Oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universitetining qo‘qon filiali

FR markasi	FR turi	FR rangi	Ajratish qobiliyati chiziq/mm
ochiltiruvchiga chidamliligi sek
FP-307	pozitiv	qizg‘ish	500	90
FP-330	pozitiv	qizg‘ish	400	60
FP-333	pozitiv	qizg‘ish	500	180
FP-334	pozitiv	jigarrang	400	600
FP-383	pozitiv	qizg‘ish	400	60
FP-RN-7-2	pozitiv	jigarrang	400	2400
FN-11	negativ	jigarrang	100	chidamli
FN-103	negativ	to‘qqizil	50	chidamli
FN-106	negativ	sariq	200	chidamli
FN-108	negativ	qizg‘ish	400	chidamli

Yarimo‘tkazgich asboblar va integral mikrosxemalar texnologiyasida fotorezistni qo‘llanilganida zaruriy e’tiborga olinadigan mezonlar yorug‘likka sezgirlik, ruxsat etilganlik imkoniyati, kislotabardoshlik va ishlov berishga qulaylik xisoblanadi.

Fotorezistlarning yorug‘lik sezuvchanligi. Istalgan fotorezistning yozug‘liksezuvchanligi eksponirlash va ko‘rintirish jarayonining funksiyasi xisoblanadi. Eksponirlash jarayonining asosiy talabi fotorezistning spektral sezgirligidir, bundagi qiymat yutilib qaytgan yorug‘lik energiyasi bilan aniqlanadi va bu yorug‘lik sezgir materialning xossalarini o‘lchash aniqligi uchun kerak bo‘ladi.
Fotorezistning spektral sezgirligi quyidagi formula orqali aniqlanadi:

Bu yerda YE- fotorezistning yorug‘lik nurlanganligi, Vt/m²; t-nurlanish vaqti, s; H=Et-ekspozitsiya qiymati, Bt*s*/m².
Bundan ko‘rinib turibdiki, fotorezistlarning yorug‘lik sezgirligi yorug‘lik sezuvchan material qatlamining to‘liq yoritilishi bilan bog‘liq. Fotolitografiya jarayonida faqatgina yorug‘lik sezgir materialning to‘liq yoritilishi emas, balki yuqori sifatli fotorezist qatlamini , ya’ni tasvir relefini xosil qilish bu jarayonning asosiy maqsadi xisoblanadi.
Shuning uchun fotorezistlarning yorug‘lik sezuvchanlik xarakteristikalarini to‘liqroq tarzda ikkita jarayonni, ya’ni ekspozitsiya va ko‘rintirish jarayonlarini birgalikda ko‘rish orqali tushuntirish mumkin. Ko‘rintirish jarayoni fotorezistlarning yorug‘lik sezuvchanligiga to‘g‘ridan-to‘g‘ri ta’sir ko‘rsatadi, ya’ni xosil bo‘lish jarayonida ta’sir etuvchi bilan fotorezist plyonkasining eksponirlangan va eksponirlanmagan oblastlari o‘rtasida o‘zaro ximiyaviy ta’sirlashuv sodir bo‘ladi. Ko‘rintirish jarayoni fotorezist plyonkasida ma’lum tasvir relefini shakllantiradi va bu olingan tasvir relefi xosil qilingan ximoya plyonkasini sifatini aniqlab beradi.
Negativ fotorezistlarning yorug‘lik sezuvchanlik mezoni deganda taglik yuzasida eksponirlash va ko‘rintirish jarayonlari amalga oshirilgandan keyin fotorezist plyonkasining lokal polimerlangan uchastkalarini (tasvir relefini) xosil qilish tushuniladi.
Pozitiv fotorezistlarning yorug‘lik sezuvchanlik mezoni deganda butunlay yemirilish va taglik yuzasida eksponirlash va ko‘rintirish jarayonlari amalga oshirilgandan keyin fotorezist plyonkasining lokal uchastkalarini (tasvir relefini) yo‘qotish tushuniladi.
Fotorezistlarning ruxsat etilganlik imkoniyati. Yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarni ishlab chiqarishda fotorezistlarning qo‘llanish mezonlari deganda tasvirning mikrorelefini minimal o‘lchamdagi elementlarini yaratish imkoniyati tushuniladi. Fotorezistning ruxsat etilgan kengligi fotolitogafiya jarayonini amalga oshirish natijasida plastina sirtida 1 mm o‘lchamda bir xil qalinlikdagi bir-biriga kirishib ketmagan xoldagi o‘tkazilgan chiziqlar soni bilan aniqlanadi. Taglik sirtida l kenglikdagi fotorezist chizig‘ini xosil qilish kerak bo‘lsin. Chiziqlar orasidagi minimal o‘lcham chiziqning qalinligiga tengligini xisobga olgan xolda ruxsat etilganlik imkoniyatini quyidagi ifoda orqali aniqlashimiz mumkin:

Agar yarim o‘tkazgichli asbob yoki mirosxemani tayyorlash uchun l=1 mkm ga teng bo‘lgan minimal o‘lchamli tasvir relefi kerak bo‘lsa, fotorezistning ruxsat etilganlik imkoniyati R=1/(2*0.001)=500 chiz/mm ga qiymatga ega bo‘ladi.