Oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universitetining qo‘qon filiali

Olmosli disk yordamida kirkish. Bu usulda kirkishda ishlab chikarish unumdorligini oshirish uchun bir kancha disklarni birlashtirib plastinkalardan kristallar kirkiladi. Disklar orasidagi prokladka kalinlgi kristall ulchamini beradi. Kristall geometrik ulchamlari orasidagi fark + 0,03 mmdan oshmaydi.
Sim yordamida obraziv material bilan kirkish usulini plastinadan kvadrat va turtburchak shaklidagi kristallar kirkish uchun kullaniladi. Bu usul ikki xil kurinishga ega. Birinchi xolda sim maxsus vilkaga urnatilgan rolikka uraladi. Vilka krivoship - shatun mexanizmi yordamida oldinga va orkaga xarakatlanadi. Bunda sim xam oldinga va orkaga vilka bilan birgalikda xarakatlanadi va sekin rolikka uralib boradi.Simni urashdan maksad butun ishchi uzunligi buyicha sim bir xil yedirilsin uchun. Kesuvchi modda ishchi zonaga uzluksiz yuborib turiladigan obraziv kukunning suv bilan korishmasidir.Sim esa obraziv kukunni kesiluvchi sirtida xarakatga keltirishga xizmat kiladi.Abraziv zarralar sim ta’sirida xarakatlanib, bir tomoni bilan simni uyadi, ikkinchi tomoni bilan plastina sirtini uyadi.
Sim xarakat tezligi 200- 600 xarakat/ min.Ikkinchi xolda sim katta tezlikda bir rolikdan ikkinchi rolikka uralishi jaryonida plastina sirtida xarakatlanib obraziv zarralarini xarakatga keltiradi.
Sim yordamida kirkish ma’lum avzalliklarga ega. Kirkilayotgan plastina kichik tezlik bilan simga yakinlashtirsa, uning sirtida buzilishlar kam sodir buladi, bu esa Au, Al, Ni, Cu va boshka plenkalari bulgan plastinani kirkishda plenkalar kuchib ketmaydi. Simni almashtirish kup vakt talab kilmaydi. Bu usul bilan kirkilgan kristallarning eng kichik ulchami 0,5 x 0,5 mm.
Yarim utkazgichli plastinalarni kirkish uchun volfram , pulat, nikel, nixrom va MV-50 kotishmasi simlaridan foydalaniladi.Sim diametri 0,05-- 0,15 mm, bunda kirkiluvchi soxa kengligi mos ravishda 0,08--0,2 mm buladi.
Bu usulning asosiy avzalligi: kirkiluvchi soxaning torligi, kristall kirralarining sinmasligi.
Yarim utkazgichli kuymadan kirkib olingan plastinada bir kancha kuyidagi nuksonlar mavjud buladi:
- mexanik buzilgan katlam,
- tomonlari tekis emas va parallel emas,
- egri va kalinlik turli nuktalarda xar xil.
Bu nuksonlarni yukotish uchun plastina jilvirlanadi.
Bunda yaxshi natijaga erishish uchun jilvirlashga kuyidagi talablar kuyiladi:
- jilvirlashni toza, changisiz xonadaamalga oshirish kerak;
- jilvirlovchi kurilmalari xar xil abraziv materiallar uchun aloxida bulishi kerak;
- barcha abraziv materiallar aloxida germetik skafandrlarda saklanishi kerak.
Jilvirlashda kullaniladigan disklar chuyan, shisha , pulat, mis yoki latundan tayyorlangan buladi.
Jilvirlash uchun ishlatilatidagan mikrokukun M14 dan M5 gacha buladi.Jilvirlash yordamida 9-12 klass tozalikka erishish mumkin.Jilvirlash jaryonini texnologik,konstruktiv va abraziv material turiga karab klassifikatsiyalanadi:
- texnologiyasiga karab :oralik va yakuniy jilvirlash;
- konstruktiv belgisiga karab: bir tomoni va ikki tomoninin jilvirlash;
- kullanayotgan abraziv materialga karab : erkin va boglangan abrazivda jilvirlash.
Oralik jilvirlashdan maksad - plastina sirtini tezrok tekislash. Bu jarayon rejimlari jilvirlovchi diskning aylanish tezligi va bosimi kattarok buladi. Abraziv mikrokukunning zarralari kattarogidan ( M14, M10) foydalaniladi.
Yakuniy jilvirlash - jilvirlash diski aylanish tezligi va bosimi kamrok buladi, mikrokukunning zarralari maydasidan ( M7, M5 ) foydalaniladi. Maksad - plastinaning geometrik parametrlarini yaxshilash va sirtini tekislik sifatini oshirish.
Bir tomonini jilvirlash - plastinaning bir tomoni maxsus moslamaga yopishtiriladi. Ikkinchi tomoni jilvirlovchi disk bilan mikrokukun korishmasi yordamida jilvirlanadi.
Ikki tomoni jilvirlash - ikkita jilvirlovchi diskka ega bulgan kurilmada amalga oshiriladi. Separatorga yarim utkazgichli plastina joylashtirilib, ikkita jilvirlovchi disk urtasiga urnatiladi. Pastki jilvirlovchi disk odatda kuzgalmas buladi, yukorisidagisi esa aylanadi. Plastina jilvirlovchi disk aylanishi, separator aylanishlarining natijasidan iborat murakkab aylanma xarakat kiladi. Abraziv korishma yukoridagi jilvirlovchi diskka beriladi va plastinani xamma tomondan koplab oladi. jilvirlangan sirt juda kup chiziklardan iborat buladi. Chiziklar chukurligi abraziv material zarralari ulchamiga, jilvirlovchi disk bosimiga va jilvirlash tezligiga boglik buladi. Abraziv materialda jilvirlashni plastinani bir tomonini va ikki tomonini jilvirlovchi kurilmada abraziv material korishmasi yeki pastasi yerdamida amalga oshiriladi. jilvirlash jarayenida abraziv material zarralari bir-biri bilan boglanmagan,erkin xolatda xarakatlanadi.
Boglangan abraziv materialida jilvirlashni sirtida olmoz kukuni yepishtirilgan jilvirlovchi metall diskli kurilmada amalga oshiriladi.Yarim ukazgichli plastinka maxsus moslamaga bir tomoni bilan yopishtiriladi va shu moslama bilan birga aylanma xarakat kiladi.Jilvirlovchi disk 15000 - 18000 ayl/ min tezlik bilan aylanib plastinka sirti bilan jipslashadi. Olmos kukunlari plastina sirtini kirib, uzaro kesivchi juda kup chiziklardan iborat setkasimon shakl xosil kiladi.Bunday jilvirlashda juda kup issiklik ajralib chikadi. Jilvirlovchi disk va plastinka kizib ketmasligi uchun suv bilan sovitib turiladi.Agar jilvirlovchi disk aylanish tezligi kamaytirilsa sirt jilvirlanish sifati yomonlashadi.


8-9-Amaliy mashg’ulotlar
Yarim o‘tkazgichli qatlamlarni epitaksial o‘stirishni tadqiq qilish

Yarim o‘tkazgich asboblar va integral mikrossxemalarni yaratishda epitaksial o‘stirish yoki epitaksiya usuli keng qo‘llaniladi. Kristall strukturali tagliklarni qayta ishlash yordamida moddalarni oriyentirlab o‘stirish epitaksiya deyiladi. Bunda o‘tqazilayotgan moddaning tashqi atomlari xosil qilinayotgan kristall panjara bir tekisda joylashishi va butun yuzada xech qanday nosozliklar xosil bo‘lmasligi uchun yetarli energiyaga va taglik yuzasida xarakatlanish xossasiga ega bo‘lishi kerak. Xarorat ortishi bilan taglik yuzasida atomlarning xarakatlanishi tezlashadi. Past xaroratlarda o‘stiriladigan qatlamlar polikristallar xisoblanadi.

Epitaksial qatlamlarni o‘stirishda donor va akseptor aralashmalarni kiritish bilan legirlanadi va p- yoki r-tipli elektro‘tkazuvchan qatlamlar xosil qilinadi.
Agar o‘stirilayotgan epitaksial qatlamlar ximiyaviy tarkib jixatidan taglik moddasidan farq qilmasa gomogen r-p-o‘tishlar olinadi va bu jarayon gomoepitaksiya(grekcha homogenes – birjinsli) yoki avtoepitaksiya (grekcha autos — samo) deb yuritiladi.
Agar o‘stirilayotgan epitaksial qatlamlar ximiyaviy tarkib jixatidan taglik moddasidan farq qilsa geteroepitaksiya (grekcha heteros — boshqa) deb yuritiladi. Bunda geterogen r-p-o‘tishlar olinadi. Misol uchun kremniy monokristall tagligida arsenid galliy qatlamini o‘stirish geteroepitaksiya jarayoni xisoblanadi.
Monokristal tagliklarga epitaksial qatlamlarni ximiyaviy usulda o‘stirish xemoepitaksiya deyiladi. Bunda xosil bo‘lgan oraliq qatlam ximiyaviy tarkib jixatidan taglik va o‘tqazilayotgan moddadan farq qiladi, lekin bir xil kristall tuzilishga ega bo‘ladi. Epitaksial qatlamlar ko‘pincha gaz xolatdagi fazali epitaksiya yoki suyuq xolatdagi fazali epitaksiya usullari yordamida o‘stiriladi.
Gaz xolatdagi fazali epitaksiya yuqori temperaturada gaz (bug‘) fazasida turli xil ximiyaviy reaksiyalar yordamida amalga oshiriladi. Kremniyni epitaksiyalashda vodorod tetroxlorid yordamida tiklash keng qo‘llaniladi:

Epitaksial o‘stirish jarayonlari uzatish, tozalash va gazlarni quritish tizimlariga ega bo‘lgan maxsus qurilmalarda amalga oshiriladi (1-rasm). Ishchi kameraning asosiy elementi kvars truba 2 xisoblanadi. Bunda gaz oqimiga nisbatan qiya joylashgan taglik 5 ustiga kremniyning monokristall tagliklari joylashtiriladi va induktor 3 yordamida 1200-1275°S gacha qizdiriladi.