Oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universitetining qo‘qon filiali

12-13-Amaliy mashg’ulotlar.
IMS lar elementlarini planar va epitaksial-planar tayyorlanish texnologiyalarini o’rganish.
Zamonaviy yarim o‘tkazgich asboblar va integral mikrosxemalarni planar texnologiya yordamida tayyorlashda ma’lum elektro‘tkazuvchanlik tipidagi yarimo‘tkazgich monokristall tagliklardan foydalaniladi. Epitaksial-planar texnologiyada esa bunday tagliklarga qo‘shimcha ravishda 2,5-10 mkm qalinlikda qarama-qarshi elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlam o‘stiriladi. Planar va epitaksial-planar yarimo‘tkazgich asboblar va IMSlarni tayyorlashda faqatgina qo‘llanilayotgan tagliklari bilan farqlanadi.
Planar texnologiyada detallar va elektrik bog‘lanishlarni bitta monokristal taglik va bitta tekislikda xosil qilishni nazarda tutiladi.
Bipolyar tranzistorli yarimo‘tkazgich IMS lar planar epitaksial-planar texnologiya bo‘yicha quyidagi texnolgik jarayonlarga asoslangan xolda tranzistor tuzilmalari yaratiladi:

• 
  yarimo‘tkazgich tagliklarini yuzalarini oksidlash
  
• 
  litografiya
  
• 
  yarimo‘tkazgich qatlamlarni epitaksial o‘stirish
  
• 
  aralashma atomlarini lokal kiritish
  

Planar texnologiya – planar (yassi, sirtiy) yarimo‘tkazgich asboblar va IMS larni tayyorlashda qo‘llaniladigan texnologik jarayonlar majmuasidir.
Planar texnologiyaning afzalligi xar bir texnologik jarayondan so‘ng plastina yuzasining yassi (planar) shakli xosil bo‘ladi va bir qator operatsiyalarni bajarib kerakli darajadagi murakkab tuzilmani xosil qilish mumkin.
Planar texnologiya bir vaqtning o‘zida va bitta texnologik jarayonda juda ko‘p sondagi yarimo‘tkazgich asboblar va IMS larni bitta taglikda xosil qilish imkoniyatini beradi, bu esa uning tannarxini anchagina pasayishiga olib keladi. Aynan bir xil turdagi elementlarni bitta plastinada tayyorlash bir-biriga juda yaqin parametrli elementlarni xosil bo‘lishiga olib keladi. Bu texnologiyada cheklagich faqatgina taglikning xajmi xisoblanadi, shuning uchun texnologiyani rivojlantirish uchun taglik xajmini oshirish ga xarakat qilinadi.
Yarimo‘tkazgich IMSlarni planar tranzistor tuzilmasini tayyorlanish texnologiyasini ko‘rib chiqamiz (8.1-rasm). Lokal oblastda tranzistor tuzilmani olish uchun dastlabki taglikka aralashma atomlari diffuziya usulida kiritilgan deb xisoblaymiz. Dastlabki taglik 5-10 Om.sm qarshilikka ega bo‘lgan n-tipidagi epitaksial qatlami o‘stirilgan r-tipidagi kremniyli taglik bo‘lsin.