi adətən axarı olan kameralarda aparılır. Bu kameralarda uyğun reaqentləri olan daşıyıcı-qaz qızdırılmış monokristal altlıq üzərindən buraxılır. Altlığın kimyəvi tərkibi, qazın təzyıqı və altlığın temperaturu əsas parametrlər olub, nazik təbəqənin çökdürülməsi prosesinə və onun keyfiyyətinə nəzarət etməyə imkan verir.
Metal–üzvi birləşmələrdən ilkin qaz halında reaqentlər kimi istifadə olunması mükəmməl ifratqəfəslərin yaradılmasında ən yüksək nəticələr verir. Bu zaman qəfəsin sərhədləri çox dəqiq və onun qalınlığı bir monotəbəqə qədər ola bilər. Metal–üzvi anlayışı böyük bir qrup birləşmələri əhatə edir. Bu materiallarda kimyəvi rabitələr metal-karbon, metal-oksigen-karbon şəklində olur. Praktikada ən çox istifadə olunan metil (CH3) və etil (C2H5 ) qruplu radikalların metal oksidləridir. Otaq temperaturunda onların əksəriyyəti maye şəklindədir. Onları qaz daşıyıcısının tərkibində reaksiya kamerasına daxil edirlər. Qaz daşıyıcısı maye halında olan metal–üzvi birləşmədən keçir. Çökdürmə həm atmosfer təzyiqində, həm də kamerada reaqentlərin aşağı təzyiqlərində aparıla bilər.
Pirolizin (ayrılma) temperaturu 600-800oC olur. Altlıq və böyüyən nazik təbəqə adətən 450kHs–də yüksəktezlikli generator vasitəsilə qızdırılır. Piroliz açıq reaktorda atmosfer və ya aşağı təzyiqdə (70 mm civə sütunu) baş verir. Birləşmənin göyərdilməsi zamanı qaz qarışığının təzyiqini aşağı salmaqla heteroquruluşda əsas komponentlərin və aşqarların konsentrasiya qradiyentini idarə etmək olar. Aşağı təzyiqlərdə göyərmə atmosfer təzyiqindəkinə nisbətən qaz selinin daha böyük sürətlərində aparılır ki, bu da bircins təbəqələrin alınmasına şərait yaradır. Təbəqənin səthinin yaxınlığında keçid oblastı yerləşir ki, burada qaz qarışığının parametrləri konveksiya oblastına uyğun gələn qiymətlərdən səth təbəqəsinin parametrlərinə uyğun gələn qiymətlərə qədər sıçrayışsız dəyişir. Horizontal reaktorlarda keçid oblastının qalınlığı təxminən 4 mm-ə bərabər olur. Qaz qarışığının tempetaturu və onun tərkibi sərhəd təbəqəsində böyümə səthinə qədər olan məsafədən asılıdır. Konveksiya oblastında qazın temperaturu göyərmə temperaturundan kiçikdir və qaz fazasının tərkibi dəyişmir. Əksər hallarda isə göyərdilən təbəqələrin elektrik və kristalloqrafik xassələri sərhəd təbəqəsinin xarakterindən asılıdır.
GaAs və AlxGa1-xAs yarımkeçirici birləşmələrinin göyərdilməsində trimetilqallium və arseniumhidrid arasında gedən kimyəvi reaksiyadan istifadə olunur.

Bu cür reaksiya digər ikiqat, üçqat və dördqat birləşmələrin göyərdilməsində də istifadə edilir. Məsələn AlxGa1-xAs aşağıdakı reaksiyanın nəticısində alınır.

Bu halda AlxGa1-xAs - da aluminiumun x atom konsentrasiyası trimetilqallium və trimetilaluminiumun qaz fazasında nisbi parsial təzyiqləri ilə təyin edilir. Zn və ya Cd kimi akseptor aşqarları qaz (reaksiya) kamerasına alkillərin, Si, S, Se kimi donor aşqarları isə hidridlərin tərkibində və ya ayrıca verilir. Bu metod vasitəsilə ardıcıl olaraq çoxtəbəqəli, çoxkomponentli epitaksial quruluşları vahid tsikldə almaq olar, çünki reaktora eyni zamanda bir neçə material mənbəyi qoşmaq və reaktorda qaz qarışığının tərkibini dəyişmək olar. Lazımi dəyişikliyi təmin etmək üçün istifadə olunan sürət reaktorun həndəsi ölçülərindən və reaktordan keçən qaz selinin miqdarından asılıdır. Bu üsulun köməyi ilə yüksək keyfiyyətli ayrı-ayrı təbəqələrdən təşkil olunmuş quruluşlar, o cümlədən kvant ipləri və kvant nöqtələri almaq mümkündür və onların qalınlığı 5-6 atomlararası məsafəyə qədər ola bilər. Bu texnologiyanın üstünlüyü ondan ibarətdir ki, onun vasitəsilə yüksək sürətlə və böyük səthə malik kütləvi istehsal təşkil etmək mümkündür. Çox sayda fırlanan altlığı olan müasir qurğu aşağıdakı şəkil 2–də verilmişdir.
Metal–üzvi birləşmələrin qaz fazadan kimyəvi çökdüülməsi demək olar ki, bütün binar, üçqat və dördqat AIIIBV YK birləşmələrin nazik təbəqələrinin alınmasını təmin edir və bu zaman stexiometrik tərkib çox yüksək dəqiqliklə gözlənilir. Bu üsul həmçinin digər YK–in, məsələn AIIBVI birləşmələrinin, eləcə də oksidlərin nazik təbəqələrinin çökdürülməsi üçün tətbiq edilir. Bu üsulla təkcə epitaksial təbəqələr yox, həm də kvant ipləri və kvant nöqtələri formalaşdırmaq mümkündür.
Qaz fazadan kimyəvi çökdüülmə üsulu müxtəlif elektron qurğularında tətbiq edilən nanoboruları kütləvi istehsal şəraitində sintez etmək üçün ən perspektivli üsullardan biridir. Bu üsul altlıq üzərində birtəbəqəli nanoborular almağa imkan verir. Bundan başqa bu üsul altlığın müəyyən hissələrində karbon nanoboruları formalaşdırmağa və bu prosesə nəzarət etməyə imkan verir.
Skanedici zond üsulu ilə bərk cismin səthində atomlarla manipulyasiya etməklə onun səthinin quruluşunu dəyişdirmək və nanoölçülü quruluşları yaratmaq olar. Bunun üçün skanedici tunel mikroskopu (STM) və atom-qüvvə mikroskopundan (AQM) istifadə edilir. Üsulun əsasını atomar sivri uca malik zondun çox yüksək dəqiqliklə nümunənin səthi boyunca yerdəyişməsi təşkil edir. Bu zaman zond səthə (0,1-0,3)nm məsafədə yerləşdirilir və zonda elektrik sahəsi tətbiq olunur. Belə kiçik məsafələrdə zondla nümunənin səthi arasında elektronların tunel mübadiləsi baş verir. Tunel cərəyanı zondla səth arasındakı məsafədən eksponensial asılı olduğundan, nümunənin səthinin quruluş qeyri–bircinsliliyinə qarşı çox həssasdır. Bu baxımdan zondu səth boyunca hərəkət etdirərək, tunel cərəyanına nəzarət edilir və onun dəyişməsinə əsasən səthin topologiyası atomar ayırdetmə ilə təhlili edilir. Bu yolla səthdəki atomları nəinki “görmək”, hətta müxtəlif kimyəvi tərkibli hissələri fərqləndirmək olur. Bu zaman şaquli ayırdetmə 0,01-0,05 nm-ə, üfqi ayırdetmə isə 0,3 nm-ə çatır. Atom-qüvvə mikroskopunda (AQM) tunel cərəyanı əvəzinə nümunənin səthi ilə zond arasındakı qarşılıqlı təsir qüvvəsi qeyd olunur. Bu qüvvəni təyin etmək üçün sivri uclu zondu elastiki konsola bərkidirlər. Konsolun əyilməsi (yerdəyişməsi) ona təsir edən qüvvə ilə mütənasib olur. Bu əyilmə çox yüksək dəqiqliklə optik və ya elektrik üsullarla qeyd olunur. Təhlil edilən səth boyunca zondun yerdəyişməsi zamanı konsolun əyilməsindən alınan siqnal nümunənin səthi boyunca atomar və molekulyar qüvvələrin paylanması haqqında məlumat verir. Beləliklə, səth atomlarının yerləşməsi və təbiəti barədə məlumat əldə edilir.
Skanedici zondlardan istifadə etməklə ayrı-ayrı atomlarla manipulyasiya etmək, səthin lokal oksidləşməsini həyata keçirmək, onun üzərinə müxtəlif materialları çökdürmək, aşağı enerjili elektron-şüa litoqrafiyasını reallaşdırmaq mümkündür. Paralel köçürülmə zamanı atom və molekulların səth boyunca paralel köçürülməsi, perpendikulyar köçürülmə zamanı isə onların səthdən zondun ucluğuna və əksinə köçürülməsi baş verir. Hər iki halda səthin atom səviyyəsində yenidən qurulması prosesi baş verir. Belə yenidən qurmaya kimyəvi əlaqələrin selektiv parçalanması və yeni əlaqələrin yaranması kimi baxmaq olar. Digər nöqteyi nəzərdən bu atomun potensial səth boyunca başlanğıc haldan son hala hərəkəti ilə ekvivalentdir. Hər iki yaxınlaşma skanedici tunel mikroskopunun zondu vasitəsilə atomların manipulyasiyasının həyata keçirilməsinin fiziki mexanizmini başa düşməyə imkan verir.
Atomların səthə paralel olaraq yerdəyişməsi diffuziya və ya atomların sürüşməsi vasitəsilə həyata keçirilə bilər. Hər iki halda yerini dəyişən atomlarla altlıq arasında əlaqə qırılmır. Adsorbsiya olunmuş atom həmişə potensial çuxurda olur. Onun yerdəyişməsi üçün lazım olan enerji səth boyunca baş verən diffuziyanın energetik çəpərinə uyğundur. Adətən o, adsorbsiya enerjisinin (0,1÷0,3) hissəsinə uyğun gəlir ki, bu (0,01÷1,0) eV enerji diapazonuna uyğundur. Səthdə adsorbsiya olunmuş atomların sahə diffuzuyası zondun ucu ilə səth arasında yaranan güclü qeyri–bircins elektrik sahəsinin təsiri ilə induksiya olunur. Bu sahənin intensivliyi (30÷50) V/nm tərtibində olur. Bu atomların ionlaşması və desorbsiyası üçün kifayət edir. Səth diffuziyasını sürətləndirmək üçün kiçik intensivlikli elektrik sahəsi kifayət edir. Adsorbsiya olunmuş atomun dipol momenti ilə zondun öz ətrafında induksiya etdiyi qeyri–bircins elektrik sahəsi arasında qarşılıqlı təsir yaranır. Bu qarşılıqlı təsir potensial qradiyentinin azalması istiqamətində həmin atomun diffuziyasına səbəb olur. Xarici elektrik sahəsində adsorbsiya olunmuş atomun dipol momenti iki toplananla təyin olunur – μ statik dipol momenti və α sahə tərəfindən induksiya olunmuş moment: p= μ+ E(r)+..., burada –polyarlaşma tenzoru, E(r) isə elektrik sahəsinin intensivliyidir.