Diffuziya yordamida legirlash butun kristall yuzasi bo‘ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi.
Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristallga kiritish bilan amalga oshiriladi. Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi. Ionlar tokini o‘zgartirib legirlovchi kiritmalar konsentratsiyasini, energiyasini o‘zgartirib esa, legirlash chuqurligini boshqarish mumkin.
Yemirish. Yarimo‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarimo‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda «darcha»lar ochish va turli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurchalar» hosil qilish uchun qo‘llaniladi. Yarimo‘tkazgich sirtini tozalash va «darcha»lar hosil qilish uchun izotrop yemirishdan foydalaniladi, bunda yarimo‘tkazgich barcha kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab bir xil tezlikda eritiladi. Ba’zan yarimo‘tkazgichni turli kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab har xil tezlikda eritish va natijada kerakli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurcha»lar hosil qilish zarur bo‘ladi. Anizotrop yemirishbilan, masalan, mikrosxemalar tayyorlashda (elementlarni bir-biridan dielektrik bilan izolyatsiyalashda) dielektrik qatlam o‘stiriluvchi «chuqurcha»lar hosil qilinadi.
