Azərbaycan respublikasi əlyazma hüququnda

Şəkil 3. GaS və GaS:Yb kristallarında qamma-şüalanmadan 
sonra
 
TO və LO optik fononların udulma zolaqlarının 
yarımeninin (ν
1/2
) doza asılılıqları. 
AQM və Furye-İQ-spektroskopiya metodları ilə tədqiq edilmiş 
qeyri-bircinsliyin sərbəst vahid həcminin paylanmasının profili və 
GaS:Yb laylı monokristallarının radiasiyaya davamlılığı arasında 
korrelyasiya müəyyən edilmişdir. 
 
Nəticə 
 
1. Müəyyən edilmişdir ki, spektrin ultrabənövşəyi oblastında GaS 
və GaS:Yb laylı monokristalılarının fotohəssalığı, defektlərin 
(V
Ga
; V
S
; Yb
Ga
) qeyri-bircins paylanması nəticəsində energetik 
zonanın düzlənmə dərəcəsindən asılı olan fotoyükdaşıyıcının 
yürüklüyündən asılıdır. “Sahə effektinə” görə xarici elektrik 

---

19 
sahəsinin 
qiyməti 
U
n
>0 
olarsa, 
fotoyükdaşıyıcının
yürüklüyünün artması səbəbindən fotohəssaslıq artır, U
n
<0 
olduqda isə azalır. 
2. Müəyyən edilmişdir ki, laylı GaS monokristallarında səth 
defektlərinin nizamsızlıq dərəcəsi və onun periodikliyi 
aşqarlanma dərəcəsindən asılıdır. AQM tədqiqatı göstərir ki, 
GaS monokristalının səthyanı oblastında hündürlüyü ~(30-40)
nm və periodikliyi ~16 nm olan konusvarı defekt toplusunun 
ölçüləri Yb atomları ilə aşqarlanma (N
Yb
=0,1 at.%) zamanı 
qismən nizamlanır və onun hündürlüyü ~25 nm, periodikliyi isə 
~12 nm olur. 
3. Müəyyən edilmişdir ki, laylı GaS və GaS:Yb monokristallarında 
səth defektlərinin nizamsızlıq dərəcəsi və onun periodikliyi γ-
kvantlarlarla şüalanma dozasından asılıdır. Belə ki, GaS – 
kristallarında defektlərin nizamlanması D
γ
< 50 krad, GaS:Yb 
kristallarında isə D
γ
<140 krad dozalarında müşahidə edilir. 
qamma–kvantlarla şüalanmanın uyğun olaraq D
γ
>50 krad və 
D
γ
>140 krad dozalarında konusvari defekt yığımının həndəsi 
ölçüləri artır, onun periodikliyi isə pozulur və kristalların 
nizamlılıq dərəcəsi azalır. 
4. Göstərilmişdir ki, laylı GaS monokristalının udulma zolağında 
fotohəssaslığın yüksəlməsi γ-kvantlarla şüalanmanın aşağı 
dozalarında və Yb atomu ilə aşqarlama zamanı struktur 
defektlərin 
qismən 
kompensasiyası 
nəticəsində 
fotoyükdaşıyıcıların yürüklüyünün artması səbəbindən baş verir. 
5. Müəyyən edilmişdir ki, qamma şüalanmanın D
γ
=30 ÷ 200 krad 
udulma 
dozası 
oblastında 
GaS 
və 
GaS:Yb 
laylı 
monokristallarında laylararası 
1
2 g

və laydaxili
1
1g
A
rəqsləri 
xarakterizə edən Raman- piklərinin və optik (eninə və uzununa) 
fononların İQ-udulma zolaqlarının yarımeni udulma dozasının 
artması ilə ~ 2,5 dəfə artır. Muşahidə olunan effekt səthi qeyri-
nizamsızlığın artması və səthyanı defektlərlə radiasiya defektləri
arasında qarşılıqlı təsir mexanizminin dəyişməsi ilə əlaqədardır. 
Göstərilmişdir ki, termiki dəmləmə (T=100-250
0
C) səthyanı 
halların nizamlılığını qismən bərpa edir. 
6. GaS və GaS:Yb laylı monokristallarının səthinin Furye İQ-

---

20 
əksolma spektroskopik və səth relyefinin AQM–mikroskopik 
metodlarla aparılan müqayisəli tədqiqatları nəticəsində 
relyefəmələ gətirən konusun orta vahid həcminin şüalanma 
dozasından asılılığı müəyyən edilmişdir. Göstərilmişdir ki, GaS 
monokristalının 
səthinə 
nisbətən 
GaS:Yb 
laylı 
monokristallarının səthləri baxılan udulma dozası (D

=30÷200 
krad) 
oblastında qamma-kvantlara daha davamlıdırlar.

---

21