Zbekiston respublikasi

Zamonaviy elektronika elementlari plenkalarini eritmalardan o‘stirish usullari

Zamonaviy elektronika elementlarini plenkalarini eritmadan o‘stirishning ayrim usullarini qisqacha ko‘rib o‘tamiz.

1)To‘yintirilgan eritmadan yo‘naltirilgan kristallizatsiya usuli. Birikmali yarim o‘tkazgichlar o‘stirish usullaridan biri bo‘lib hisoblanadi. AV birikmali yarim o‘tkazgichli materialni o‘stirish uchun uch sohali pechdan foydalaniladi. Kvarsdan yasalgan (oldindan havosi so‘rilgan) ampulaga uchmaydigan A komponent va tozalangan uchadigan V komponenta kiritilgan. Havosi so‘rilgandan so‘ng, ampula berkitilib uch sohali pechga kiritiladi. Pechning harorati T₁ dan eritmada V komponentaning ma’lum bug‘ bosimini hosil qilishi uchun T₂ gacha ko‘tariladi. Uchinchi pechning harorati T₃ bo‘lib, u ikkinchi pech bilan T₂-T₃ gradient hosil qiladi. Konteynerni ma’lum tezlikda mexanik siljitish natijasida T₂-T₃ gradient ta’sirida yo‘naltirilgan kristallanish jarayoni hosil qilinadi.

2) Gradientli sohali o‘stirish usuli. Bu usul asosan avval sintez qilingan epitaksial qatlamlar olish uchun ishlatiladi. O‘stirish qurilmasi konstruktiv birlashtirilgan ikki qismdan iborat bo‘ladi. O‘stirish uchun taglik vazifasini bajaradigan yarim o‘tkazgich joylashgan sohada bir jinsli harorat olish vazifasini bajaruvchi birinchi pech va yuqorida joylashgan ikkinchi pech vazifasini bajaruvchi isitish lampasi (nur qaytargichi bilan birga)dan iborat. Ikkinchi pechni yoqish natijasida yarim o‘tkazgichli taglik ustida yuqoriroq harorat hosil bo‘ladi, ya’ni avvaliga T₁ bo‘lgan bo‘lsa, taglik yuzasida T₂ hosil qilinadi va ayirma T₂-T₁ ga teng bo‘ladi va birinchi usulga oid jarayonlar hosil bo‘ladi.

Rasm 2.6. Pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli epitaksal plenkalarni binar birikmalarni noizotermik epitaksiya usuli bilan ko‘p qatlamli qilib o‘stirish usuli.

Noizotermik epitaksiya usuli. Usulning asosiy g‘oyasi ma’lum bir haroratda pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichning kristaliga kontaktlar o‘rnatish maqsadida ma’lum erituvchi yordamida eritmasi tayyorlanib olinadi va u tuyintirish holiga olib kelinadi. So‘ngra o‘stirish uchun olingan taglik bilan eritma kontaktga keltiriladi va asta-sekinlik bilan ma’lum tezlikda sovitiladi (2.6-Rasm)

Natijada eritmadagi pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichli material qatlami taglik ustiga uni tuzilmasini takrorlab o‘sadi. Etarli qalinlikka ega qatlam olingandan so‘ng eritma taglik ustidan olib tashlanadi va o‘sish to‘xtatiladi. So‘ngra qurilma uy haroratiga qadar sovitiladi. Bu usul bilan oddiy (Si,Ge) dan boshlab (Bi₁₂GeO₂₀ va Bi₁₂SiO₂₀) birikmali materiallarni olish mumkin.