Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таьлим вазирлиги ислом каримов номидаги тошкент
Yüklə 1,31 Mb. Pdf görüntüsü
|
|
ln A E g 2kT tenglamadan hosil qilingan qiya to‘g‘ri chiziq tangensi yordamida kirishmalarning man qilingan sohada joylashgan energetik sathlari holatini aniqlash mumkin. Yuqori haroratli sharoitda olingan hollarda esa yarimo‘tkazgich matrialning man qilingan sohasi kattaligini, ya’ni E g ni aniqlash mumkin [3,4 – 6]. Quyosh elementi tayyorlashda Quyosh nurlanishining yarimo‘tkazgich material bilan o‘zaro ta’siri, fotonlar energiyasi materialdagi elektronlarda yutilishi va chiqishi jarayonlari muhim ahamiyatga egadir. Kvant mexanikasida elementar zarrachalar, shu jumladan elektronlar ham to‘lqin xossalariga ham ega deb qaraladi. Shuning uchun elementar zarrachalar harakatini o‘rganishda energiya (E) va impuls (P) bilan bir qatorda, ularning to‘lqin uzunliklari λ va chastatasi ν va to‘lqin vektori K P h , ( h – Plank doimiyligi ) ham ishlatiladi. Bu erda E
h va P h ga teng [5-6]. Kristallning sohali tuzilmasini E – K diagrammalar bilan tasvirlash mumkin. Bu erda energiya elektron – voltlarda (eV) to‘lqin vektori K – kristalli panjara doimiyligi qismlarida ko‘rsatiladi, shu bilan birga K o‘qida ko‘rsatkichlar yordamida kristall orientattsiyasining yo‘nalishi ko‘rsatiladi. E–K diagrammasining ko‘rinishi vositasida sohalararo o‘tishlarning yarimo‘tkazgich materialdagi xarakteri va jumladan o‘tishning «to‘g‘ri» yoki «to‘g‘rimas»ligini aniqlash mumkin [6].
31
Agar o‘tkazuvchanlik sohasi tubidagi va valent sohasi ustidagi holatlar zaryad tashuvchilar bilan to‘ldirilgan bo‘lsa, u xolda optik o‘lchashlar natijasi kirishmali yarimo‘tkazgichli materiallar uchun E g sof xususiy materialga tegishli qiymatidan kattaroq bo‘lishi mumkin. Agar kirishmalar hosil qilgan soha eng yaqin ruxsat etilgan soha chegarasi bilan birlashib ketsa, masalan, ko‘p miqdordagi kirishmalar kiritilganda kuzatiladigan holat, u xolda E g kamayadi. E g ning bunday kamayishi asosiy yutilish chegarasiga ta’sir qiladi [7-8]. Yarimo‘tkazgich materialda yutilish koeffitsienti α odatda to‘lkin energiyasining 1 masofada e marotaba kamayishi orqali aniqlanadi va u N N 0 exp
l dan topiladi, bu erda N – yarimo‘tkazgich materialda ℓ chuqurlikka kirgan fotonlar oqimining zichligi, N o – material sirtini kesib o‘tuvchi fotonlar oqimining zichligi. Fotoelektrik effektga asoslangan yarimo‘tkazgich materiallarda p – n o‘tishli tuzilmalardan iborat quyosh elementida, ularga tushayotgan Quyosh nuri bevosita elektr energiyasiga aylantiradi. Shuning uchun, quyosh elementi fotoqabulqilgich va fotoqarshiliklardan farqli ravishda tashqi kuchlanish manbaiga muhtoj emas [9]. Bu effekt yuz yildan ortiq vaqt davomida selen va mis oksidining fotoelektrik xususiyatlari sifatida o‘rganib kelingan, ammo ularning foydali ish koeffittsienti (F.I.K.) 0,5 % oshmagan [8]. Bu muammoning nisbatan faol echilishi yarimo‘tkazgich materiallar elektron tuzilishining soha nazariyasi yaratilganidan keyin, materiallarni kirishmalardan tozalash va nazoratli kirishmalar kiritish texnologiyasi, hamda p – n o‘tishning nazariyasi yaratilishi bilan bog‘liqdir. So‘nggi 35 yil davomida energiya manbai sifatida yuqori samarali Si, GaAs, InP, CdTe va ularning qattiq qotishmalari asosida FIK 20-24 % bo‘lgan quyosh elementi yaratildi. Kaskadli quyosh elementi larda esa FIK 30% gacha etkazildi [3- 4].
32
Keng tarqalgan kremniy asosidagi quyosh elementi lari konstruktsiyasi qarama-qarshi tipdagi p va n – materialning bir – biriga yaqin tutashtirishdan hosil qilinadi. Yarimo‘tkazgich material ichidagi p va n – tip materiallar orasidagi o‘tish sohasi (chegara xududi) elektron – teshik yoki p – n o‘tish deyiladi. Termodinamik muvozanat holida elektron va teshiklar muvozanat holatini belgilovchi Fermi sathi materialda bir xil holda bo‘lishi kerak. Bu shart p – n o‘tish hududida ikkilangan zaryadli qatlam hosil qiladi va uni hajmiy zaryad qatlami deyilib, unga taaluqli elektrostatik potentsial paydo bo‘ladi [10]. P – n tizilma sirtiga tushgan optik nurlanish sirtdan material ichiga qarab p – n o‘tish yo‘nalishiga perpendikulyar ravishda konsentrattsiyasi kamayib boruvchi elektron – teshik juftliklar hosil qiladi. Agar sirt yuzasidan p – n o‘tishgacha bo‘lgan masofa nurning kirish chuqurligidan (1G’ά dan) kichik bo‘lsa, elektron-teshik juftliklar p – n o‘tishdan ichkarida ham hosil bo‘ladi. Agar p – n o‘tish juftlik hosil bo‘lgan joydan diffuzion uzunlikchalik masofa yoki undan kamroq masofada bo‘lsa, zaryadlar diffuziya jarayoni natijasida p – n o‘tishga etib kelib, elektr maydoni ta’sirida ajratilishi mumkin. Elektronlar p – n o‘tishning elektron bor bo‘lgan qismiga (n – qismiga), teshiklar p – qismiga o‘tadi. Tashqi p va n – sohalarni birlashtiruvchi elektrodlarda (kontaktlarda) potentsiallar ayirmasi hosil bo‘lib, natijada ulangan yuklanma qarshiligi orqali elektr toki oqa boshlaydi (2.2 rasm). P – n o‘tishga diffuziyalangan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar, potentsial to‘siq bo‘lganligi sababli, ikkiga ajratiladi. Ortiqcha hosil bo‘lgan (to‘siq yordamida ajratilgan) va to‘plangan, n – sohadagi elektronlar va p – sohadagi teshiklar p – n o‘tishdagi mavjud hajmiy zaryadni kompentsatsiya qiladi, ya’ni mavjud bo‘lgan elektr maydoniga qarama – qarshi elektr maydonini hosil qiladi. Yoritilish tufayli tashqi elektrodlarda potentsiallar ayirmasi hosil bo‘lishi bilan birga yoritilmagan p – n o‘tishdagi mavjud potentsial to‘siqning o‘zgarishi ro‘y beradi. Hosil bo‘lgan foto – EYUK bor bo‘lgan potentsial to‘siq qiymatini kamaytiradi [9-10]. Bu esa o‘z navbatida qarama – qarshi oqimlarning paydo bo‘lishini ta’minlaydi, ya’ni elektron qismdan elektronlar oqimini, p – qismdan teshiklar oqimini hosil qiladi. Bu oqimlar p – n o‘tishga qo‘yilgan elektr kuchlanishi 33
ta’siri natijasida tug‘ri yo‘nalishdagi tok bilan deyarli teng bo‘ladi. Yoritilish jarayoni boshlangan vaqtdan boshlab ortiqcha (muvozanatdagiga nisbatan) zaryadlarning to‘planishi (elektronlarning n – sohada va teshiklarning p – sohada) potentsial to‘siq balandligini kamaytiradi, yoki boshqacha qilib aytganda elektrostatik potentsialni pasaytiradi (2.3 – rasm). Bu esa o‘z navbatida tashqi yuklanmadan oqayotgan tok kuchini oshiradi va qarama – qarshi oqimlar hosil qiluvchi elektronlar va teshiklar oqimini p – n o‘tishdan o‘tishini ta’minlaydi. Yorug‘lik tufayli hosil bo‘lgan ortiqcha juftliklar soni p – n o‘tish yoki tashqi yuklanma orqali ketayotgan juftliklar soniga teng bo‘lganda stattsionar muvozanat hosil bo‘ladi. Odatda bu hol yoritilish jarayonining mingdan bir soniyasi davomida ro‘y beradi [3-4]. Quyosh elementi qisqa tutashuv toki I kz ni, tushayotgan optik nurlanish zichligi va spektral tarkibidan o‘rganish element tuzilmasi ichida bo‘layotgan alohida har bir nurlanish kvantining elektr energiyasiga aylanish jarayoni samaradorligi haqida tasavvur hosil bo‘lish imkoni yaratib beradi. Quyosh elementi uchun ma’lum yorug‘lik oqimi zichligi tushayotgan hol uchun quyidagi tenglamani keltirish mumkin.
Yüklə 1,31 Mb. Dostları ilə paylaş:
|