1 mavzu. Kirish. Yarimo‘tkazgichlar va ular asosidagi quyosh elementlari to’g’risida muxtasar ma’lumotlar. Reja

Yupqa qatlamli Quyosh elementlari – hamma Quyosh elementlarining ichida eng arzon varianti bo‘lib ishlab chiqarishda eng kam sarfni talab qiladi. Bunday Quyosh elementlari asosidagi fotoelektrik panellar diffuz-sochilgan nurlanishda ham ishlay oladi, to‘g‘ri yo‘nalgan Quyosh nurlanishini talab qilmaydi. Ularning yil davomida ishlab chiqargan yig‘indi quvvati a’nanaviy kristall fotoelektik panellariga nisbatan 10...15% ga ko‘pni tashkil etadi. Yupqa qatlamli Quyosh elementlariga amorf kremniy (a-Si), kadmiy tellur (CdTe) misol keltirish mumkin. Amorf kremniyning taqiqlangan zona energiyasini vodorod kirishmasini kiritish (gidrogenezatsiya) yuli bilan o‘zgartirish mumkin. Vodorod bilan legirlangan amorf kremniy (a-Si:N) amorf Quyosh elementlarining asosi hisoblanadi. Ba’zida vodorod bilan birgalikda yutuvchi amorf qatlam sifatida germaniy aralashmasidan ham foydalaniladi (a-SiGe:N). Amorf kremniy Quyosh elementlari uchun ishchi o‘tuv sohalari sifatida quyidagi usullar ishlatilishi mumkin: Shotki to‘sig‘i, MDO‘– struktura, p-i-n struktura.
Amorf kremniy Quyosh elementlarining asosiy kamchiligi ekspluatatsiya vaqtida degradatsiyalanishi hisoblanadi. Buning natijasida uning FIK kamayadi, bu esa uning yaroqlilik muddatini kamaytiradi. Ayniqsa, kosmosda kuchli ionlashgan nurlanish mavjudligida ularni qo‘llab bo‘lmaydi.
Amorf kremniy monokristall kremniyli QE qaraganda arzonroq muqobil sifatida namoyon bo‘lmoqda. Amorf kremniyda optik nurlanishni yutish kristall kremniyga qaraganda yigirma marta samaralidir. Shuning uchun 300 mkm taglik qalinligidagi qimmat kristall kremniyli QE o‘rniga 0,5–1 mkm qalinlikdagi a-Si:H dan foydalanish etarli bo‘ladi. Bundan tashqari monokristall kremniy m-Si asosidagi QE uchun zarur bo‘ladigan sayqallash, polirovka, lazer nuri yordamida kesish zaruriyati bo‘lmaydi, yupqa plenkali a-Si: H dan foydalanilganda katta maydon talab qilinmaydi. Polikristall kremniyli QE bilan taqqoslaganda a-Si:H asosidagi mahsulotlar nisbatan past haroratlarda (300 OC) ishlab chiqariladi, arzon shisha tagliklaridan foydalanish hisobiga kremniy sarfini 20 marta qisqartirish mumkin. a-Si:H asosidagi eksperimental QE da maksimal FIK (~12%), kristall kremniyli QE esa (~23%).
Galliy-arsenid – yuqori samarali QE yaratish uchun istiqbolli materiallardan biri hisoblanadi. U qo‘yidagi xususiyatlarga ega:
- Taqiqlangan zona kengligi 1,43 eV;
- Quyosh nurlanishini yutishning yuqori samaradorligi, hammasi
bo‘lib bir necha mikron qalinlik qatlami zarur;
- Yuqori radiatsion barqarorlik sabab bu material favqulodda
kosmik apparatlarda foydalanish uchun ishlab chiqariladi;
- GaAs asosidagi QE nisbatan qizishga sezilarli emas (150 OC);
- GaAs qotishmalarining alyuminiy, mishyak, fosfor va indiy
bilan hosil qilgan xarakteristikalari GaAs xarakteristikalarini to‘ldiradi, QE loyihalashda imkoniyatlarini kengaytiradi.
GaAs va uning qotishmalari asosidagi qotishmalarning asosiy afzalligi – bu QE dizaynini yaratishning keng imkoniyati diapazoni hisoblanadi. GaAs asosidagi QE har xil tarkibdagi bir qancha qatlamlardan tashkil topishi mumkin. Bu zaryad tashuvchilarni yig‘ishga va generatsiya jarayonini boshqarishga imkon beradi. Odatda GaAs asosidagi QE o‘ziga AlGaAs juda yupqa qatlamni biriktiradi. GaAs
asosiy kamchiligi uning tannarxining qimmatli ekanligidir. Ishlab chiqarishni arzonlashtirish uchun uning tagliklarini arzonroq materiallardan yoki ko‘p marta foydalanishga mo‘ljallangan tagliklar ishlatilishi mumkin.
QE tayyorlash uchun istiqbolli materialllardan biri CdTe va CdS hisoblanadi. Ba’zan CdS ning shaffofligini oshirish uchun rux ham qo‘shishadi. CdTe va uning strukturalarini tadqiq etish XX asrning 60-yillaridan boshlangan bo‘lib u yuqori optik yutish koef fitsientiga ega. Taqiqlangan zona kengligi 1,5 eV ga teng, QN jadal
yutish uchun yupqa plenka ko‘rinishida ham foydalanish mumkin. CdTe asosidagi QE har xil turlari o‘rtasida gamogen o‘tishga ega, Shottki to‘sig‘iga ega, shuningdek Cu2Te, CdS va ITO (Shaffof o‘tkazuvchi oksid – qalay va indiy oksidlari aralashmasi) birikmasidagi geteroo‘tishlar tadqiq qilingan. Kelgusida foydalanish uchun eng yaxshi nuqta’i nazardan va takomillashgani n-CdS/p-CdTe QE hisoblanadi.
Quyosh elementlari p-n turli yarimo‘tkazgichli materiallardan tashkil topgan. Quyosh nurlanishi yarimo‘tkazgichli material strukturasida yutilib elektron-kovaklar juftligini hosil qiladi, so‘ngra p-n o‘tish orqali ajratilib element old va orqa yuzasidagi metal kontaktlarda yig‘iladi.
Quyosh elementlarini ommaviy ravishda ishlab chiqarish uchun asosiy material sifatida hanuzgacha kristall kremniy hisoblanadi. Hamma Quyosh elementlarining 80% dan ortig‘i u asosida tayyorlangan tagliklardan iborat bo‘ladi. Quyosh nurlanishini yaxshi yutish qobiliyatiga ega bo‘lmasada u boshqa yarimo‘tkazgich materiallarga qaraganda qator afzalliklarga ega:
1.) Kremniy Yer yuzasida kremniy oksidi shaklida keng tarqalgan.
2.) Kremniy zararli va faol element bo‘lmagani uchun atrof muhitga zarar keltirmaydi.
3.) Mikroelektronika sanoatida kremniy texnologiyasi yaxshi o‘rganilgan.
Kremniyli Quyosh elementlarining amaliyotdagi samaradorligi 10–19% atrofidadir. Uning yupqa plenkalari kaskad Quyosh elementlarini tayyorlashda ham ishlatiladi. Bu materiallarning kamchiligi vaqt o‘tishi, harorat ortishi, yuzasining changlanishi bilan xarakteristikalarining yomonlashishidir, shuningdek yuqori texnologiyalik, ishlab chiqarishdagi chiqimlilik ham hisoblanadi. Quyosh fotoelektrik panellari Quyosh nurlanishining bir qismini doimiy elektr tokiga o‘zgartirib fotoelektrik stansiyaning asosiy qismi hisoblanadi. Quyosh elementlari bir biri bilan ulangan holda modullarni (panellarni), modullar bir biri bilan ulanib yirik fotoelektrik stansiyani hosil qiladi.
Hozirgi vaqtda Quyosh fotoelektrik panellarining uchta turi
keng tarqalgan:
- monokristall kremniyli;
- polikristall kremniyli;
- yupqa qatlamli
Quyosh nurlanishini elektr energiyasiga yuqori samarador o‘zgartiruvchi bu monokristall kremniy asosidagi quyosh panellari hisoblanadi: ularning FIK amaliyotda 18–20% ni, yaroqlilik muddati esa 25 yildan kam emas.
Bunday panellarning asosiy materiali monokristall ko‘rinishidagi toza kremniy bo‘lib kremniy eritmasidan sekin tortib olinib o‘stiriladi. Bu jarayon Choxralskiy qurilmasida amalga oshiriladi. Bunday usul bilan o‘stirilgan kremniy sterjenlari qalinligi 0,2...0,4 mkm holatda lazer qurilmasida kesiladi, so‘ngra edirish, silliqlash, tozalash jarayonidan so‘ng p-n o‘tish amalga oshiriladi. Navbatdagi jarayon plastinaning orqa tomoni to‘liq metall kontakt bilan qoplanadi, frontal tomoni esa nm qalinlikda lazer qurilmasida kanallar hosil qilinadi va metall to‘rli kontakt yaratilib, himoya qoplamasi yotqiziladi. So‘ngra frontal yuzada akslanishni kamaytirish uchun antiakslantirgich himoya qoplamasi uchiriladi. Yuqoridagi jarayonlar Quyosh elementini tayyorlash bosqichlari hisoblanadi. Yakka holdagi Quyosh fotoelektrik panellarining quvvati 10...400 Vt ga etishi mumkin. Ushbu turdagi Quyosh panellaridan optimal quvvat olish uchun ularning ishchi harorati 15...25 OC atrofida bo‘lishi lozim, chunki maksimal quvvat olish faqat ochiq havoda, atrof muhit harorati 25°C, panellarning yo‘nalishi Quyoshga orientatsiyalanganda sodir bo‘ladi. Hattoki, kichik bulutlilik mavjudligida ham ularning quvvati 70% gacha kamayadi, to‘liq bulutlilik vaqtida 90% gacha ham kamayishi mumkin.
Shuning uchun amaliyot vaqtida monokristall panellardan maksimal quvvat olish uchun ularni quyosh potensiali yuqori bo‘lgan hududlarga o‘rnatib Quyosh yo‘nalishini avtomatik kuzatish tizimiga ega moslamalar bilan ta’minlash lozim.