O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi mirzo ulugʻbek nomidagi o‘zbekiston milliy universiteti

 

---

29 
1.3-jadval 
Texnologik jarayonlar evolyusiyasi 
Jarayonning 
nomlanishi 
Р854 
Р856 
Р858 
Рхб0 
Р1262 
Р1264 
Joriy etilishi, yil 
1995 
1997 
1999 
2001 
2003 
2005 
Litografiya, nm 
350 
250 
180 
130 
90 
65 
Kirish uzunligi, 
nm 
350 
200 
130 
<70 
<50 
<35 
80-yillarda 1 mkm chegarasi muvaffaqiyatli yakunlandi. 90-yillarda 
ushbu chegara 0,1 mkmgacha (100 nm) siljidi. 2002 yilda Intel tomonidan 
0,09 mkm (90 nm) texnologiyasidan foydalanib yaratilgan chiplar taqdim 
qilindi. Hozirda esa biz 0,01 mkm (10 nm) ni engib oʻtish haqida gap 
bormoqda. 
Intel protsessorlarida quvvat sarfi. 
Patrik Gelsinger: «Biz kelgusi 10 yil ichida birinchi navbatda quvvat 
(power) parametri dolzarblik kasb etmoqda. 2010 yilda 30 gigagerts 
chastotali, 10 mlrd. tranzistorli, 20 nm yoki undan ham kam texnologiyaga 
ega protsessor ishlab chiqarildi. Shuni unutmaslik kerakki, 1 Vt dan 10 
Vtgacha, keyin 10 dan 100 Vtgacha sekinlik bilan oʻtilgan boʻlsa, 100 
Vtdan 1000 Vtgacha va 1000 Vtdan 10,000 Vtgacha harakat qilinmoqda. 
Bu ekspansional oʻsish boʻlib, u ham oqim boʻylab, ham qarama-qarshi 
ishlaydi. 
Intel protsessorlarida energiya zichligi. 
1.2.- rasm. Intel protsessorlarida quvvat sarfi 
.
Quvvat 
sarfi 

---

30 
Agar quvvat juda kichik yuzaga toʻgʻri kelsa yana ham 
murakkablashib, bunda quvvat zichligi haqida soʻz boradi. 
Ba’zi bir misollarni keltirib oʻtamiz: agar 80-yillarning oxirida 
shunchaki isitish pechkasi va kelgusi oʻn yillikning oʻrtasida bu yadro 
reaktori, istiqbolda esa Quyoshning yuzasidan iborat boʻladi. (1.2-rasm).