Maydonli tranzistorlar

Б
k
Э
i
i
i






---

yo’nalishdagi differentsial qarshiligini ifodalaydi. r
k
– kollektor teskari 
yo’nalishdagi differentsial qarshiligidir. r
b
-baza sohasining qarshiligi. Odatda 
tranzistorlarda bu qarshiliklarning taqribiy qiymatlari quyidagicha bo’ladi: r
E
=50 
Om, r
k
=5.10
5
Om, r
b
=50-250 Om. ekvivalent sxemadagi tok manbai yoki E.YU.K 
manbaasi bipolyar tranzistorning kuchaytirish xossasini aks ettiradi. Haqiqatda agar 
emitter toki 
э
i
o’zgaruvchan tashkil etuvchiga ega bo’lsa, unda kollektor tokining 
o’zgaruvchan tashkil etuvchisi 
Э
i

ga teng bo’ladi. Uni ekvivalent sxemada 
kollektor zanjiriga ulangan r
k
ichki qarshilikka ega bo’lgan 
Э
i
I


tok manbai 
sifatida tasvirlash mumkin. Tok manbaini o’shanday ichki qarshilikli ekvivalent
E.YU.K manbai bilan almashtirish mumkin.
Tranzistorning kollektor zanjiriga 
k
R
-rezistor ulanmaganda kollektor 
o’tishdagi kuchlanish, hattoki kollektor tokining o’zgaruvchan tashkil etuvchisi 
mavjud bo’lganda ham o’zgarmas saqlanadi va u tashqi manbaning EYUKga teng 
bo’ladi. Kollektor zanjiriga 
k
R -rezistor ulanganda kuchlanishning o’zgaruvchan 
tashkil etuvchisi
k
k
k
R
i
U

hosil bo’ladi. Bu holda yopiq kollektor o’tishning 
differentsial qarshiligi juda katta bo’lganligi uchun kollektorga katta qarshilikli 
rezistor ulab, uning chiqishidan tranzistor kirish kuchlanishiga nisbatan ancha katta 
amplitudali o’zgaruvchan kuchlanish olish mumkin. Tranzistorning ekvivalent 
sxemasida tobe manbaning tok kuchi kirish tokiga proportsional bo’ladi. Maydon 
tranzistorining ekvivalent sxemasida esa tobe manbaning tok kuchi kirish 
kuchlanishiga proportsional bo’ladi. Bu farq mazkur asboblardagi elektronlar 
oqimini boshqarish turlicha printsipda ekanligini anglatadi. elektron lampalar va 
maydon tranzistorlari elektr maydoni bilan, bipolyar tranzistorlar esa tok bilan 
boshqariladigan asboblar hisoblanadi. 
8.2. Bipolyar tranzistorlarning statik (tavsifnoma) xarakteristikalari. 
Tranzistorlardagi tok va kuchlanishlar orasida o’zaro bog’lanishlar hamda 
ularning asosiy parametrlarini tranzistorlarning statik xarakteristikalaridan 
foydalanib aniqlash mumkin. Statik xarakteristikalar tranzistorli sxemalarni 
hisoblash hamda tranzistorlarning xossalarini o’rganishda muhim hisoblanadi. 
Tranzistorlarda hamma vaqt to’rtta kattalik: 
2
1
, i
i
- 
2
1
,u
u
- kirish va chiqish tok va 
kuchlanishlari o’zaro bog’langan bo’ladi. Bitta xarakteristikalar oilasi bilan bu 
bog’lanishlarni ko’rsatish qiyin. Shuning uchun tranzistorlarda kirish 
)
(
1
1
U
f
i

va 
chiqish 
)
(
2
2
U
f
i

xarakteristikalar oilasi olinadi. Shuningdek, to’g’ri o’tish 
(bog’lanish) va teskari o’tish xarakteristikalari ham mavjud. Demak bipolyar 
tranzistorlar uchun 4 xil xarakteristikalar mavjud bo’lib ular quyidagilardan iborat: 
1. Kirish xarakteristikalari 
2. CHiqish xarakteristikalari 
3. To’g’ri o’tish (bog’lanish) xarakteristikalari 
4. Teskari o’tish xarakteristikalari 
Kirish xarakteristikalari tizimi, tranzistorning kirish tokining kirish 
kuchlanishiga bog’lanishini ifodalaydi. CHiqish tavsifnomalari tizimi esa chiqish 

---

tokining chiqish kuchlanishiga bog’lanishini ifodalaydi. Qolgan 2 ta to’g’ri va 
teskari (bog’lanish) xarakteristikalari sistemasi amaliyotda kam qo’llaniladi. 
Tranzistorli sxemalarni o’rganishda kirish va chiqish xarakte-ristikalarii tizimi 
muhim ahamiyat kasb etadi. Tranzistorning har bir ulanish sxemasi uchun kirish va 
chiqish xarakteristikalari tizimi mavjud. 
Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda kollektor 
kuchlanishi o’zgarmas bo’lganda emitter tokining emitter kuchlanishiga bog’likligi 
tuShuniladi.
)
(
э
э
U
f
J

U
k
=const bo’lsa. 
Bunda U
k
va U
e
kuchlanishlarning qiymati – umumiy sim - bazaga nisbatan 
aniqlanadi. Kirish xarakteristikalari 2.12a- rasmda ko’rsatilgan. UB sxema uchun 
chiqish xarakteristikasi (tavsifnomasi) deganda, emitter toki o’zgarmas bo’lganda 
k
I
- kollektor tokining 
k
U
- kollektor kuchlanishiga bog’likligi tuShuniladi. 
)
(
k
к
U
f
I

agarda 
const
I
б

bo’lsa, 8.4-rasmda UB sxema ulangan 
tranzistorning chiqish tavsifnomalari oilasi ko’rsatilagn. Grafikdan kollektor 
tokining kollektor kuchlanishiga bog’liqligi juda sust ekanligini ko’rish mumkin. Bu 
kollektor o’tishning differentsial qarshiligi etarlicha katta ekanligini ifodalaydi.
UE sxema uchun ham tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalarini olish 
mumkin. Bu xarakteristikalardan foydalanib tranzistorning asosiy parametrlari va 
uning ish rejimlarini aniqlash mumkin. Bipolyar tranzistorlarning asosiy 
parametrlariga quyidagilar kiradi.