19
sahəsinin
qiyməti
U
n
>0
olarsa,
fotoyükdaşıyıcının
yürüklüyünün artması səbəbindən fotohəssaslıq artır, U
n
<0
olduqda isə azalır.
2. Müəyyən edilmişdir ki, laylı GaS monokristallarında səth
defektlərinin nizamsızlıq dərəcəsi və onun periodikliyi
aşqarlanma dərəcəsindən asılıdır. AQM tədqiqatı
göstərir ki,
GaS monokristalının səthyanı oblastında hündürlüyü ~(30-40)
nm və periodikliyi ~16 nm olan konusvarı defekt toplusunun
ölçüləri Yb atomları ilə aşqarlanma (N
Yb
=0,1 at.%) zamanı
qismən nizamlanır və onun hündürlüyü ~25 nm, periodikliyi isə
~12 nm olur.
3. Müəyyən edilmişdir ki, laylı GaS və GaS:Yb monokristallarında
səth defektlərinin nizamsızlıq dərəcəsi və onun periodikliyi γ-
kvantlarlarla şüalanma dozasından asılıdır. Belə ki, GaS –
kristallarında defektlərin nizamlanması D
γ
< 50 krad, GaS:Yb
kristallarında isə D
γ
<140 krad dozalarında müşahidə edilir.
qamma–kvantlarla şüalanmanın
uyğun olaraq D
γ
>50 krad və
D
γ
>140 krad dozalarında konusvari defekt yığımının
həndəsi
ölçüləri artır, onun periodikliyi isə pozulur və kristalların
nizamlılıq dərəcəsi azalır.
4. Göstərilmişdir ki, laylı GaS monokristalının udulma zolağında
fotohəssaslığın yüksəlməsi γ-kvantlarla şüalanmanın aşağı
dozalarında və Yb atomu ilə aşqarlama zamanı struktur
defektlərin
qismən
kompensasiyası
nəticəsində
fotoyükdaşıyıcıların yürüklüyünün artması səbəbindən baş verir.
5. Müəyyən edilmişdir ki, qamma şüalanmanın D
γ
=30 ÷ 200 krad
udulma
dozası
oblastında
GaS
və
GaS:Yb
laylı
monokristallarında laylararası
1
2
g
və laydaxili
1
1
g
A
rəqsləri
xarakterizə edən Raman- piklərinin və optik (eninə və uzununa)
fononların İQ-udulma zolaqlarının yarımeni udulma dozasının
artması ilə ~ 2,5 dəfə artır. Muşahidə olunan effekt səthi qeyri-
nizamsızlığın artması və səthyanı defektlərlə radiasiya defektləri
arasında qarşılıqlı təsir mexanizminin dəyişməsi ilə əlaqədardır.
Göstərilmişdir ki, termiki dəmləmə (T=100-250
0
C) səthyanı
halların nizamlılığını qismən bərpa edir.
6. GaS və GaS:Yb laylı monokristallarının səthinin Furye İQ-