Toshkent axborot texnologiyalari

---

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI 
UNIVERSITETI FARG’ONA FILIALI 
 
 

---

TT va KT fakulteti 630-21-guruh 
Telekomunikkatsiya texnologiyalari yo‘nalishi 
talabasi Aynazarov Og’abek Elektronika va 
sxemalar fanidan tayyorlagan 
MUSTAQIL ISHI 
Topshirdi: 
Aynazarov.O 
Qabul qildi: 
Rayimjonova.O 

---

Mavzu:
 
Maydoniy tranzistorlar volt-amper xarakteristikalari va parametrlari, ularning 
ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi
Reja:
1.Tranzistorlar
2.Maydoniy tranzistorlar 
3.Maydoniy transistor xarakteristikalari va parametrlari 
4. Maydoniy tranzistorlarning ish rejimlari
5.Xulosa 

---

Tranzistor (
inglizcha
: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — 
elektr 
tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash 
(hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika 
qurilmalarining asosiy elementi. Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga 
ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (
p-tipli 
va 
n-
tipli
) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan 
p-
n oʻtish 
hisobiga ishlaydi va bazaemitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi 
(n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi 

---

shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi 
kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
TRANZISTORLAR
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar 
Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy 
tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham 
elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi 
— IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun 
William Shockley
, 
John Bardeen 
va 
Walter 
Brattain 
fizika boʻyicha 
Nobel mukofoti 
bilan taqdirlanishgan.
 
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga 
tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish 
va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, 
elektromagnit rele 
va mexanik uzib-ulagichlarga 
ehtiyoj qolmadi. Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan 
oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa 

---

XX asrning 70yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy 
triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
TRANZISTORLAR
Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-yilda ingliz olimi 
Maykl Faradey 
yarimoʻtkazgich material — kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar 
elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi.
1874-yil nemis fizigi 
Karl Ferdinand Braun 
metall-yarimoʻtkazgich kontaktida bir tomonlama oʻtkazuvchanlik 
hodisasini aniqladi.
1906-yili injener 
Grinlif Vitter Pikkard 
nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi.
1910-yilda ingliz 
fizigi Uilyam Ikklz 
baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini 
aniqladi. 1922-yilda esa 
Oleg Losev
, maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan 
diodlarni yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi. Bu 
davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng 
oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday 
fizik hodisalar roʻy berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga ham kelishgan.

---

Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga elektron lampalar kirib keldi. Bu soha 
yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda kengroq oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassisradiotexniklar aynan 
shu sohada ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt va „injiq“ qurilmalar sifatida baho berilgan. Oʻsha 
vaqtlarda yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim payqamagan.
Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha yoʻllar bilan kashf qilingan.