Mustaqil ishi o`zgarmas kuchanish sathini siljitish qurilmasi. Reja

5.6. Differensial kuchaytirgichlar 

Differensial kuchaytirgich (DK) deb ikki kirishga ega bo‗lgan
kuchaytirgichga aytiladi. Uning chiqishidagi signal kirish signallari farqiga
proporsional bo‗ladi.
Sodda simmetrik DK sxemasi keltirilgan. Kuchaytirgich ikkita 

simmetrik yelkaga ega bo‗lib, birinchi yelka VT1 tranzistor va R

K1
rezistordan,
ikkinchi yelka esa VT2 tranzistor va R
K2
rezistordan tashkil topgan. Sxemaning
dastlabki ish rejimi I
E
toki yordamida ta‘minlanadi. Bu tokning barqarorligi esa
barqaror tok generatori (BTG) tomonidan ta‘minlanadi.
79
79 
Mazkur sxema 50 – rasmdagi sxemaga aynan o‗xshashligini kuzatish
mumkin. Buning uchun R2 va R3 rezistorlarni VT1 va VT2 tranzistorlar bilan
almashtirish va R1= R
K1
, R4= R
K2
deb hisoblash kerak. Agar R
K1
va R
K2 
qarshiliklar bir – biriga teng bo‗lsa va VT1 tranzistor parametrlari VT2 niki bilan
bir xil bo‗lsa, u holda bu sxema simmetrik bo‗ladi.
Amaliyotda to‗rtta ulanish sxemalardan ixtiyoriy biridan foydalanish
mumkin: simmetrik kirish va chiqish, simmetrik kirish va nosimmetrik chiqish,
nosimmetrik kirish va simmetrik chiqish, nosimmetrik kirish va chiqish. Simmetrik
kirishda kirish signali manbai DK kirishlari orasiga (tranzistorlarning bazalari
orasiga) ulanadi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi DK chiqishlari oralig‗iga
(tranzistorlarning kollektorlari orasiga) ulanadi.
Shuni ta‘kidlash kerakki, DK kuchlanishlari qiymati (moduli bo‗yicha) bir –
biriga teng bo‗lgan ikkita manbadan ta‘minlanadi. Ikki qutbli manbadan
ta‘minlanish sokinlik rejimida umumiy shinagacha tranzistor baza potensiallarini
kamaytirishga imkon beradi. Bu holat DK kirishlariga signallarni qo‗shimcha sath
siljitish qurilmalarini kiritmasdan uzatishga imkon yaratadi.
Ikkala yelka ideal simmetrikligida kirish signallari mavjud bo‗lmaganda
(
1
КИР
U
=0,
2
КИР
U
=0) kollektor toklari va tranzistorlarning kollektor potensiallari bir
xil bo‗ladilar, chiqish kuchlanishi esa
2
,
1
ЧИК
U
=0. Sxema simmetrik bo‗lganligi
sababli, tranzistor xarakteristikasining sabablarga bog‗liq bo‗lmagan ravishda
ixtiyoriy o‗zgarishi, ikkala yelka toklarinig bir xil o‗zgarishiga olib keladi. Shu
sababli sxema balansi buzilmaydi va chiqish kuchlanishi dreyfi deyarli nolga teng
bo‗ladi.
DK ikkala kirishiga fazasi va amplitudalari bir xil bo‗lgan signal (sinfaz
signal) berilsa
1
КИР
U
=
2
КИР
U
, yelkalarning simmetrikligi va BTGning mavjudligi
tufayli kollektor toklari o‗zgarmaydi va ular o‗zgarishsiz va bir - biriga tengligicha
qoladi.
Э
K
K
I
I
I

5
,
0
2
1


bu yerda 


- emitter tokining uzatish koeffisienti.

Demak, kollektor potensiallari tengligicha qoladi, chiqish kuchlanishi esa
0
2
1



K
K
ЧИК
U
U
U
. Bu deganiki, idel DK sinfaz kirish signallariga sezirsiz.
80
80 

Agar kirish signallari amplitudasi bo‗yicha bir xil, lekin fazalari qarama –

qarshi bo‗lsa, u holda ular differensial deb ataladi. Differensial signal ta‘siri
natijasida bir yelkadagi tok ikkinchi yelkadagi tok kamayishi hisobiga ortadi
2
1
Э
Э
I
I




, chunki toklar yig‗indisi doim
)
(
2
1
Э
Э
Э
Э
I
I
I
I


. Bir tranzistor
kollektori potensiali kamayadi, ikkinchisiniki esa xuddi shu qiymatga kamayadi.
DK chiqishida potensillar farqi hosil bo‗ladi, demak, chiqish kuchlanishi
2
1
2
,
1
ЧИК
ЧИК
ЧИК
U
U
U


.
Umumiy emitter ulanish sxemasida ishlaydigan kuchaytirgich tahlili
natijalaridan foydalangan holda, differensial signal (simmetrik kirish va chiqishga
ega bo‗lgan) ning kuchaytirish koeffisienti qiymatini olamiz
)
//

(
КЭ

K
U
r
R
S
K


Ideal DKlarda sinfaz signallarni so‗ndirish natijasida nol dreyfi mavjud 

bo‗lmaydi. Turli temperatura o‗zgarishlari, shovqinlar va

navodkalar
sinfaz signal
bo‗lishi mumkin. Real DKlarda yelkalarning absolyut simmteriyasiga erishish
mukin emas, shuning uchun nol dreyfi mavjud bo‗lib, u juda kichik qiymatga ega
bo‗ladi. Differensial kirishda, ya‘ni kirish simmetrik bo‗lganda, DK kirish
qarshiligi sxemaning chap va o‗ng yelkalari kirish qarshiliklari yig‗indisiga
2
1
КИР
КИР
R
R

teng bo‗ladi, chunki bu qarshiliklar signal manbaiga nisbatan ketma –
ket ulanadi. Shunday qilib,
КИР
КИР
КИР
КИР
r
R
R
R
2
2
1
12



, bu yerda
КИР
r
- UE sxemasida
ulangan tranzistorning kirish qarshiligi.
КИР
r
kattaligi tranzistorning sokinlik toki
Ib ga bog‗liq bo‗ladi. Shuning uchun kirish signalini oshirish uchun
kuchaytirgichni kichik toklar rejimida ishlatish kerak.
Differensial kuchaytirgichning kuchaytirish koeffisienti kirish signallar
generatorining ulanish va chiqish signalining o‗lchanish usuliga bog‗liq.
DK kuchaytirish koeffisienti simmetrik kirishda ham, nosimmetrik kirishda
ham bir xil bo‗ladi.
Nosimmetrik chiqishda yuklama qarshiligi bir uchi bilan bir tranzistor
kollektoriga, ikkinchi uchi bilan esa – umumiy shinaga ulanadi. Bu vaqtda K
U
simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 martaga kichik bo‗ladi. 

Yuklama qarshiligi ikkinchi chiqish va umumiy shina oralig‗iga ulangan

bo‗lsin. Agar kirish signali 1 kirishga uzatilsa, u holda chiqish signali fazasi kirish
signali fazasiga mos keladi. Bu vaqtda 1 kirishga ―inverslamaydigan‖ kirish nomi
beriladi. Agar kirish signali 2 kirishga uzatilsa, u holda chiqish va kirish signallari
fazasi bir – biriga qarama –qarshi bo‗ladi va 2 kirish ―inverslaydigan‖ kirish deb
ataldi.
Kichik kirish toklariga ega bo‗lgan maydoniy tranzistorlar qo‗llash
natijasida differensial kuchaytirgich kirish qarshiligini sezilarli oshirish mumkin.
Bu vaqtda r–n bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlarga katta e‘tibor
qaratiladi. r–n bilan boshqariladigan, kanali n–turli maydoniy tranzistorlarda
bajarilgan DK sxemasi keltirilgan. Barqaror tok generatori VT3 va R
I
81
81 

da bajarilgan. R

SIL1
i R
SIL2
rezistorlari VT1 va VT2 tranzistor zatvorlariga
boshlang‗ich siljishni berish uchun mo‗ljallangan.


Foydalanilgan adabiyotlar
Aripov,enternet saytlari,ziyonet.uz.
http://fayllar.org