DKning yana bir aniqlik parametri – siljitish toki ΔISIL dir. U kirish toklari ayirmasidan iborat. Parametrning an’anaviy qiymatlari mikroamperlardan nanoamper ulushlarigacha bo‘ladi. Siljish toki signal manbai qarshiligi RG orqali o‘tib, unda yolg‘on signal hosil qiladi. Masalan, agar ΔISIL= 20 nA va RG= 100 kOm bo‘lsa,ΔISIL · RG =2 mV ni tashkil etadi.
1-rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi.
O‘rtacha kirish toki IKIR.O‘RT VA DKning aniqlik parametrlaridan hisoblanadi. O‘rtacha kirish toki siljish tokidan ancha katta qiymatga ega va turli DK larda 1÷7·103 nA bo‘ladi. O‘rtacha kirish toki signal manbai qarshiligi RG orqali o‘tib, unda kuchlanish pasayishi hosil qiladi. Bu kuchlanish o‘zini kiruvchi sinfaz signaldek tutadi. KU.SF marta so‘ndirilgan ushbu kuchlanish DK chiqishida yolg‘on signal sifatida hosil bo‘ladi.
DK kuchaytirish koeffitsiyenti kollektor zanjiridagi RK yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada RK qiymatining ortishi bilan, kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda, kuchlanish manbai qiymati VA ortadi. Shuning uchun DKlarda kuchaytirish koeffitsiyentini oshirish uchun, RK rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv) yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar YOKI maydoniy tranzistorlar asosida hosil qilinadi. Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK sxemasi 7.3-rasmda keltirilgan. Ikkinchi BTG p – n – p turli VT3 va VT4 tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi.
Xulosa
Xulosa
Differensial kuchaytirgichda chiqishida nolga teng kuchlanish olish uchun kirishga beriladigan kuchlanish qiymati siljituvchi kuchlanish deb atalar ekan. Gap shundaki, yelkalar assimmetriyasi hisobiga kirishda signal bo‘lmagan holda, chiqishda qandaydir kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu kuchlanish signal sifatida qabul qilinishi mumkin .