Disklarning aylanish tezligi (optimal - daqiqada 7200 ayl/min);
Ma'lumot uzatish tezligi (ing. Transfer darajasi):
ichki disk maydoni: 44,2 dan 74,5 Mb / s gacha ; tashqi disk maydoni: 60,0 dan 111,4 Mb / s gacha. Bufer hajmi - bufer - o'qish / yozish tezligi va interfeys orqali uzatishni farqlash uchun mo'ljallangan qidiruv xotira. Zamonaviy disklarda odatda 8 MB dan 64 MB oralig'ida bo'ladi.
Tezkor xotira. Mikroprosessor uchun dasturlar, ma’lumotlar va hisob-kitob natijalari saqlanadi. Tezkor xotira mikrosxemalari ikki xil bo’ladi: dinamik va statik. Statik mikrosxemalarda har bir xotira katakchasi registr ko’rinishida bo’lib, bu registrlarning har biri uchun 6 ta tranzistor ishlatiladi. Bu mikrosxemalar nisbatan tez ishlaydi. Dinamik mikrosxemalarda har bir katakcha ikkita tranzistor yordamida yasaladi, ulardan biri katakchani tanlash uchun kalit vazifasini bajarsa, ikkinchisi mitti kondensator vazifasini bajaradi, kondensatorning zaryadlangan holati 1 ga, zaryadsiz holati 0 ga mos keladi. Bunday mikrosxemalardan yasalgan tezkor xotira nisbatan sekin ishlaydi va ulardagi ma’lumot o’chib ketmasligi uchun ularni bir sekundda bir neche o’n ming marta zaryadlab turish kerak bo’ladi. Bu kamchiliklariga qaramay, ularning sig’imi kattaroq va ularning narxi ancha arzon.
Hozirgi paytda tezkor xotiralarning deyarli barchasi dinamik mikrosxemalar asosida ishlab chiqiladi.
Tezkor xotiraning asosiy parametrlari ularning sig’imi va tezligi (takt chastotasi)dir. Tezkor xotiraning sig’imi har doim ikkining darajasi ko’rinishidagi songa teng bo’ladi. Bu ularning manzilini aniqlash bilan bog’liq. Hozirgi paytda DIMM, DDR, DDR II va DDR III rusumli tezkor xotiralardan foydalaniladi.
Tezkor xotira qurilmasini ikki xil usulda tashkil etish yo`llari ishlab chiqilgan:
SIMM – Single inline memory module bir tarafga joylashtirilgan xotira modullari
DIMM – Dual inline memory module ikki tarafga joylashtirilgan xotira modullari
