29
1.3-jadval
Texnologik jarayonlar evolyusiyasi
Jarayonning
nomlanishi
Р854
Р856
Р858
Рхб0
Р1262
Р1264
Joriy etilishi, yil
1995
1997
1999
2001
2003
2005
Litografiya, nm
350
250
180
130
90
65
Kirish uzunligi,
nm
350
200
130
<70
<50
<35
80-yillarda 1 mkm chegarasi muvaffaqiyatli yakunlandi. 90-yillarda
ushbu chegara 0,1 mkmgacha (100 nm) siljidi. 2002 yilda Intel tomonidan
0,09 mkm (90 nm) texnologiyasidan foydalanib
yaratilgan chiplar taqdim
qilindi. Hozirda esa biz 0,01 mkm (10 nm) ni engib oʻtish
haqida gap
bormoqda.
Intel protsessorlarida quvvat sarfi.
Patrik Gelsinger: «Biz kelgusi 10 yil ichida birinchi navbatda quvvat
(power) parametri dolzarblik kasb etmoqda. 2010 yilda 30 gigagerts
chastotali, 10 mlrd. tranzistorli, 20 nm yoki undan ham kam texnologiyaga
ega protsessor ishlab chiqarildi.
Shuni unutmaslik kerakki, 1 Vt dan 10
Vtgacha, keyin 10 dan 100 Vtgacha sekinlik bilan oʻtilgan boʻlsa, 100
Vtdan 1000 Vtgacha va 1000 Vtdan 10,000 Vtgacha harakat qilinmoqda.
Bu ekspansional oʻsish boʻlib, u ham oqim boʻylab,
ham qarama-qarshi
ishlaydi.
Intel protsessorlarida energiya zichligi.
1.2.- rasm. Intel protsessorlarida quvvat sarfi
.
Quvvat
sarfi
30
Agar quvvat juda kichik yuzaga toʻgʻri
kelsa yana ham
murakkablashib, bunda quvvat zichligi haqida soʻz boradi.
Ba’zi bir misollarni keltirib oʻtamiz: agar 80-yillarning
oxirida
shunchaki isitish pechkasi va kelgusi oʻn yillikning oʻrtasida
bu yadro
reaktori, istiqbolda esa Quyoshning yuzasidan iborat boʻladi. (1.2-rasm).
Dostları ilə paylaş: 
