282
Şəkil 17.7. Örtük üçün tozlandırılan tarqet.
PVD- sputtering (qazla tozlandırma)
üsulunun
üstünlüklərinə aiddir:
–
prosesə nəzarətin mümkünlüyü;
–
buxarlanma təzyiqinin təsirindən heç bir
fraksiya
(bir
elementin
müxtəlif
birləşmələri)
əmələ gəlmir;
–
yüksək sıxlıq;
–
detalın künclərinin yaxşı örtülməsi.
283
17.2.3
. İonla səthə örtükçəkmə texnikası
DC- közərtməklə qaz boşalma üsuluna əsasən səthə
ionların çökdürülməsi zamanı tarqetin qızdırılması
müqavimətlə və elektron şüası ilə aparılır (şək. 17.8.).
Əmələ gələn plazma közərmə boşalması vasitəsi ilə
qazlardan (məsələn, arqon) yaradılır. Belə üsulun sadə
olmasına
baxmayaraq,
kiçik
miqdarda
ion
hissəciklərin
alınması
prosesin
tətbiqinin
genişləndirilməsinə mane olur (0,1 - 1 %).
Şəkil 17.8. PVD ion implantasiya üsulunun iş prinsipi və
çökdürmə əməliyyatı.
Triod konstruksiyasının köməyi ilə səthə ionların
çökdürülməsi
zamanı
elektronların
emissiyası
əməliyyat kamerasında buxarlandırma mərkəzi və
detal arasında közərmə katodu vasitəsi ilə yaradılır.
Burada örtük buxarı aşağı
işçi təzyiqdə elektron
284
bombardumanı vasitəsi ilə yenidən ionlaşdırılır
(ionlaşdırma > 3%).
Magnetron-tarqet tozlandırılması vasitəsi ilə ionla
səthə örtükçəkmə (Bias-Sputtern) əməliyyatında buxar
əmələgətirən maqnetron tətbiq olunur.
Üsulun
ionlaşdırma dərəcəsi ~1% olub, buxarlanma mənbəyi
(tarqet) ilə substrat (detal) arasında
kifayət qədər
qarşılıqlı təsiri təmin etmək üçün (plazma səthə
çatmalıdır) iki katod parallel yerləşdirilir (şək. 17.9.).
Dostları ilə paylaş: 
