Mustaqil ishi o`zgarmas kuchanish sathini siljitish qurilmasi. Reja

Tanlov kuchaytirgichlari (filtrlar) deb berilayotgan signallar majmuidan
ma‘lum chastota spektridagi sinusoidal shaklga ega bo‗lganlarini tanlab, ularni
kuchaytiradigan kuchaytirgichlarga aytiladi. Tanlov kuchaytirgichlari maxsus
shakldagi AChX ga egadirlar.
Signalni kuchaytirish amalga oshiriladigan chastotalar oralig‗i, o‘tkazish 
polosasi deb ataladi. Signallar so‗ndiriladigan chastota polosasi chegaralovchi 
chastota deb ataladi. O‗tkazish va chegaralovchi chastotalarning o‗zaro
joylashishiga ko‗ra quyidagi tanlov kuchaytirgichlari turlari mavjud: past chastota,
yuqori chastota, polosali o‗tkazuvchi, polosali chegaralovchi. Filtrlar RC zanjirlar
va aktiv elementlar asosida amalga oshiriladi. Shuning uchun ular aktiv filtrlar deb
ataladi.

5.2. Komplementar emitter qaytargich 

komplementar tranzistorlarda: VT1 – tranzistor n-p-n turli va

VT2 – tranzistor p-n-r turli bajarilgan V sinfiga mansub sodda ikki taktli chiqish
bosqichi sxemasi keltirilgan. Yuklama tranzistorlarning emitter zanjiriga ulanadi,
demak ular kuchlanish qaytargichlari rejimida ishlaydilar. Quvvat kuchayishi tok
kuchayishi bilan amalga oshiriladi. Ikki qutbli kuchlanish manbalari (+E
M
va –E
M
)
qo‗llanilganiga alohida e‘tibor qaratamiz. Shu sababli sokinlik rejimida ikkala
tranzistor berk holatda bo‗ladi, chunki emitter o‗tishlardagi kuchlanish nolga teng
bo‗ladi. Natijada, sokinlik rejimida sxema energiya iste‘mol qilmaydi.
Kirishga
КИР
U
signalning musbat yarim davri berilsa VT1 ochiladi va
Ю
R 
yuklama orqali 1 strelka yo‗nalishida tok oqib o‗tadi. Manfiy yarim davr
mobaynida p-n-r turli tranzistor ochiladi va tok 2 strelka yo‗nalishida oqib o‗tadi.
Quvvat kuchaytirish koeffisienti taxminan emitter va baza toklari nisbatiga teng
bo‗ladi, ya‘ni
)
1
(


.
75
75 
Lekin, V turli kuchaytirgich bo‗la turib, sxema katta nochiziqli buzilishlar
koeffisientiga ega (K
G
>10 %). Bu kamchilikni bartaraf etish maqsadida
kuchaytirgich murakkablashtiriladi. R1 va R2 rezistorlar, hamda VD1 va VD2
diodlar yordamida tranzistor bazalariga individual siljish kiritiladi
Natijada dastlabki ishchi nuqta ikkala tranzistor ozgina ochiq holatdagi (AV rejim)
sohada joylashadi, lekin ulardan A turli kuchaytirgichlardagiga nisbatan ancha
kichik tok oqib o‗tadi.