Indiy antimonidi. Elektronlarning harakatchanligi katta qiymatga ega
bo‗lishi bilan bir qatorda, taqiqlangan zonasining kengligi (0,18 eV) nisbatan
kichikroqdir. Ushbu materialning fotoo‗tkazuvchanligi spektr infraqizil qismining
katta (8 mkm. gacha) sohasini qamrab oladi. Bunda fotoo‗tkazuvchanlikning eng
yuqori qiymati 6,2 mkm to‗lqin uzunligiga to‗g‗ri keladi.
Indiy antimonididan o‗ta sezgir fotoelementlar optik filtr, termoelektrik
generator va sovutkichlar tayyorlashda foydalaniladi.
Galliy fosfidi: taqiqlangan zonaning kengligi (2,3 eV) bilan ajralib turadi.
Undan qizil yoki yashil nurlanuvchi diodlar tayyorlanadi. Bundan tashqari, Bor
alyuminiy va galliy netridlari birikmalaridan ham nurlanuvchan diodlar ishlab
chiqariladi. A
III
B
VI
birikmalari sulfidlar (PbS, Bi
2
S
3
, CdSe, CdS) fotorezistorlar
tayyorlashda ishlatiladi. Ulardan lyuminafor sifatida ham foydalaniladi.
