Microsoft Word Materiallar Full

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

20 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

Məlumdur ki, səth halları, onların energetik paylanması yarımkeçiricilərin xassələrinə  təsir edən mühüm  amillərindən 

biridir.  GaS laylı yarımkeçiricisi fiziki parametrlərinə  görə mühüm perespektiv tətbiqi gözlənilən A111BVI birləşmələrdən 

sayılır. Buna baxmayaraq hələ  də GaS laylı yarımkeçiricisinə müxtəlif , o cümlədən  γ ionlaşdırıcı  şüaların təsiri sistemli 

tədqiq olunmamışdır. Bu baxımdan GaS laylı yarımkeçiricisinin göstərilən istiqamətdə tədqiqi mühüm elmi əhəmiyyət kəsb 

edir və perespektivdə bu yarımkeçiricinin  γ-  şüalanmanın  təsiri ilə parametrlərinin idarə olunması  tədqiqinə ehtiyac 

duyulur.  

Son dövrlərdə  elm və texnikanın müxtəlif  sahələrində tətbiq edilən yarımkeçirci cihazların yaradılmasına təlabatın 

artması ilə  əlaqədar yeni keyfiyyətli yüksək temperatur və radiasiya şəraitində  işləyə bilən yarımkeçirici kristalların 

alınması onların hər tərəfli tədqiqi elm və texnika qarşısında duran ən aktual məsələlərdəndir. Yarımkeçirici materiallarda 

müşahidə edilən yeni fiziki xassələr və onların variasiya hesabına geniş temperatur , işıqlanma ionlaşdırıcı  şüalarla idarə 

edilməsi A3B6 birləşməli yarımkeçiricilər arasında xüsusi yer tutur. Bu tip birləşməli yarımkeçiricilər arasında xüsusi yer 

tutur. Bu tip birləşməli yarımkeçiricilər  əsasında hazırlanmış tunel diodları ,elektrolyuminesensiyalı  ışıq mənbələri , 

fotoqəbuledicilər texnikanın müxtəlif sahələrində geniş  tətbiq olunur. Bu tip birləşmələrin laylı  və  zəncirvari  quruluşa  

malik olmaları , onların elektron , qamma və rentgen şüalarına həssaslığını  artırmışdır.    A3B6 birləşməli yarımkeçirici 

materiallar optoelektron cihazların, elementar hissəcik dedektorlarının hazırlanmasında maraqlı materiallardandır. Belə 

materiallara marağın böyük olması onların yüksək fotohəssaslığa malik olmasıdır. Laylı yarımkeçiricilər  əsasında 

optoelektron cihazların hazırlanıb tətbiq edilməsinə baxmayaraq. Həmin yarımkeçiricilərdə defektlərin konsentrasiyasının 

idarə edilməsi aktual olaraq qalmaqdadır. Yarımkeçiricilərdə defektlərin konsentrasiyasının idarə edilməsi metodlarından 

biridə radiasiya aşqarlama metodudur, hansı  ki, müxtəlif növ şüalanmaların təsiri altında yarımkeçiricinin xassələrini lazımi 

istiqamətdə dəyişdirmək mümkündür. Müasir yarımkeçiricilər texnalogiyası dərinliyə görə aşqarlanmış strukturlar əsasında 

hazırlanır, hansı ki,yarımkeçiricilərin xassələrini lazım olan dərinliyə qədər effektiv dəyişməsini təmin edir. Bu məqsədlə 

qaçış  məsafəsi kiçik olan yüklü zərrəçiklərdən istifadə olunması  məqsədə uyğundur.  A3B6 birləşməli yarımkeçiricilərdə 

radiasiya defektlərinin yaranması geniş öyrənilmişdır, ancaq birləşmə atomlarının dərinliyə görə paylanması  və onların 

radiasiya defektlərinin yaranmasına təsiri çox az tədqiq edilmişdir. Məlumdur ki, atomların qeyri bərabər paylanması 

cihazların fiziki xassələrinə güclü təsir edir. Odur ki, komponentlərin kristalda dərinliyə görə paylanmasının tədqiqi böyük 

maraq kəsb edir vəolduqcaaktualdır.  

İşdə  140keV enerjili H2+ ionu ilə 1.1015 və 5.1015cm-2 dozada implantasiya olunmuş GaS monokristalının struktur 

dəyişməsini Rezerford əks səpilmə  və  işığın kombinasiyalı  səpilmə metodu ilə  tədqiq edilmişdir. Tədqiq olunan GaS 

monokristalı Bridjmen metodu ilı alınmış və xüsusi müqavimıti ~109omsm tərtibində olmuşdur. Tədqiqatda (RƏS)  enerjisi 

1,5MeV olan He+1 ionundan istifadə edilmişdir. H2+ ionunu implantasiya etmək üçün Van-de-Qraafa (tip AN2500)   

sürətləndiricisindən istifadə edilmişdir.İmplantasiya dozası 1.1015 -   1.1015  sm-2 tərtibində olmuşdur. Eksperimentin 

nəticələri SİMNRA 6,05 proqramı əsasında hesablanmışdır. GaSmonokristalında enerjisi 1,5MeV olan  He+1 –in rezerfor 

əks səpilməsinin energetik spektri verilmişdir. Spektrdən göründüyü eksperimentin nəticələri modelləşdirmədən alınan 

nəticələrlə üst-üstə düşür. Səpilmə spektrinin nəticələrindən görünür ki,  kristalın tərkibi üç  elemtdən ibarətdir: Ga, S, O.   

Eksperimentdənmüəyyən edilmişdir ki, səthdən 40nm dərinlikdə Ga(38%), S(42%) və O(20%)  təşkil edir. 40nm-dən yuxarı 

dərinlikdə isə qallium və kükürdün miqdarı bərabərdir(50%, 50%), 

GaS monokristalının göstərilən istiqamətdə tədqiqi mühüm elmi əhəmiyyət kəsb edən sahələrdən biridir. Məlumdur ki, 

səth halları, onların energetik paylanması yarımkeçiricilərin xassələrinə  təsir edən mühüm  amillərindən biridir.  GaS laylı 

yarımkeçiricisi və bir çox parametrlərinə  görə mühüm perspektiv tətbiqi gözlənilən A111BVI birləşmələrdən sayılır. Buna 

görə  də yarımkeçirici  əsaslı müxtəlif yönlü cihazqayırma sənayesində GaS laylı kristalının kinetik səth və  səth yanı 

parametrlərinin idarə olunması müasir dövrün aktual problemlərindən biri hesab edilir. Nəzəri və praktiki baxımdan GaS 

laylı yarımkeçiricisinin Perspektivdə bu yarımkeçiricinin   şüalanmasnın  təsiri ilə parametrlərinin idarə olunmasına ehtiyac 

duyulur. 

Beləliklə qeyd etmək lazımdır ki, yarımkeçirici kristallar qloballaşan dünyada böyük praktiki əhəmiyyət kəsb edir. 

Belə ki laylı yarımkeçiricilərə elektronikada , xüsusilə optoelektronikada maraq getdikcə artır. Bu materiallarda optik 

çevirici və informasiyanın saxlanma cihazlarının hazırlanmasında istifadə olunur. Bunun səbəbi həmin maddələrin yüksək 

difraksiya effektivliyinə , İnformasiyanın yazılmasının mümkünlüyünün olmasıdır.Laylı yarımkeçiricilər xüsusi kimyəvi 

texnalogiya tələb etmir. GaS laylı yarımkeçiricisi fiziki parametrlərinə  görə mühüm perespektiv tətbiqi gözlənilən 

A111BVI birləşmələrdən sayılır. 

---