Elektronika 1

Fototranzistorlar

Qo‘shqutbli fototranzistorlar tashqi ko‘rinishidan oddiydan farqi shundaki, uning korpusida «darcha» ochilgan, u orqali yorug‘lik oqimi baza hududiga ta’sir ko‘rsatadi. Fototranzistorlar fotodiodlarga qaraganda katta integral sezgirlikka ega.

Baza hududiga yorug‘lik nuri ta’sir qilganida unda elektron va teshiklarni generatsiyasi boshlanadi va ular kollektorli o‘tish tomoniga harakatlanadilar va bo‘linadilar. Teshiklar kollektorli o‘tish maydoni ta’sirida bazadan kollektorga yurishadi va uni tokini oshirishadi, elektronlar bazada qalinlashadi va emitterli o‘tishni to‘g‘ri kuchlanishini oshiradi, bu sababli bu o‘tishda teshiklar injeksiyasi kuchayadi. Buning hisobiga qo‘shimcha kollektorli tok oshadi.

Maydon fototranzistorlari

P-tipdagi kanali bo‘lgan fototranzistorda p-kanalini nurlaganda unda va uni atrofidagi n-hududida (zatvor) elektron va teshiklarni generatsiyasi sodir bo‘ladi. P-kanali va n-hududi orasidagi o‘tish teskari kuchlanishda joylashadi va shuning uchun Bu o‘tishning maydoni ta’sirida zaryad tashuvchilarning bo‘linishi sodir bo‘ladi. P-kanalida elektronlar konsentratsiyasi ko‘payadi, uni qarshiligi kamayadi va N-hududida teshiklar konsentratsiyasi ko‘payadi. Kanal toki (stok toki) oshidi.

Yorig‘lik diodlar

Ularni yana injeksion yorug‘lik diodlari deyiladi, yorug‘lik diodlarda iayda bo‘lgan yorug‘lik injeksion elektrolominestensiya xodisaga tegishli.

Yarim o‘tkazuvchi diodda to‘g‘ri ko‘chlanishdа emitter xudiddan baza hudidiga zaryad tashuvchilarning injeksiyasi sodir bo‘ladi. Masalan, agar p-hududiga N-hududidagi teshiklarga qaraganda elektronlar qop bo‘lsa, Bunda p-hududidan N-hududiga elektronlar harakatlanadi. Bu elektronlar bazadagi asosiy zaryad tashuvchilari bilan rekombinatsiyalanadi.Rekombinatsiyalangan electron-lar o‘tkazuvchanlik zonasining anacha yuqori energetik darajalaridan, unga yaqin bo‘lgan chegaralarida, valentli zonaning yuqori chegaralariga yaqin joylashgan ancha past darajalarga o‘tishadi. Bunda foton ajralib chiqadi, uning enegriyasi таъ³I³ланган zonaning taxminan eniga teng (elektron-voltlarda). Oddiy qilib aytganda, Bunda elektronlar va teshiklarni rekombinatsiyalanganda energiya ajralib chiqadi, u esa amalda to‘liq fotonlarni hosil bo‘lishiga sarflanadi. Foton – bu yorug‘lik zarrachasi. Ajralib chiqadigan foton enegriyasi to‘lqin uzunligiga proporsionaldir: hv = hc/  W  1,23.
Demak,  = 0,38-0,78 mkm li yorug‘likni ko‘rinish diapazonini olish uchun W 1,7эВга teng bo‘lishi kerak. Yorug‘lik diodlar uchun kremniy va germaniy yaroqsiz. Asosan galliy fofidi GaP va kremniy karbidi SiC ishlatiladi.
Yoritish rangi o‘zgaruvchan yorug‘lik diodlar mavjud. Ular ikki o‘tishga ega, ulardan v birinchisi spektrning qizild qismida. Rangi o‘tishlar orqali oqadigan toklar nisbatiga bog‘liq. Yorug‘lik diodlar – bu ancha murakkab asboblarning asosi: chimziqli yorug‘lik diodli shkalalar, son-xarfli indikatorlar, smatritsali indikatorlar va h.k.
7. Analogli integral sxemalar.