Kokanduni uz

www.
kokanduni.uz 
бошланганига қарамасдан [2], майдоний транзисторлар асосида аҳамиятли ютуқларга 
эришилган. Масалан, [3] ишда биринчи марта майдоний фототриод деб аталган 
кадмий сульфиди асосидаги тузилма олинган, сўнгра [4] ишда галлий арсениди 
асосидаги Шоттки барьерига эга майдоний транзистордан тезкор фотоқабул қилгич 
сифатида фойдаланиш имконияти кўрсатилган. Майдоний транзисторлар фотоқабул 
қилгичлар каби, гарчи фототок қопланадиган бошқарувчи p
-n- 
ўтишда пайдо бўлса 
ҳам, ички кучайтиришга эга. Ҳосил бўлган фототок, ҳажмий заряд қатламининг 
кенглигини ўзгартириб, каналнинг қалинлигини, канал бўйича оқаётган токнинг 
катта ўзгаришига олиб келиб модуллаштиради. Канал отсечкаси ажратиш режимида 
n- 
каналли транзисторни иккита тескари уланган, ўзини резистор
каби тутадиган 
тескари ток эквиваленти, оқиб ўтадиган n
-p-
n диодлар кўринишида тасаввур қилиш 
мумкин.
Ҳосил бўлган n
-p-n- 
тузилмани тагидан ёритилишида резисторга эквивалент 
бўлган (дифференциал ва динамик) қаршилик нурланиш интенсивлигига мос равишда 
камайиб боради. Худди шундай бирламчи фототокни кучайтириш эффектига эга икки 
(уч) берьерли фотодиод p
-n-
m тузилмани ҳам тасаввур қилиш мумкин. Уларда ёруғлик 
нурланиши ҳам тузилманинг дифференциал ва динамик қаршилигининг ўзгаришига 
олиб келади.
Галлий арсениди асосидаги бошқарувчи p
-n- 
ўтишли фотосезгир майдоний 
транзисторнинг биринчи намуналари тўғрисидаги маълумотлар ишда келтирилган. 
Кейинги тадқиқотларда юқори фотосезгирликни таъминлаш учун канал параметрини 
шундай танлаш керакки, бунда отсечка кучланиши
затвор p
-n- 
ўтиши контакт 
потенциаллар фарқининг катталигига яқин бўлиши кераклиги аниқланди. Шунингдек 
майдоний транзисторларнинг фотоэлектрик характеристика
-
лари уларнинг уланиш 
режимига боғлиқлиги тадқиқ
қилинди
[5]. 
Биполяр транзисторларда кўрсатилганидек, қоронғилик токлари жуда катта 
бўлади ва зарядларнинг тўпланиш эффекти (инерционлик) кузатилади, бу эса кучсиз 
оптик сигналларни қабул қилиш учун уларни қўллаш имкониятини чеклайди. Шунинг 
учун улар нурланишнинг аналогли ва калитли қабул қилгичлари сифатида 
қўлланилади, чунки рақамли сигналларни узатиш учун юқори частотали 
транзисторлар талаб қилинади.
Шу билан бирга оптик толалар ва оптик кучайтиргичларни тизимли 
такомиллаштирилиши ахборот сигналларини узатиш ва қабул қилиш тизимларида
фойдаланиш учун яроқли бўлган яхшиланган нурлатгичлар ва фотоқабул 
қилгичларни ишлаб чиқишни талаб қилади. Шу туфайли майдоний транзисторлар 
каби кичик қоронғилик токларига эга камшовқинли фотоқабул қилгич тузилмаларга 
бўлган қизиқиш ортди.