Elektronika va asbobsozlik

N=F/l = I/l.
Magnit yurituvchi kuchni tashqi fazo qarshiligi R_t ga bo‘lib, magnit oqim qiymatini topamiz: =F/R_T. Magnit oqim O‘tayotgan birlik yuzaga to‘g‘ri kelgan  ning qiymati magnit induksiyasini beradi: V=/s. So‘ngra V induksiyani magnit maydon kuchlanganli N ga bo‘lib, magnit singdiruvchanlikni aniqlaimiz: = V/N. Bu kattalik g‘altak hajmini to‘ldiruvchi materialning xarakteristikasi hisoblanadi. Ba’zi bir materiallar (temir, nikelp, kobalpt va ularning qotishmalari) anomal (xaddan tashqari) katta magnit singdiruvchanlikka ega — = 10⁸. Yuqorida keltirilgan munosabatlar asosida induktivlik qiymatini osongina aniqlash mumkin: L=²s/i.
Magnit materiallar ichida mikrojajjilashtirilgan nuqtai nazardan eng istiqbolli shunday ferromagnetiklar borki, ular qo‘shni atomlar elektronlari orasidagi kuchli elektrstatik magnit o‘zaro ta’sir natijasida ko‘p sondagi o‘z-o‘zidan magnitlanish sohalari (domnalar) ga bo‘linadi. Domnalardagi atomlarning magnit momentlari parallel bo‘ladi. Domnalar ma’lum shaklda bo‘lib, o‘lchamlari 10^-110^-6 sm ga boradi. Silindrsimon shakldagi domnalar eng maqbul hisoblanadi.
Qo‘shni domnalar ularning chegaralari yoki devorlari deb ataluvchi o‘tish qatlamlari bilan ajraladi. Ferromagnetiklarning tashqi magnit maydonda qayta magnitlanishi domnalarning aylanishi, yoxud ular chegaralarining siljishi yoki har ikkala jarayonning bir vaqtda o‘tishi asosida bo‘ladi. Temperatura o‘zgarganda, ferromagnetiklarning holati o‘zgarishi mumkin. Ferromagnetiklarda magnitlashning ma’lum yo‘nalishlari mavjud (magnit anizotropiya).
Yupqa magnit lentalar (TMP—YuML) metallar, qotishmalar va ferritlardan tayyorlanadi. TMP tayyorlash uchun nomagnit material (shisha) dan ishlangan taglikka magnit materialdan vakuumda purkash yoki elektr qoplash yo‘li bilan 0,05—10mkm qalinlikda yupqa qatlam qoplanadi. Vakuumda purkashda, ayniqsa, permalloyni purkashda sifatliroq; lenta olinadi. Shu usulda olingan lentalar tayyorlash uchun olingan magnit materiallarga nisbatan xarakteristikasining yomonligi elektr qoplashning kamchiligi hisoblanadi.
Yupqa magnit lentalari lentaning turli yo‘nalishlari bo‘yicha magnitlantirilganda gisterezis sirtmog‘ining shaklini o‘zgartiruvchi anizatropiya bilan xarakterlanadi. Masalan, lenta yengil magnitlantirish o‘qi bo‘ylab to‘g‘ri burchakli gisterezis sirtmog‘iga ega bo‘lsa, og‘ir magnitlanish o‘qi bo‘yicha esa, kichik gisterezisli to‘g‘ri burchakli bo‘lmagan sirtmoqda ega. Lentaning qalinligi uning chiziqli o‘lchamlaridan ancha kichik. Lenta ma’lum bir qalinlikda bir domnalik bo‘lib qoladi va TMP o‘ziga xos qayta magnitlanadi. Qayta magnitlanish jarayoni juda tez (nanosekundlar ichida) kechadi, ya’ni TMP tez ishlash xususiyatini ancha oshirish imkonini beradi. Magnitlanish fakat lenta yuzasida o‘tadi, shuning uchun yassi boshqaruvchi o‘ramlardan foydalanish mumkin.
T MP asosida raqamli hisoblash mashinalari uchun xotirlov­chi tuzilmalar tayyorlanadi. Ular umumiy texnologik siklda matritsa ko‘rinishidagi yaxlit taglikka tushirilgan alohida xotira elementlaridan iborat bo‘ladi. Bu elementlar uchun kvadrat (133-rasm) yoki doira shaklidagi yassi TMP lar tayyor­lanadi. Bunday elementlarda o‘zaro
28-rasm perpendikulyar maydonlar orqali almashlab ulashlar ishlatilishi mumkin. Xotira elementlarida ma’lumotlarni yozish ikkita tok impulpsi berish yo‘li bilan o‘tkaziladi. Yassi yupqa plyonkali xotira elementlari katta sochilish oqimiga ega, shuning uchun magnit o‘tkazgich berk va demak sochilish oqimi kichik bo‘lgan silindrik TMPlar qo‘llanilgani ma’qul. Bunday TMPlarni boshqarish uchun o‘tkazgichlar silindr teshigidan o‘tkaziladi, shuningdek uning tashqi diametri bo‘yicha o‘raladi. Silindrik TMP larni bevosita boshqarish simlariga qoplash mumkin.
Silindrik magnit domnalar (SMD) dan iborat tuzilishlar asosidagi asboblarda ortoferrit yoki yokutlardan ishlangan monokristall plyonkalar ishlatiladi. Plyonkaning qalinligi kuchli tashqi magnit maydon ta’sirida hosil bo‘ladigan yakka domnalar o‘lchamlariga mos keladi. Bu maydonlar o‘zgarganida sMD lar siljiydi. Monokristallar plyonkasida yengil magnitlanish o‘ki plyonka tekisligiga tik yo‘nalgan bo‘lib, og‘ir magnitlanish o‘qi esa, uning tekisligida joylashgan. sMD diametri bir-o‘nlab mikrometrni tashkil etadi.
Yoqutlardagi tuzilishlar ortoferritdagilarga qaraganda termobarqarorroqdir. Bundan tashkari yoqutlardagi sMD larning o‘lchami kichik shuning uchun ma’lumotlarning yozilish zichligini oshirish mumkin. sMD larning o‘lchami va soni tashqi magnit siljish maydoni orqali belgilanadi.
sMD asosidagi asboblar mantikiy va xotirlovchi tuzilmalar yasashda ishlatiladi, bunda yakka sMD lar elementar ma’lumot eltgich bo‘lib xizmat qiladi. Tuzilmaning ma’lumotga oid har bir holati sMD ning magnit monokristall lentasidagi holati bilan belgilanadi. Tuzilmadagi sMD ning holati va soni qat’iyan aniq bo‘lishi kerak.
sMD li asboblar asosidagi xotirlovchi tuzilma xotirlovchi registr hisoblangan domnalar harakati sxemasidan iborat. Ma’lumot registrga sMD ning ketma-ketligi ko‘rinishida yoziladi. Bunda sMD uning uzunligi bo‘yicha kirish ma’lumotlariga mos ravishda joylashadi. Agar ma’lumot magnit monokris­tall plyonkaning talab etiladigan uzunligidan katta bo‘lgan kirish signallarining uzun ketma-ketligidan iborat bo‘lsa, u holda registr ko‘p qatorli qilinadi.
sMD li xotirlovchi tuzilma elektromexanik xotirlovchi tuzilma (magnit lenta, disk, baraban) ning analogi bo‘lib xiz­mat qiladi. Biroq u ishonchlilik, tez ishlash, xotiraga olinadigan ma’lumotlarning hajmi bo‘yicha elektromexanik tuzilmadan ustun bo‘lib, anchagina kam energiya sarf qilgani holda, kichik massa va o‘lchamlari bilan ajralib turadi.
SMD asosidagi asboblar yordamida mantiqiy elementlarning to‘la to‘plamini tayyorlash mumkin. Ulardan murakkab mantiqiy tuzilmalar qilinadi, bunda jumladan hisoblashning optika usullaridan ham foydalaniladi.

Adabiyotlar:

1)K.P.Bogorodiskiy, V.V.Pasinkov, “Elektrotexnicheskiy materiali”1985g

2)I.Xolikulov,M.M.Nishonova”Elektron texnika materiallari“ Toshkent shark 2006y
3)N.V.Nikulin, V.A.Nazarov ”Radiomateriallar va komponentlar “ Toshkent