6.1-rasm. Yarimo‘tkazgich bipolyar IMSningplanar n-p-n tranzistor tuzilmasi. 1- n-tipidagi yuqori qarshilikka ega bo‘lgan kollektor qatlami; 2- r-tipidagi diffuzion baza; 3- n-tipidagi diffuzion emitter qatlami; 4-alyuminiy metali; 5-oksid qatlami. Planar tranzistorlar boshqa tipdagi tranzistorlardan bir necha xossalari bilan farq qiladi.Ularning baza-kollektor va emitter-baza p-n- o‘tishlari kristall yuzasiga bitta tekislikka chiqariladi. Baza va emitter oblastlari diffuziya yordamida akseptor va donor aralashmalar yordamida xosil qilinadi.
14-15-Amaliy mashg’ulotlar. Fotorezistlarning tayyorlanish texnologiyasini o’rganish. Fotolitografiya (FL) ning asosi kuyidagidan iborat. Yarim utkazgichli plastina sirtiga yupka katlam yeruglik sezgir lak - fotorezist (FR) suriladi. FR katlami kuritilgandan sung plastina ustiga fotoshablon (FSh) (plastinaga kuchirish kerak bulgan rasm xosil kilingan shisha fotoplastinka) kuyiladi. FR surilgan yarim utkazgichli plastinkaning ustiga FSh kuyib yeritilsa (binafsha, ultrabinafsha nur bilan), FR ning yeruglik tushgan soxalari:
- negativ FRlarda ochiltiruvchi (proyavitel)da erimaydigan bulib koladi, yeritilmagan soxalari erib ketadi;
- pozitiv FR larda esa yeritilgan soxalari eruvchan tuzga aylanadi va ochiltiruvchida erib ketadi, yeritilmagan soxalari erimaydi.
FR katlamida xosil bulgan darchalar orkali yarim utkazgichli plastina yeki plenka ximiyaviy yemiriladi.
Fotorezistlar.Fotorezistlar (FR) kislota va ishkorlarga chidamli, ma’lum tulkin uzunligidagi yeruglikka sezgir moddalardir.
YEruglik ta’sirida eruvchanligi ortuvchi FR lar pozitiv FR lar deyiladi, aksincha yeruglik ta’sirida erimaydigan xolatga utuvchi FR lar negativ FR lar deyiladi.
Pozitiv FR dan foydalanilganda FSh dagi rasm yarim utkazgichli plastinada xuddi shunday xosil buladi.
Negativ FR dan foydalanilganda rasmning aksi xosil buladi.
Yarim utkazgichli IS lar texnologiyasida negativ FR sifatida polivinil sinnamat (PVS)- polivinil spirti murakkab efiri va korichna kislotasi ishlatiladi. Yoruglikka sezgirlik soxasi ultra binafsha nur. Poroshok shaklida bulib ok yoki sarik ranga ega. Organik eritgichlar toluol+xlorbenzol, atsetat metilinglikol+metoksilol aralashmalarida eriydi.
FR katlamining kislotaga chidamliligi HF va HNO3 kislotalarida katta emas. Ximoyalovchi FR katlami kalinligi 0,5 mkm bulganda kremniyda yemirish mumkin bulgan chukurlik 10 mkmdan, germaniyda 40 mkmdan oshmaydi.
Planar texnologiyasida PVS FR ti SiO2 katlamini yemirgichdan ximoya kilish uchun ishlatiladi.
Pozitiv FR sifatida 1,2-naftoxinandiazit (2)-5-novolak sulfo efirining turli polimerlaridan iborat aralashma ishlatiladi. Eritgich sifatida spirtlar, ketonlar, aromat uglevodorodlar, dioksan ksilol ishlatiladi. NXDA- naftoxinandiazit FR tining yoruglikka sezgirligi ultra binafsha yoruglikda PVS FR tiga nisbatan katta tulkin uzunligi tomonga surilgan. FR ning asosiy parametrlari:
- yoruglikka sezgirligi: xosil kilingan shaklning anikligi.
- ajratish kobilyati: FR yordamida 1mm da xosil kilish mumkin bulgan chiziklar soni.
- kislotaga chidamliligi: ayrim nuktalar va kirralarning kislotada yemirilish darajasi bilan baxolanadi.
