Microsoft Word 00 KeyNote Speakers Materiallar

IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

47

 

Qafqaz University                                                                                          29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan 

GaSb-CrSb kompozitin sintezi iki mərhələdə aparılmışdır. GaSb ikili birləşməsi ayrı-ayrı 

elementlərin stexiometrik miqdarında birgə əridilib çoxsaylı zona ərintisindən keçirilibdir. Alınmış p-

tipli GaSb monokristalında deşiklərin konsentrasiyası р=1,2х10

17

 sm

-3

 olmuşdur. GaSb birləşməsi və 

13,4 çəki %-ində CrSb birlikdə  əridilmiş, 4 saat 1200K temperaturda vibrasiya olunmuş  və  şaquli 

Bricmen sobasında 2 sürətlə (0,3 mm/dəqiqə  və 0.6mm/dəqiqə ) istiqamətli kristallaşma aparılmış, 

yükdaşıyıcıların konsentrasiyası 4х10

18

 sm

-3

 alınmışdır. Rentgen-faza analizi ilə sistemin iki fazalılığı 

təsdiq olunmuş, metalloqrafik və elektron mikroskoplarında (SEM) mikrostruktur araşdırmaları 

aparılaraq CrSb metal qatmaların  kristallaşma istiqamətində GaSb matrisasında paralel düzüldüyü və 

bərabər paylandığı, metal qatmaların uzunluğunun 30÷50µm və diametrinin 

1.4µm olduğu 

göstərilmişdir. Matrisdə  və metal iynələrdə elementlərin tərkibi EDX spektroskopu ilə müəyyən 

olunmuşdur.  

Xarici temperaturun dəyişməsi ilə atomlararası qarşılıqlı təsiri aşkar edən termik analiz materialın 

fiziki xassələrini tədqiq etmək üçün böyük əhəmiyyət kəsb edir. Termik analizin DSC və DTA üsulları 

geniş temperatur bölümündə materialda baş verən birinci və ikinci növ faza keçidləri, istilik prosesləri 

haqqında qiymətli məlumatlar almağa imkan verir. Son zamanlar yaradılan yeni cihazlar maddədə 

istilik selinin dəyişmə sürətini və diferensiallaşmış istilik selini ölçərək faza çevrilmələrinli, istilik 

tutumunu,  ərimə-kristallaşma hadisəsini, oksidləşmə stabilliyini, müxtəlif proseslərin istilik 

kinetikasını dəqiq təyin etməyə imkan verir. Diferensial termik analizdə araşdırılan maddə və etalon 

nümunə eyni bir sobada yerləşir və xüsusi proqramla həyata keçirilən qızma və soyuma prosesində 

temperaturlar fərqi yazılır. Diferensial darama kalorimetrində isə proqramla tənzimlənən temperatur 

dəyişdikcə nümunədə və etalonda istilik selinin sürətlərinin fərqi yazılır. DSC analizində istilik selinin 

dəyişməsi həm temperaturdan, həm də zamandan asılı olaraq yazılır və bu üsul istilik tutumunun və 

entalpiyanın hesablanması üçün istifadə olunur.  

 Diferensial darama kalorimetrik analizi “NETZSCH DSC 204F1” (Almaniya) cihazında arqon 

atmosferində aparılıb. Çəkisi 40mq olan kompozit alüminium yuvacığa yerləşir. Etalon nümunə kimi 

sapfir, qızma sürəti 10 K/dəq, təsirsiz qaz axınının sürəti 20 ml/dəq, seçilib. Tədqiqatlar 273÷773K 

temperatur bölümündə aparılmışdır.   

 

GaSb-CrSb evtektik kompoziti üçün 273÷773 K temperatur aralığında DSC asılılığı.

 

 

273÷773K temperatur bölümündə tədqiqatlar aparılaraq istilik selinin dəyişmə (DSC) əyrisindən 

və aşağıda verilmiş ifadədən istifadə olunaraq xüsusi istilik tutumu hesablanmışdır: 

 

IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

48

 

Qafqaz University                                                                                          29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan 

burada Cp, Cp,standart - nümunənin və etalonun T temperaturundakı istilik tutumu; mstandart və 

msample-uyğun olaraq etalonun və nümunənin kütləsi; DSCstandart-standart əyridə DSC siqnalın T 

temperaturdakı qiyməti; DSCBas-baza xətində DSC siqnalın T temperaturdakı qiymətidir.  

DSC  əyrisində 516K və 691K temperaturlara uyğun minimumlar ekzotermik proseslərin baş 

verdiyini göstərir. Piklərə uyğun istilik tutumu 1-ci cədvəldə verilmişdir.  

 

GaSb-CrSb evtektik kompoziti üçün istilik tutumunun temperatur asılılığı 

 

Cədvəl 1.Müşahidə olunan keçidlərdə istilik tutumu. 

 

Pik, K 

DSC area, J/g 

Cp, J/gK 

 

516K -0,01875 

0,206 

Ekzotermik 

691K -0,05766 

0,203 

Ekzotermik 

 

İstilik selinin dəyişmə  əyrisində (DSC) 516K (2430 C

0

) və 691K (4180C

0

) temperaturlarda 

ekzotermik effektlər baş verir. 516K (2430 C

0

) və 691K (4180 C

0

) temperaturlarda baş verən 

ekzoeffektlərin, CrSb birləşməsində müşahidə olunmuş maqnit çevrilmələri ilə baş verən II növ faza 

keçidinə uyğun olduğu güman edilir. 

 

 

Gd

x

Sn

1-x

Se 

ƏRİNTİLƏRİNİN TERMOMAQNİT XASSƏLƏRİ  

 

Zöhrə ORUCOVA, Cahangir HÜSEYNOV,  Tapdıq CƏFƏROV, Nigar HƏSƏNLİ   

Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN 

 

Termomaqnit effektlər yükdaşıyıcıların səpilmə mexanizmlərinin araşdırılması üçün, yürüklüyə 

nisbətən, daha incə indikatordur. Yükdaşıyıcıların üstünlük təşkil edən səpilmə mexanizmi dəyişdikdə 

yürüklüyün yalnız  ədədi qiyməti dəyişdiyi halda, relaksasiya müdətinin enerjiyə görə törəməsi ilə 

mütənasib olan termomaqnit effektlər işarəsinidə  dəyişə bilir. Buna görədə termomaqnit effektlərin 

maqnit sahəsindən və temperaturdan asılılığının öyrənilməsi tədqiq olunan nümunələrdə yükdaşıyıcı-

ların və fononların relaksasiya mexanizmləri, kvazizərəcilərin spektrlərinin xüsusiyyətləri haqqında 

daha dolğun məlumat almağa imkan verir.  

SnSe birləşməsi əsasında yeni xassəli yarımkeçirici materiallar almaq məqsədi ilə SnSeqəfəsində 

Sn - atomlarının qismən nadir torpaq metallarından olan Gd atomları ilə əvəz olunması yeni tərkibli 

bərk məhlullar alınmış  vəhəmin  ərintilərdə termomaqnit xassələri (eninə  və uzununa Nernest-

Ettinhauzen effektləri) tədqiq olunmuşdur. 

Gd

x

Sn

1-x

Se sistem ərintilərində termo-e.h.q.-nin temperatur 

(t) asılılığının tədqiqi sistem 

kristallarında x

0,005 at% Gd-li nümunələrdə keçiricilik tipinin dəyişməsinin baş verdiyini göstərir. 

IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

49

 

Qafqaz University                                                                                          29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan 

x=0,005 tərkibli nümunədə keçiricilik tipinin dəyişməsi T=420 K temperaturuna uyğundur. Digər 

x

0,005 nümunələr n-tip keçiriciliyə malikdirlər və kimi tərkiblərdə Gd elementinin miqdarı artdıqca 

ekstremumun mütləq qiymətcə  dəyişməsi nisbətən yuxarı temperatur oblastına doğru (x=0,01-də 

T=440 K; və x=0,05-də isə T=500 K-də baş verir) sürüşür. SnSe monokrisatlındakı termo-e.h.q.-si 

tədqiq olunan bütün temperatur oblastlarında Gd

x

Sn

1-x

Sebərk məhlullarındakına nisbətən böyük olur. 

Aşqar keçiriciliyi oblastında, 80-360 K temperatur intervalında temperaturun artımı ilə termo-e.h.q.-si 

artaraq maksimum qiymətinə 

= 450  

-ə çatır, məxsusi keçiricilik oblastında temperaturun 

sonrakı artımında işarəsi müsbət qalmaqla monoton azalma müşahidə olunur.  SnS binar birləşməsində 

Sn atomlarının qismən NTM ilə əvəz olunması termo-e.h.q.-sinin qiymətinin azalmsı ilə yanaşı, onun 

azalma intervalının daha yüksək tempetatur oblasına tərəf sürüşdüyünü göstərir.  

 Gd

x

Sn

1-x

Se   sistem ərintilərində temperaturun artımı ilə termo-e.h.q.-sinin əvvəlcə artması, 

sonradan isə azalması  tədqiq olunan bütün fazalarında xarakterikdir. Termo-e.h.q.-nin müşahidə 

olunan temperatur asılılığını iki zonalı modellə, yəni iki növ: yüngül və agır yükdaşıyıcıların 

mövcudluğu ilə izah etmək olar. Bu   sistem ərintilərinin Holl və trmo-e.h.q.-si əmsallarının 

temperatur asılılıqları bir birləri ilə yaxşı uzlaşır. Tədqiq olunan sistem ərintilərində yüngül və  ağır 

deşiklərin mövcudluğunu, yəni valent zonasının iki alt zonadan ibarət olamasını  fərz etməklə    və 

−nın temperatur asılıəlığında müşahidə olunan anomalyanı yaxşı izah etmək olur.  

 

 

 

 

Şəkil 1-də GdxSn1-xSe sistem ərintilərinin 2-x=0,0025 və 4-nömrəli  x=0,01 nümunələrdə eninə  

Nernst-Ettinqsqauzen effektinin temperatur asılılıqlarının təcrübədən alınmış  nəticələrin qrafikləri 

verilmişdir. 1-ci şəkildəki qrafiklərdən göründüyü kimi E

y

(T) asılılığı işarəsini x=0,0025 nümunəsində 

T=530 K-də, x=0,0100 nümunəsində isə T=460 K temperaturunda işarəsini müsbətdən mənfiyə 

dəyişir. Digər tərəfdən tərkiblərdə Gd elementinin miqdarı nisbətən çox olan nümunədə  E

y 

kəmiyyətinin qiyməti də böyükdür. (T

300 K). Uyğun olaraq T500 K temperaturunda da 4 saylı 

nümunə üçün təcrübədən alınmış Ey - ədədinin qiyməti mütləq qiymətcə 2-saylı nümunənin qiymətinə 

nəzərən böyükdür.  E

y

(T) asılılığının müşahidə olunan formada dəyişməsi ikinci növ yükdaşıyıcıların 

yaranması və səpilmə mexanizminin dəyişməsi ilə bağlı olduğu ehtimal olunur. 

p-tip keçiricilikli №-2 nümunəsində  E

y

 sahəsi   ≈ 540   temperatura qədər müsbətdir,  tempe-

raturun sonrakı artımında isə  E

y 

mənfi olur.E

y

 maksimal müsbət qiymətini  ≈ 380   temperatur 

yaxınlığında alır və temperaturun artımı ilə  mənfi qiymətinə kimi azalır.  №-4 nümunədə = 100 −

250   temperatur intervalında E

y

(T) qiymətində zəif azalma müşahidə olunur, temperaturun sonrakı 

artımında nisbətən kəskin azalaraq,  = 430   temperaturunda inversiya nöqtəsindən keçməklə  

mənfi olur və qiymətinin maksimumu  ≈ 550 − 560  temperatur intervalına düşür. GdxSn1-xSe 

sistem  ərintilərində qadalinimun miqdarının artması ilə inversiya temperature yüksək temperatur 

oblastına tərəf sürüşür. Təbiidir ki, Ey müsbət işarəsi deşiklərin kristalqəfəsin akustik fononları ilə 

8 

2

H, kErst

4

6

10 

0

4

 8

12

Δ

α

(%)

 

Şəkil 2.   Gd

x

 Sn

1-x

 Se   kristallarını  tərkibli nümunələrdə Δα 

–nın H sahədən  asılılığı 2- x =0,0025; 4-x=0,01 

12 

16

20

}310K 

4 

2 

4 

2 

}95K 

4

Şəkil 1.  Gd

x

 Sn

1-x

 Se   kristallarının bəzi tərkiblərində eninə

N-E effektinin temperatur asılılığı 

34

0

10

T,K

18

0

260 

 

500  58

0

66

-4 

y

,%

2

-12 

0

 

4 

8 

1

-8 

42

0

74

IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

50

 

Qafqaz University                                                                                          29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan 

qarşılıqlı  təsirinin üstünlük təşkil etməsi ilə  şərtlənir. N-E sahəsinin asılılıq xarakteri və inversiya 

nöqtəsindən keçməklə  işarəsini mənfiyə  dəyişməsi deşiklərin fononlarla sövqünün təsiri, onların ion 

aşqarlarından səpilməsi, həmçinin keçirici elektronların yaranması ilə bağlı ola bilər. 

Gd

x

Sn

1-x

Se sistem ərintilərinin 2- x=0,0025 və 4-nömrəli x=0,01  nümunələri üçün temperaturun 

müxtəlif qiymətlərində termo-e.h.q.-nin maqnit sahəsində  dəyişməsinin, uzununa N-E effektinin 

∆α(Н) maqnit sahəsindən asılılıq qrafikləri  şəkil 2-də verilmişdir.  Şəkildən göründüyü kimi  hər iki 

nümunə üçün tətbiq olunan maqnit sahəsi zəif sahədir. Digər tərəfdən tərkibdə qadalinium elementinin 

miqdarı çox olan nümunədə termo-e.h.q.-nin dəyişməsi də nisbətən böyük olur. Bu isə öz növbəsində 

ion mərkəzlərinin polyarlaşməsınin artmasına və qismən ikinci növ yükdaşıyıcıların aktivləşməsi ilə 

bağlıdır.  

 

 

GEODİNAMİK PROSESLƏRİN ÖYRƏNİLMƏSİNDƏ GEOFİZİKİ 

REJİM MÜŞAHİDƏLƏRİ 

 

Aygün BABAXANOVA  

Bakı Dövlət Universiteti 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN

 

 

Yer təkinin dərinlik quruluşunun öyrənilməsində faydalı qazıntıların,  əsasən də karbohidrogen 

yataqlarının axtarışı  və  kəşfiyyatı planalma işlərinin daha səmərəli aparılması üçün tətbiq olunan 

geofiziki və geokimyəvi metodlar müasir elmi nailiyyətlər  əsasında təkmilləşdirilir. Bu cür təkmil-

ləşdirilmələr aparılan zaman seysmoaktiv zonalarda müasir geodinamik proseslərin zaman və məkan 

etibarilə  dəyişmə qanunauyğunluğunun nəzərə alınması  həm geofiziki, geokimyəvi çöl planalma 

tədqiqatlarında, həm də alınmış məlumatların daha effektli emal olunmasında və iqtisadi səmərəliliyin 

artırılmasında mühüm əhəmiyyət kəsb edir.Son zamanlara kimi geofiziki və geokimyəvi metodlarla 

faydalı qazıntı yataqlarının axatrışı  və  kəşfiyyatı  işləri aparıldıqda planalma əhatəsində olan lokal 

gərginlik sahələrində geodinamik proseslərlə  əlaqəli geofiziki sahələrin zaman və  məkan etibarilə 

dəyişmələri geoloji-geofiziki məlumatların interpretasiyası zamanı  nəzərə alınmamışdır. Potensial 

gərginlik zonalarında aparılmış geofiziki planalma məlumatlarının təhlili göstərir ki,interpretasiya 

zamanı geodinamik proseslərlə bağlı baş verən dəyişmələr nəzərə alınmadıqda geoloji kəsiliş düzgün 

əks etdirilmir. Nəticədə geoloji kəsiliş  həqiqətdə olduğu kimi proqnozlaşdırılmır, əsasən də neft-qaz 

yataqlarında geodinamik aktiv dövrlərdə qazılmış quyuların karotaj diaqramlarında neftli-qazlı 

obyektləri əks etdirən anomal göstəricilər xarakterik ayrılmır. Bu səbəbdən bir çox hallarda neftli-qazlı 

obyektlər nəzərdən yayınır. 

Müasir geodinamik proseslərin öyrənilməsi məqsədilə son illər dünyanın bir çox ölkələrində 

seysmoaktiv zonalarda, local gərginlik sahələrində ani hərəkətlərin (zəlzələlərin) başvermə qanunauy-

ğunluqlarının öyrənilməsi və  xəbərverici amillərin aşkar olunması istiqamətində geniş proqram üzrə 

elmi-tədqiqat işləri aparılır.Yerin təkində yüksək gərginlik şəraitində zəlzələlərin başvermə mexanizmi 

Sürətli geniş qırılma (SGQ) modeli, Dilatasiya-Diffuziya (DD) modellərinə uyğun elmi əsaslandırılmış 

formada işlənib hazırlanmışdır. 

Bu modellərə uygun olaraq həm laboratoriya şəraitində,həm də geodinamik poliqonlarda ani 

hərəkətlərin xəbərverici amillərinin anomal effektləri öyrənilir. 

Dünyada indiyə kimi baş vermiş  zəlzələlərin hiposentrlərinin paylanması üzrə aparılan təhlillər 

göstərir ki, zəlzələlər böyük dərinliklərdə (Yer səthindən başlamış 720 km-ə  qədər) mürəkkəb 

termodinamik və tektonik şəraitli,potensial gərginlik toplanan mühitdə  və  hər dəfə müxtəlif yerdə 

müşahidə olunan təbii endogen hadisədir. Belə proseslərin aktiv bir geodinamik poliqon daxilində 

alınmış  tədqiqat nəticələrinin başqa amillərin təsiri təcrid olunmaqla çox ciddi apaşdırılmasını  tələb 

edir.Çünki regional, lokal, daxili və xarici proseslərin yaratdığı təsirlər, mürəkkəb funksional formada 

ölçülən geofiziki sahələrin parametrlərinin qiymətlərində öz əksini tapır. Başqa sözlə zəlzələlərlə bağlı 

geofiziki, geokimyəvi sahələrin variasiyalarının təhlili çox mürəkkəb bir proses olduğundan, ölçmələr 

IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

51

 

Qafqaz University                                                                                          29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan 

əsasında qurulmuş qrafiklərdə onun izlənməsi, müvafiq korrelyasiyanın dəqiq aparılması çoxsaylı 

elmi-nəzəri araşdırmalar aparılmasını tələb edir. 

Zəlzələlərin xəbərverici amillərinin öyrənilməsi istiqamətində 1960-cı illərdən başlayaraq və 

1980-ci ildən etibarən daha geniş olaraq Şamaxı-İsmayıllı.  Şəki-Qəbələ  və Abşeron geodinamik 

poliqonlarında geofiziki və geokimyəvi sahə dəyişilmələri üzərində rejim müşahidələri aparılır. (Şəkil 

1.) 

 

Şəkil 1.Şamaxı-İsmayıllı geodinamik poliqonunda aparılmış geofiziki və geokimyəvi rejim müşahidə  məntəqələrinin 

yerləşmə sxemi. Şərti işarələr: 1-maqnitometrik müşahidə  məntəqələri; 2-müntəzəm işləyən maqnitometrik məntəqələr; 3-

elektrometrik müşahidə məntəqələri; 4-geokimyəvi müşahidə məntəqələri. 

 

Bu poliqonlarda aparılan geofiziki və geokimyəvi rejim müşahidələrinin metodik qaydası ayrı-

ayrı üsullar üzrə aşağıda verilən ardıcıllıqla şərh edilmiş və alınmış məlumatlar elmi-nəzəri cəhətdən 

əsaslandırılmış şəkildə emal olunmuşdur. 

Aktiv geodinamik zonalarda lokal gərginlik   sahələrinində gedən geofiziki sahə dəyişmələrinin 

neft yataqlarında yaratdığı  təsiri nəzərə almaq üçün işlənib hazırlanmış metodikada tədqiqatların 

aparılma qaydası  Şamaxı-İsmayıllı poliqonunda tətbiq olunmuş rejim müşahidələri məlumatlarının 

alınması və emalı təcrübəsindən istifadə olunmaqla işlənmişdir.Burada bir məqamı xüsusi olaraq qeyd 

etmək çox vacib sayılmalıdır. Tədqiqat və rejim işləri aparılan zaman aktiv geodinamik zonalarda 

lokal  gərginlik sahələri tam əhatə olunmalıdır və müşahidə  məntəqələri, hətta aktiv zonadan xeyli 

kənara çıxarılmalıdır ki, alınmış  məlumatları müqayisəli analiz etmək mümkün olsun.Neft 

yataqlarında geodinamik proseslərlə  əlaqəli təsirlərdən geofiziki sahələrin zaman və  məkan 

dəyişmələrini öyrənmək üçün aparılan rejim işlərində  də müşahidə  məntəqələri yataq sahəsini tam 

əhatə etməlidir.Burada da müşahidə  məntəqələrindən bir neçəsi yataq ərazisindən xeyli kənara 

çıxmalıdır.Ümumiyyətlə rejim müşahidələri aparılan zaman regionun özündə gedən aktiv proseslər 

hərtərəfli izlənilməlidir. 

Neft yataqlarında quyu kəsilişlərində təsiri müşahidə olunan geodinamik proseslərin öyrənilməsi 

zamanı tədqiqat işləri kompleks şəkildə aparılmalıdır.    

 

 

 

 

IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

52

 

Qafqaz University                                                                                          29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan 

GeS KRİSTALI MÜASİR ELEKTRONİKANIN PERSPEKTİVLİ    

TƏDQİQAT OBYEKTİ KİMİ 

 

T. M. PƏNAHOV, Telli VERDİYEVA

 

Azərbaycan Memarlıq və İnşaat Universiteti 

[e-mail]

 

AZƏRBAYCAN

 

A. S. ƏLƏKBƏROV, T. M. AYDINOVA 

Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN

 

 

Digər laylı kristallardan fərqli olaraq A

IV

B

VI

 tip kristallar həm də layların səthində güclü 

anizotropluğu ilə seçilir. Bu isə onların praktiki imkanlarını genişləndirir. Keçən əsrin 70-ci illərində 

GeS laylı monokristalının səthində holoqrafik yazının aparılması  həmin kristala olan marağı artırdı. 

Aparılan sonrakı  tədqiqatlar nəticəsində germanium monosulfidində  aşırma effekti müşahidə edildi. 

Bu isə  həmin kristaldan elektron açarları  və yaddaş elementi hazırlamaq imkanı yaratdı. GeS laylı 

monokristalının güclü səthi anizotropluğu həmin materialdan polyarizasiya fotoelementləri istehsal 

etməyə şərait yaratdı. 

GeS monokristalının tətbiq istiqamətləri bunlarla məhdudlaşmır. Xüsusi texnologiya ilə alınmış 

nazik təbəqələr külli miqdarda Günəş enerjisini akkumulyasiya etmək xassəsinə malikdir. Aparılan 

tədqiqatlar göstərir ki, GeS kristalı Si ilə müqayisədə daha çox litium ionlarını özündə saxlaya bilir. 

Kristalın bu xassəsi ondan iqtisadi cəhətdən səmərəli, ekoloji cəhətdən təhlükəsiz Günəş batareyaları 

yaratmaq perspektivi vəd edir.  

GeS kristalı ortorombik sinqoniyalı, yüksək müqavimətli (10

6



10

8

 Om



sm), düz keçidli, 

fotohəssas yarımkeçirici maddədir. Müasir elektronikanın  əsas baza elementləri  olan  Si  və Ge 

kristalları  çəp keçidli maddələr olduğundan onlardan optoelektron cihazlar - işıq diodları və lazerlər 

yaratmaq çətindir. Həmin elementlərdən fərqli olaraq GeS kristalından bu istiqamətdə tədqiqat obyekti 

kimi istifadə etmək məqsədəuyğundur. 

Yarımkeçiricilər fizikasında maddələrin fiziki xassələrini genişləndirmək, onları idarə etmək, 

praktiki imkanlarını genişləndirmək üçün müxtəlif metodlardan istifadə olunur. Bu metodlara müxtəlif 

xarici təsirləri (işıq, elektrik və maqnit sahələri vasitəsi ilə, mexaniki təzyiq, radioaktiv şüalanma və 

s.), aşqar atomlar daxil etməyi göstərmək olar. Əlbəttə, yarımkeçirici maddəyə vurulan aşqar 

atomlarının kimyəvi aktivliyi, əvəz olunan atomla əvəz edən atomun ölçüləri yeni alınmış maddənin 

fiziki – kimyəvi xassələrinə əsaslı təsir göstərir. 

Keçən  əsrin ortalarından başlayaraq metallar texnologiyasında baş vermiş inqilabi dəyişiklik 

yüksək təmizlik dərəcəsinə malik metal istehsalına təkan verdi.Bu metalların sırasına mürəkkəb 

elektron quruluşuna malik və ilk baxışda bir – birinə oxşayan nadir torpaq elementlərini (NTE) misal 

göstərmək olar. Lantanoidlər adlanan bu metallardan yarımkeçiricilər fizikasında aşqar maddələr kimi 

istifadə olunması onu göstərdi ki, bu metalların atomları yarımkeçiricilərin daha çox optik və maqnit 

xassələrinə  təsir edir. Doğrudan da, bu gün çoxfunksiyalı kompüter qurğularını, rabitə vasitələrini 

NTE-siz təsəvvür etmək mümkün deyil. 

Son 30 ildə aparılan tədqiqatlar göstərir ki, NTE aşqar atomları yarımkeçirici kristallarda, amorf 

maddələrdə, nazik təbəqələrdə mürəkkəb komplekslər, assosiatlar yaratmaqla maddənin xassələrini 

dəyişir və yeni xassə verir. Tədqiqat işlərində daha çox istifadə olunan Nd

3+

 ionları GeS kristalında 

aktiv mərkəzlər yaradır. Lantanoidlərdə 4f səviyyəsi 5d və 6s səviyyələri vasitəsi ilə ekranlandığından 

həmin səviyyədən elektronların sərbəst elektrona çevrilməsi böyük ionlaşma enerjisi tələb edir. 

Kristalda yaranan sahə isə  mərkəzdaxili elektron keçidlərini stimullaşdırır. Bu keçidlər isə  əksər 

hallarda şüalanma ilə müşaiyət olunur. Məsələn Er

3+

 ionu A

III

B

V

 tip geniş zolaqlı yarımkeçiricilərdə 

enerjisi 1.54 eV olan elektron keçidi yaradır ki, həmin keçidi kristalın fotolüminesensiya spektrində 

qeydə almaq mümkündür.  

GeS kristalı laylı monokristal olduğundan böyük ion radiusuna (r=0.99 Å) malik Nd atomları 

laylar arasına interkalyasiya edir. Kristalda yaranmış elektrik sahəsi həmin atom daxilində 

mərkəzdaxili keçid yaradır. Fotolüminesensiya və fotokeçiricilik spektrlərinin müqayisəli təhlili həmin 

keçidin enerjisinin 1.4 ev-a təsadüf etdiyini göstərir. Maraqlı  cəhət budur ki, bu, keçidə uyğun 

maksimum yuxarı temperaturlarda (T>200K) müşahidə edilir. İnfraqırmızı  şüalanma ilə müşaiyət