DRAM R/W Leadoff Timing (O‘qish- yozish operatsiyalarini bajarishga
tayyorlashdagi taktlar soni) – DRAM bilan barcha operatsiyalarni
bajarishgacha shinadagi taktlar sonini belgilaydi. Parametr quyidagi ifodalarni
(ma’nolarni) qabul qilishi mumkin: o
8/7 – O‘qish uchun 8 takt va yozish
uchun 7 takt; o
7/5 - O‘qish uchun 7 takt va yozish uchun 5 takt;
•
DRAM RAS to CAS delay (RAs va CAS orasidagi to‘xtam) – xotiraga kirish
vaqtida ustunlar va qatorlarga yurish bir-biridan alohida bajariladi. Bu
parametr bir signalning boshqasidan ma’lum masofada bo‘lishini aniqlaydi.
Parametr quyidagi ifodalarni qabul qilishi mumkin: o
3 - 3 takt to‘xtam; o
2 - 2
takt to‘xtam;
Bu ma’noni (ifodani) kamaytirish tez ta’sir etishni orttiradi.
•
DRAM READ BURST Timing (xotirani paketli o‘qish vaqti) – O‘qish va
yozishga talab protsessor yordamida 4 ta alohida fazoda yuzaga keltirliladi. 1
fazoda xotiraning ma’lum sohasiga murojat etishga xarakat qilinadi,
qolganlarida asosan ma’lumotlarni o‘qish ro‘y beradi. Parametr quyidagi
ifodalarni qabul qilishi mumkin: o
X 2222 - 2 takt ushlab turish ; o
X 3333 - 3
takt ushlab turish ; o
X 4444 - 4 takt ushlab turish
Taktlarni umumiy miqdorini kamaytirish tez harakatlanishni orttiradi .
•
SDRAM CONFIGURATION (SDRAm Konfiguratsiyasi) – bu parametr
bilan BIOS dasturi SPD blokidagi axborotlarga asoslanib xotiraga kirishni
o‘tginchi tavsiflarini aniqlashi zarurmi yoki buni kompyutyerdain
foydalanuvchi bajarishi kerakligi aniqlanadi.Quyidagi ifodalarni qabul qilishi
mumkin: o
By SPD – kirish parametrlari SPD bo‘yicha belgilanadi
o
7ns (143 MHz) –kirish parametrlari 7ns kirish vaqtili xotirasi uchun va
143
MHz shinasi chastotasi kabi BIOs yordamida belgilanadi o
8ns (125
MHz)-kirish parametrlar 8 ns kirish vaqtili xotirasi uchun va 125
MHZ shinaning chastotasi kabi BIOS bilan
belgilanadi o
