4.2. Məntiqi inteqral mikrosxemlərin əsas parametrləri
Rəqəm elektron qurğularında istifadə edilən məntiqi mikrosxemlər öz parametilərinə görə seçilməlidir. Məntiqi inteqral mikrosxemlərin (İMS) əsas parametirləri aşağıdakılardır:
Sərfetmə gücü;
Siqnalın yayılması zamanı ləngimənin orta qiyməti və sxemin cəldliyi;
Maneəyədayanıqlıq;
Sxemin iki vəziyyəti üçün çıxış gərginlikləri;
Girişə görə budaqlanma əmsalı;
Çıxışa görə budaqlanma əmsalı
Sərfetmə gücü –İMS-in qida mənbəyindən sərf etdiyi gücdür. inteqral sxemin (İS) iki vəziyyətində qida mənbəyindən istifadə etdiyi gücün orta qiymətinə bərabərdir. Bu parametrə görə güclü İS-in sərfetmə gücü 30÷300mVt, orta güclününki 3÷30mVt, kiçik güclününki 0,3÷3mVt, mikrovattlarınki 1÷300mkVt və nanovattlarınkı 10-6Vt-dan kiçik olur. Kiçik sərfetmə gücünə malik məntiqi elementlər dinamik rejimdə orta sərfetmə gücü ilə xarakterizə edilir və belə tapılır:
Psərf.et.or=0.5(P0sərf.et + P1sərf.et) haradakı P0sərf.et – “0” vəziyyətində sxemin sərfetmə gücüdür;
P1sərf.et – sxemin “1” vəziyyətində sərfetmə gücüdür.
Rəqəm mikrosxemlərinin cəld işləmə qabiliyyətini təyin edən parametrləri. Rəqəm mikrosxemlərinin cəld işləməsi onların bir vəziyyətdən o biri vəziyyətə keçmə sürəti ilə təyin olunur. Belə ki, cəld işləmə çıxış siqnalının giriş siqnalına nəzərən ləngimə müddəti ilə təyin olunur. Bu vaxtı rəqəm mikrosxeminin çıxış impulsunun cəbhəsinin uzunluğu ilə qarışdırmaq olmaz. Ümumi halda ön cəbhənin (rising – artan) və arxa cəbhənin (falling – azalan) uzunluğu üst-üstə düşmür.
Rəqəm intеqral sхеmlərinin сəldliyi onun dinamik paramеtrləri ilə təyin оlunur. Bu paramеtrlərə aşağıdakılar daхildir:
t1,0- ''1''-dən (yüksək səviyуə) ''0''-a (alçaq səviyyə) kеçid müddəti;
t0,1- alçaq səviyyədən yüksək səviyyəуə kеçid müddətidir.
