128
ishga tushish vaqtiga (bir necha o‗n na nosekund) ega, bu mikrosxemalar juda oz
solishtirma zichlikga (bitta korpusga M bit atrofida) va katta elektr energiyasini
iste‘mol qiladi. Shuning uchun bu
prinsipda ishlovchi xotiradan, asosan, bufer
xotira (kesh-xotira) sifatida foydalaniladi. Dinamik xotirlash qurilmalari ma‘lum
joyda elektr zaryadining yig‗ilishi prinsipida ishlaydi.
U statistik xotira
triggerlariga nisbatan oz joy egallaydi va deyarli elektr energiyasini informatsiya
saqlash jarayonida ishlatmaydi. Informatsiyani xotira ( "Kompyuter
xotirasi va
yordamchi xotira" haqida referat ) yacheykasiga yozishda bir necha milli sekund
ichida zaryad to‗planadi va juda qiska vaqt saqlanadi.
Xotira yacheykasida bitni
doimo saqlab turish uchun yacheykani regeneratsiya-qayta yozib turish kerak.
Dinamik xotira mikrosxemalari yacheykalari turi to‗rtburchak sifatidagi
matritsa sifati tashkil etilgan. Mikrosxemaga birinchi
murojaat qilinganda RAS
(ROW Address Strob-ustun adressi stobi) signali orqali mikrosxema kirishiga satr
adresi beriladi. Keyin CAS (Column Address Strob-ustun adressi stobi) signali
orqali mikrosxema kirishiga ustun adresi beriladi. Har
safar biror yacheyka satri